成膜装置的制作方法

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术：

1、在以手机为代表的无线通信设备的制造工序中，有时会利用树脂将作为电子零件的半导体装置密封，并在其上表面及侧面形成电磁波屏蔽膜，所述电磁波屏蔽膜具有对电磁波的屏蔽功能。另外，在半导体、显示器或光碟等各种产品的制造工序中，有时会在例如晶片、玻璃、树脂基板上形成光学膜等膜。

2、作为这样的在电子零件、晶片、玻璃、树脂基板等工件的表面进行成膜的方法，溅镀法受到关注。作为利用溅镀法的成膜装置，提出有使用等离子体来进行成膜的等离子体处理装置。等离子体处理装置中，向配置有靶材的真空容器导入惰性气体并施加电压。使等离子体化而成的惰性气体的离子撞击成膜材料的靶材，使从靶材敲出的材料沉积在工件上来进行成膜。

3、作为用于进行溅镀下的成膜的装置，提出有如下装置：通过真空腔室内的转台使工件一边以圆周的轨迹循环搬送一边通过成膜室，由此，借助通过成膜室这一过程来进行成膜。

4、[现有技术文献]

5、[专利文献]

6、[专利文献1]日本专利特开2018-003152号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、为了提高这样的工件与所形成的膜的密接性，会在成膜前对工件的表面进行等离子体下的轰击处理。在所述循环搬送式装置中，为了有效率地进行溅镀下的成膜以及轰击处理，在真空腔室内设置成膜室和等离子体处理室，通过真空腔室内的转台使工件一边以圆周的轨迹循环搬送一边通过等离子体处理室，由此来进行轰击处理，之后停止等离子体处理室内的等离子体生成。然后，在成膜室内生成等离子体，使工件一边循环搬送一边通过成膜室，由此来进行成膜。

3、这样的循环搬送式的等离子体处理是通过利用氩气生成等离子体来进行，但等离子体处理室与成膜室只是被壁隔开，所述壁具有供搭载于转台上加以循环搬送的工件通过的间隙，所以，有导入到等离子体处理室内的氩气混入成膜室而引发成膜室的压力变动之虞。

4、例如，等离子体处理室的开口与转台之间须空出供工件通过的5mm左右的间隙。这是以如下方式考虑得到的数值：即便发生设置有等离子体处理室的腔室的盖的变形造成的高度水平的变动、转台的平坦度的变动，工件也能通过。因此，未必能说是对于防止气体从间隙泄漏而言最佳的间隙。

5、在进行溅镀下的成膜时，将成膜装置的腔室减压至高真空。由此，能减少存在于腔室内的杂质，而且能减少气体分子以增大平均自由行程。结果，从靶材敲出的成膜材料到达工件而成为稳定、致密的膜质。因而，若等离子体处理室的内部的气体泄漏至成膜室等其他空间而导致成膜室的真空度变差，则有得不到稳定的膜质之虞。进而，在成膜室内使用氩气、等离子体处理室内使用氩气与氧气的混合气体的情况下，有引发一方气体侵入另一方的污染而妨碍两者的反应之虞。

6、另外，作为成膜的预处理，有时会进行脱气处理，即，通过对工件进行加热而预先将工件中包含的水分和大气排除。但在所述那样的基于旋转的循环搬送型成膜装置中，在设置加热室来进行脱气处理的情况下，若解吸出来的气体成分在腔室内扩散而混入成膜室、在成膜时作为杂质附着在工件上，也有得不到稳定的膜质之虞。

7、本发明是为了解决所述那样的现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制预处理的影响而实现稳定的成膜的成膜装置。

8、[解决问题的技术手段]

9、为达成所述目的，实施方式的成膜装置具有：腔室，可以将内部设为真空；搬送体，设置在所述腔室内，以圆周的轨迹循环搬送工件；成膜部，设置在所述腔室内，通过溅镀对由所述搬送体循环搬送的所述工件进行成膜处理；加载互锁室，在维持所述腔室内的真空的状态下从大气空间搬入搬出所述工件；以及预处理部，设置在所述腔室内，设置在邻接于所述加载互锁室的位置，对从所述加载互锁室搬入的所述工件在与所述搬送体隔离的状态下进行预处理。

10、[发明的效果]

11、根据本发明，可以提供一种能够抑制预处理的影响而实现稳定的成膜的成膜装置。

技术特征：

1.一种成膜装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，具有：

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种能够抑制预处理的影响而实现稳定的成膜的成膜装置。本发明的实施方式的成膜装置(1)具有：腔室(2)，可以将内部设为真空；搬送体(3)，设置在腔室(2)内，以圆周的轨迹循环搬送工件(W)；成膜部(8)，设置在腔室(2)内，通过溅镀对由搬送体(3)循环搬送的工件(W)进行成膜处理；加载互锁室(6)，在维持腔室(2)内的真空的状态下从大气空间搬入搬出工件(W)；以及预处理部(7)，设置在腔室(2)的邻接于加载互锁室(6)的位置，对从加载互锁室(6)搬入的工件(W)在与搬送体(3)隔离的状态下进行预处理。

技术研发人员：西垣寿,吉村浩司
受保护的技术使用者：芝浦机械电子装置株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29