半导体处理用基座和半导体处理设备的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体处理用基座和半导体处理设备。

背景技术：

1、半导体加工领域常用的诸如石墨盘由于使用需求大，使用频次高以及成本高需要进行清洁处理以供重复利用。石墨盘由于长期暴露在沉积工艺环境中，表面沉积物如不进行及时处理会影响后续的成膜质量。通常使用氯气等反应性气体作为和石墨盘相接触的反应介质对石墨盘进行烘烤，该反应气体在烘烤温度以及合适的烘烤压力下能够与石墨盘表面的沉积物进行反应，使石墨盘表面的沉积物剥离。

2、由于石墨盘表面沉积物绝大多数分布在承托面以及侧面，而且正是这部分区域的沉积物在沉积工艺的温度和压力下一旦剥离，很容易在气体流场的作用下落在晶圆表面从而影响成膜质量。现有技术的石墨盘烘烤架通常是沿水平方向设置系列卡槽，各石墨盘卡在卡槽中使其承托面(即用于承载晶圆的一面)垂直于水平面。上述卡槽卡设的方式遮挡了石墨盘的部分顶面和部分侧面，使得沉积物去除不完全。

3、另外，对于晶圆沉积而言，由于晶圆底面和下方的石墨盘贴合，沉积发生在顶面和侧面。当晶圆顶面沉积薄膜质量不符合要求，如能通过反应性介质，例如反应气体与薄膜反应使薄膜剥离晶圆，就能实现晶圆的重复利用。

4、因此，有必要开发一种新型的半导体处理用基座以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体处理用基座及具有该半导体处理用基座的半导体处理设备，适用于承载具有贯通孔的待处理物，并在稳定支撑的同时有利于提高对待处理物表面的处理质量和处理效率。

2、一方面，本发明提供一种半导体处理用基座，包括：

3、底座；

4、导向部，设于所述底座顶面，并沿所述底座轴向延伸；

5、若干载具，设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述载具的顶部围成有中空区域，所述导向部贯穿所述中空区域；

6、所述载具顶面包括承托面，各所述承托面的高度相同并围绕所述导向部以通过与待处理物边部部分底面的面接触实现对所述待处理物的承托，并在所述待处理物包含有沿所述底座轴向的贯通孔情况下使所述导向部穿过所述贯通孔。

7、另一方面，本发明还提供了一种半导体处理设备，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有所述半导体处理用基座，使所述半导体处理用基座沿所述处理腔室的轴向延伸。

8、本发明所述半导体处理用基座和所述半导体处理设备的有益效果均在于：所述底座顶面设置沿所述底座轴向延伸的导向部，使得导向部能够贯穿具有贯通孔的待处理物，若干载具设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，所述载具顶面包括承托面，各所述承托面的高度相同并围绕所述导向部使得待处理物的边部能够为各所述承托面所稳定支撑且通过面接触方式能够使待处理物的绝大部分表面特别是顶面和侧面充分露出，且若干载具围绕所述导向部间隔排布，各所述载具的顶部围成有中空区域，使得各载具之间的空间和中空区域是相通的，有利于气态处理介质的流通，从而有利于对露出表面进行高质量处理并提高处理效率。

9、可选的，所述载具包括承托部和可拆卸连接所述承托部底部的支柱，各所述承托部围成有所述中空区域，各所述支柱设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述承托部顶面包括所述承托面。

10、可选的，所述承托部顶部包括远轴面、高度低于所述远轴面的承托面以及位于所述远轴面和承托面之间且分别连接所述远轴面和所述承托面的限位面以组成台阶结构，所述远轴面相较所述承托面远离所述导向部并用于可拆卸连接另一所述支柱。

11、可选的，所述若干载具组成一承托层，所述承托层的数目至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承托部之间通过一所述支柱可拆卸连接，同一层的各支柱相较于对应可拆卸连接的各所述承托部上的承托面而言远离所述导向部，所述导向部自下而上贯穿至少一所述承托层，同一所述承托层中各所述承托面的高度相同。

12、可选的，所述半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的镂空承托板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

13、可选的，所述导向部贯穿至少一所述镂空承托板。

14、可选的，所述半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的遮蔽板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

15、可选的，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。

16、可选的，所述导向部贯穿至少一所述遮蔽板。

17、可选的，不同所述承托层的位于同一侧的至少部分所述支柱同轴。

18、可选的，沿所述底座轴向相邻的所述承托部与所述支柱之间可拆卸转动连接。

19、可选的，同一所述承托层的相邻所述支柱之间由加强结构连接。

20、可选的，所述底座顶部设有凹陷结构，所述凹陷结构内悬设有架体，所述导向部自所述架体中部延伸，所述凹陷结构内与所述中空区域相通。

21、可选的，至少一所述栅格承载结构悬设于所述凹陷结构内。

22、可选的，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。

23、可选的，所述底座侧壁开设与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。

24、可选的，所述半导体处理用基座还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述若干载具。

技术特征：

1.一种半导体处理用基座，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述载具包括承托部和可拆卸连接所述承托部底部的支柱，各所述承托部围成有所述中空区域，各所述支柱设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述承托部顶面包括所述承托面。

3.根据权利要求2所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述承托部顶部包括远轴面、高度低于所述远轴面的承托面以及位于所述远轴面和承托面之间且分别连接所述远轴面和所述承托面的限位面以组成台阶结构，所述远轴面相较所述承托面远离所述导向部并用于可拆卸连接另一所述支柱。

4.根据权利要求2所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述若干载具组成一承托层，所述承托层的数目至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承托部之间通过一所述支柱可拆卸连接，同一层的各支柱相较于对应可拆卸连接的各所述承托部上的承托面而言远离所述导向部，所述导向部自下而上贯穿至少一所述承托层，同一所述承托层中各所述承托面的高度相同。

5.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括设于至少一所述承托层的镂空承托板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

6.根据权利要求5所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述导向部贯穿至少一所述镂空承托板。

7.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括设于至少一所述承托层的遮蔽板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

8.根据权利要求7所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。

9.根据权利要求7所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述导向部贯穿至少一所述遮蔽板。

10.根据权利要求4所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，不同所述承托层的位于同一侧的至少部分所述支柱同轴。

11.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，沿所述底座轴向相邻的所述承托部与所述支柱之间可拆卸转动连接。

12.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，同一所述承托层的相邻所述支柱之间由加强结构连接。

13.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述底座顶部设有凹陷结构，所述凹陷结构内悬设有架体，所述导向部自所述架体中部延伸，所述凹陷结构内与所述中空区域相通。

14.根据权利要求13所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。

15.根据权利要求13所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述底座侧壁开设与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。

16.根据权利要求14所述的半导体处理用基座，其特征在于，至少一所述栅格承载结构悬设于所述凹陷结构内。

17.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述若干载具。

18.一种半导体处理设备，其特征在于，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有权利要求1所述的半导体处理用基座，使所述半导体处理用基座沿所述处理腔室的轴向延伸。

技术总结
本发明提供了一种半导体处理用基座和半导体处理设备，半导体处理用基座包括底座、若干载具和导向部。底座顶面设置沿底座轴向延伸的导向部，使得导向部能够贯穿具有贯通孔的待处理物，若干载具设于底座顶面并围绕导向部间隔排布，载具顶面包括承托面，各承托面的高度相同并围绕所述导向部使得待处理物的边部底面能够为各承托面所稳定支撑且通过面接触方式能够使待处理物的绝大部分表面特别是顶面和侧面充分露出，若干载具围绕导向部间隔排布且各所述载具的顶部围成有中空区域，使得各载具之间的空间和中空区域是相通的，有利于气态处理介质的流通，从而有利于对露出表面进行高质量处理并提高处理效率。

技术研发人员：王文,彭海
受保护的技术使用者：楚赟精工科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17