一种蚀刻铬铜金属的方法与流程

本发明涉及蚀刻液领域，具体涉及一种蚀刻铬铜金属的方法。

背景技术：

1、随着电气、电子设备的小型化和轻量化的加速，在基板上形成的印刷电路变得更加复杂、高度集成和小型化，因此印刷电路板的铜箔需要具备各种优良的物理性能。近年来，由于向电路板的信号传输的速度增加，因此，形成电路板的金属层结构需要良好的介电性能和耐腐蚀能力。

2、目前单一的铜层不足以满足日益发展要求的高介电性能产品，因为单一的铜镀层因为其有限的延展性和抗拉强度再次限制了线路板的寿命问题。目前厂商已经在基材上先镀铬（30nm），再在铬上化学镀铜（铜厚5um），以此来提高基板的导电性能和金属性能。

3、为了配合厂商的铬铜金属印刷电路板，目前急需开发出一种速度可控、精度高的蚀刻铬铜金属的方法。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本发明提供了一种蚀刻铬铜金属的方法，具有稳定性好、蚀刻因子大、精度高等优点，能够大大提高最终成品的合格率。

2、本发明的技术方案为：一种蚀刻铬铜金属的方法，采用蚀刻液a和蚀刻液b先后进行蚀刻；采用蚀刻液a蚀刻铜，采用蚀刻液b蚀刻铬。

3、进一步地，所述的蚀刻液a包括双氧水、硫酸、安定剂和水；其中，双氧水的浓度为20-150g/l，硫酸的浓度为30-120g/l，安定剂的浓度为1-100g/l。

4、进一步地，所述双氧水的浓度为80-150g/l。

5、进一步地，所述的安定剂包含双氧水稳定剂、蚀刻护岸剂和铜离子稳定剂，其组成如下：双氧水稳定剂1-100g/l，蚀刻护岸剂1-200g/l，铜离子稳定剂1-200g/l，其余为水。

6、进一步地，所述的双氧水稳定剂包括苯磺酸类中的一种或多种。

7、进一步地，所述的蚀刻护岸剂包括小极性的醇醚类物质中的一种或多种。

8、进一步地，所述的铜离子稳定剂包括胺氮类一种或多种。

9、进一步地，所述的蚀刻液b包括硫酸、硝酸铈铵、添加剂和水；其中，硫酸的浓度为50-400g/l，硝酸铈铵的浓度为50-500g/l，添加剂的浓度为1-50g/l。

10、根据权利要求8所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述添加剂包含对甲基苯磺酸1-300g/l和渗透剂1-300g/l。

11、本发明的有益效果为：

12、本发明采用两种蚀刻液蚀刻，单一的硫酸铈铵体系，虽然可以同时蚀刻铜和铬，但蚀刻的精准性较差，蚀刻因子小，无法满足客户的需求，本发明采用两种蚀刻液，分别蚀刻铜和铬，具有稳定性好、蚀刻因子大、精度高等优点，能够大大提高最终成品的合格率。

技术特征：

1.一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：采用蚀刻液a和蚀刻液b先后进行蚀刻；采用蚀刻液a蚀刻铜，采用蚀刻液b蚀刻铬。

2.根据权利要求1所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的蚀刻液a包括双氧水、硫酸、安定剂和水；其中，双氧水的浓度为20-150g/l，硫酸的浓度为30-120g/l，安定剂的浓度为1-100g/l。

3.根据权利要求2所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述双氧水的浓度为80-150g/l。

4.根据权利要求2所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的安定剂包含双氧水稳定剂、蚀刻护岸剂和铜离子稳定剂，其组成如下：双氧水稳定剂1-100g/l，蚀刻护岸剂1-200g/l，铜离子稳定剂1-200g/l，其余为水。

5.根据权利要求4所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的双氧水稳定剂包括苯磺酸类中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的蚀刻护岸剂包括小极性的醇醚类物质中的一种或多种。

7.根据权利要求4所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的铜离子稳定剂包括胺氮类一种或多种。

8.根据权利要求1所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述的蚀刻液b包括硫酸、硝酸铈铵、添加剂和水；其中，硫酸的浓度为50-400g/l，硝酸铈铵的浓度为50-500g/l，添加剂的浓度为1-50g/l。

9.根据权利要求8所述的一种蚀刻铬铜金属的方法，其特征在于：所述添加剂包含对甲基苯磺酸1-300g/l和渗透剂1-300g/l。

技术总结
本发明公开了一种蚀刻铬铜金属的方法，采用蚀刻液A和蚀刻液B先后进行蚀刻；采用蚀刻液A蚀刻铜，采用蚀刻液B蚀刻铬。所述的蚀刻液A包括双氧水、硫酸、安定剂和水；所述的安定剂包含双氧水稳定剂、蚀刻护岸剂和铜离子稳定剂。本发明具有稳定性好、蚀刻因子大、精度高等优点，能够大大提高最终成品的合格率。

技术研发人员：陈敬伦,陈芬,张晴晴
受保护的技术使用者：南通群安电子材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19