一种法拉第旋转片制造方法及法拉第旋转片与流程

本发明涉及一种法拉第旋转片制造方法及法拉第旋转片，属于法拉第旋转片加工。

背景技术：

1、光纤隔离器是光通信中的一种重要的光器件。法拉第旋转片是光纤隔离器必不可少的零部件。现在法拉第旋转片研磨的方法采用单面研磨机研磨的方法。然而，这种方法存在以下问题和缺点：因为法拉第旋转片的厚度很薄，约0.3mm左右，加工精度控制比较难，另外由于厚度较薄的法拉第旋转片的边缘会产生曲卷效应，由此影响法拉第旋转片的性能和有效孔径。因此，如何克服曲卷效应，制造出平整的、有效孔径符合标准的法拉第旋转片，提升法拉第旋转片的性能是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种法拉第旋转片制造方法。

2、为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种法拉第旋转片制造方法，包括以下步骤：

3、(1)制作钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶；

4、(2)以钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶作为衬底材料，液相外延生长铋置换稀土类铁石榴石单晶体，形成复合材料；

5、(3)对复合材料具有铋置换稀土类铁石榴石单晶体的一面研磨、减薄；

6、(4)对复合材料具有衬底材料的一面研磨、减薄；

7、(5)对复合材料的双面同时研磨、减薄。

8、本发明进一步的设置为：所述对复合材料双面同时研磨的速度相同。

9、本发明进一步的设置为：所述复合材料减薄至除去衬底材料为止。

10、本发明进一步的设置为：所述步骤2中的衬底材料的厚度为550um，铋置换稀土类铁石榴石单晶体的厚度为400um。

11、本发明进一步的设置为：所述对复合材料的双面同时研磨、减薄，直至所述铋置换稀土类铁石榴石单晶体的厚度为290um-296um。

12、本发明还提供了一种法拉第旋转片，其特征在于，所述由权利要求1-5任一项所述的法拉第旋转片制造方法制成的。

13、本发明进一步的设置为：所述法拉第旋转片的波长尾为1310nm。

14、与现有技术相比，本发明的有益效果是：由于同时对复合材料的双面同时研磨、减薄。其两侧受力均匀、平衡。可以避免复合材料向一侧弯曲、翘起。克服曲卷效应。获得更平整的、有效孔径符合标准的法拉第旋转片。提升了法拉第旋转片的性能。

15、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

技术特征：

1.一种法拉第旋转片制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的法拉第旋转片制造方法，其特征在于，所述对复合材料双面同时研磨的速度相同。

3.根据权利要求1所述的法拉第旋转片制造方法，其特征在于，所述复合材料减薄至除去衬底材料为止。

4.根据权利要求1所述的法拉第旋转片制造方法，其特征在于，所述步骤2中的衬底材料的厚度为550um、铋置换稀土类铁石榴石单晶体的厚度为400um。

5.根据权利要求1所述的法拉第旋转片制造方法，其特征在于，所述对复合材料的双面同时研磨、减薄，直至所述铋置换稀土类铁石榴石单晶体的厚度为290um-296um。

6.一种法拉第旋转片，其特征在于，所述由权利要求1-5任一项所述的法拉第旋转片制造方法制成的。

7.根据权利要求6所述的法拉第旋转片，其特征在于，所述法拉第旋转片的波长尾为1310nm。

技术总结
本发明公开了一种法拉第旋转片制造方法，包括以下步骤：(1)制作钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶；(2)以钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶作为衬底材料，液相外延生长铋置换稀土类铁石榴石单晶体，形成复合材料；(3)对复合材料具有铋置换稀土类铁石榴石单晶体的一面研磨、减薄；(4)对复合材料具有衬底材料的一面研磨、减薄；(5)对复合材料的双面同时研磨、减薄。由于同时对复合材料的双面同时研磨、减薄。其两侧受力均匀、平衡。可以避免复合材料向一侧弯曲、翘起。克服曲卷效应。获得更平整的、有效孔径符合标准的法拉第旋转片。提升了法拉第旋转片的性能。本发明还公开了一种法拉第旋转片。

技术研发人员：岳忠·冯,学华·吴
受保护的技术使用者：炬芯通光电科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12