一种能够保护轴封的化学气相沉积反应器的制作方法

本技术属于化学气相沉积反应器，具体涉及一种能够保护轴封的化学气相沉积反应器。

背景技术：

1、化学气相沉积反应需要高温气相的反应环境，所以对于使用的反应器具有较高的保温要求。而目前大部分化学气相沉积反应器的内部都具有搅拌装置，以促进反应器内部的传质和传热，提高反应效率。搅拌装置的驱动电机普遍安装在反应器的外部，避免高温和气相沉积的固体影响驱动电机的正常工作。搅拌桨需要穿过反应器器壁进入反应器内部，而搅拌桨在穿过反应器器壁的位置设置轴封，保证反应器密闭的同时，也能保证搅拌桨自由转动。

2、然而，轴封处要承受高温、密封和转动的考验，需要经常更换轴封，影响生产进度。本实用新型要解决的技术问题是目前轴封处温度较高而导致轴封易老化的问题。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种能够保护轴封的化学气相沉积反应器，由下至上包括反应区、扩大散热区、隔热区和密封法兰，所述反应区和隔热区的横截面积均小于扩大散热区的横截面积，所述密封法兰的横截面积不小于隔热区的横截面积；

2、搅拌装置的电机设在密封法兰的上方，电机连接的搅拌桨依次贯穿密封法兰、隔热区和扩大散热区，进入反应区，用于搅拌反应区内的物料；搅拌桨在贯穿密封法兰的位置设有轴封。

3、可选的，所述反应区的底部设有进气口和进料口，用于输入反应原料；反应区的顶部或底部设有出料口，用于输出产品；扩大散热区的侧壁设有出气口，用于输出反应后的废气。

4、可选的，所述搅拌桨处于反应区的部分设有搅拌叶片，用于促进传质传热。

5、可选的，所述反应区、扩大散热区和隔热区为一体成型的。

6、可选的，所述密封法兰的上方且在电机的下方设有冷却夹层，冷却夹层设有介质进口和介质出口，用于通入冷却介质；搅拌桨在贯穿密封法兰的位置设有轴封。

7、可选的，所述隔热区内装填有隔热材料，所述隔热材料选自保温棉、耐火砖、高铝砖中的一种或几种。

8、可选的，所述隔热材料的厚度不小于50mm。

9、优选的，所述隔热区的底部设有承重网，用于支撑隔热材料。

10、可选的，所述冷却夹层的横截面积不小于密封法兰的横截面积；冷却夹层内输入的冷介质选自冷水、冷空气。

11、本实用新型所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，具有以下有益效果：

12、(1)扩大散热区的横截面积大于反应区的横截面积，使得进入扩大散热区的气流流速下降，有利于固体沉降，同时，扩大散热区的散热面积也较大，有利于在高温的反应区上方形成一个温度较低的区域，使得排出的废气温度能够低些；

13、(2)隔热区的横截面积小于扩大散热区的横截面积，经过扩大散热区的散热作用，降低了隔热区的热量负荷，要保护轴封，隔热区的面积无需很大。

技术特征：

1.一种能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，由下至上包括反应区、扩大散热区、隔热区和密封法兰，所述反应区和隔热区的横截面积均小于扩大散热区的横截面积，所述密封法兰的横截面积不小于隔热区的横截面积；

2.根据权利要求1所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述密封法兰的上方且在电机的下方设有冷却夹层，冷却夹层设有介质进口和介质出口，用于通入冷却介质；搅拌桨贯穿冷却夹层。

3.根据权利要求1所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述隔热区内装填有隔热材料，所述隔热材料选自保温棉、耐火砖、高铝砖中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述隔热材料的厚度不小于50mm。

5.根据权利要求3所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述隔热区的底部设有承重网，用于支撑隔热材料。

6.根据权利要求2所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述冷却夹层的横截面积不大于密封法兰的横截面积，冷却夹层内输入的冷介质选自冷水、冷空气。

7.根据权利要求1所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述反应区的底部设有进气口和进料口，用于输入反应原料；反应区的顶部或底部设有出料口，用于输出产品；扩大散热区的侧壁设有出气口，用于输出反应后的废气。

8.根据权利要求1所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述搅拌桨处于反应区的部分设有搅拌叶片，用于促进传质传热。

9.根据权利要求1所述的能够保护轴封的化学气相沉积反应器，其特征在于，所述反应区、扩大散热区和隔热区为一体成型的。

技术总结
本技术涉及一种能够保护轴封的化学气相沉积反应器，由下至上包括反应区、扩大散热区、隔热区和密封法兰，所述反应区和隔热区的横截面积均小于扩大散热区的横截面积，所述密封法兰的横截面积不小于隔热区的横截面积；搅拌装置的电机设在密封法兰的上方，电机连接的搅拌桨依次贯穿密封法兰、隔热区和扩大散热区，进入反应区，用于搅拌反应区内的物料；搅拌桨在贯穿密封法兰的位置设有轴封。

技术研发人员：赵社涛
受保护的技术使用者：赵社涛
技术研发日：20230111
技术公布日：2024/1/12