一种研磨垫及具有其的研磨装置的制作方法

本发明涉及晶圆生产，具体涉及一种研磨垫及具有其的研磨装置。

背景技术：

1、cmp(chemical mechanical planarization)是一种使用化学腐蚀以及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。晶圆通常是在研磨垫表面进行研磨，而研磨垫边缘磨平问题在业界普遍存在，diamond disk(研磨垫调整盘)对于研磨垫表面的压力，旋转会对研磨垫表面造成损耗，而研磨垫的边缘由于边界效应会损耗更大，在末期研磨垫边缘沟槽会产生一部分by-product(复产物)，从而对晶圆造成一定程度上的产品缺陷。

2、本发明的目的是发明一种研磨垫，可以更快的将研磨液分布在研磨垫表面，从而增加研磨效率。

技术实现思路

1、因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的研磨液分布速率慢的缺陷，从而提供一种研磨垫。

2、本发明提供了，一种研磨垫，包括：

3、研磨本体，设置有研磨面；所述研磨面为圆形；

4、研磨凸起，设置在所述研磨面上；所述研磨凸起朝向远离研磨面方向延伸设置；所述研磨凸起具有若干个，相邻的所述研磨凸起之间形成研磨沟槽，所述相邻的所述研磨沟槽连通设置。

5、作为优选方案，若干个所述研磨凸起为若干个同心圆环。

6、作为优选方案，若干个所述研磨凸起均匀间隔设置在所述研磨面上。

7、作为优选方案，所述研磨凸起上开设有通孔；所述通孔至少具有一个；相邻的所述研磨沟槽通过通孔连通。

8、作为优选方案，相邻两个所述研磨凸起上的所述通孔处于同一角度。

9、作为优选方案，相邻两个所述研磨凸起上的所述通孔处于不同角度。

10、作为优选方案，所述研磨凸起的数量为45-55个。

11、作为优选方案，所述研磨凸起的高度为a；a的范围为40μm-50μm；相邻所述研磨凸起之间的距离为b，b的范围为35μm-45μm。

12、作为优选方案，所述通孔的形状为方形孔，所述方形孔的深度为c，c的范围为10μm-15μm，宽度为d，d范围为50μm-80μm。

13、一种研磨装置，包括上述所述的研磨垫，还包括输送管和调整器。

14、本发明技术方案，具有如下优点：

15、1.本发明提供的一种研磨垫，包括：研磨本体和研磨凸起，研磨本体设置有研磨面；研磨凸起设置在所述研磨面上；研磨凸起朝向远离研磨面方向延伸设置；研磨凸起具有若干个，相邻的所述研磨凸起之间形成研磨沟槽，所述相邻的所述研磨沟槽连通设置。本方案通过将相邻的研磨沟槽相互连通，使得研磨面表面的研磨液的流速更快的分布在研磨沟槽内，可以适用于高速研磨速率的产品。

16、2.本发明提供的一种研磨垫，将相邻的研磨凸起上的通孔设置为同一角度的，可以使得研磨面表面的研磨液的流速更快的分布在研磨沟槽内，保证在高速研磨过程中的研磨效果。

17、3.本发明提供的一种研磨垫，将相邻的研磨凸起上的通孔设置为不同角度的，可以使得研磨面表面的研磨液的流速相对慢的分布在研磨沟槽内，保证在相对高速研磨较慢的研磨过程中的研磨效果。以应对不同的研磨情况，增加本装置的实用性。

技术特征：

1.一种研磨垫，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，若干个所述研磨凸起(2)为若干个同心圆环。

3.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，若干个所述研磨凸起(2)均匀间隔设置在所述研磨面上。

4.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨凸起(2)上开设有通孔(4)；所述通孔(4)至少具有一个；相邻的所述研磨沟槽(3)通过通孔(4)连通。

5.根据权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，相邻两个所述研磨凸起(2)上的所述通孔(4)处于同一角度。

6.根据权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，相邻两个所述研磨凸起(2)上的所述通孔(4)处于不同角度。

7.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨凸起(2)的数量为45-55个。

8.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨凸起(2)的高度为a；a的范围为40μm-50μm；相邻所述研磨凸起(2)之间的距离为b，b的范围为35μm-45μm。

9.根据权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，所述通孔(4)的形状为方形孔，所述方形孔的深度为c，c的范围为10μm-15μm，宽度为d，d范围为50μm-80μm。

10.一种研磨装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的研磨垫，还包括输送管(6)和调整器(7)。

技术总结
本发明提供的一种研磨垫及具有其的研磨装置，属于晶圆生产技术领域，一种研磨垫，包括：研磨本体和研磨凸起，研磨本体设置有研磨面；研磨凸起设置在所述研磨面上；研磨凸起朝向远离研磨面方向延伸设置；研磨凸起具有若干个，相邻的所述研磨凸起之间形成研磨沟槽，所述相邻的所述研磨沟槽连通设置。本方案通过将相邻的研磨沟槽相互连通，使得研磨面表面的研磨液的流速更快的分布在研磨沟槽内，可以适用于高速研磨速率的产品。

技术研发人员：蒋锡兵,唐强
受保护的技术使用者：北京晶亦精微科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31