一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置的制作方法

本技术属于半导体晶片加工领域，具体涉及一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置。

背景技术：

1、现有氮化镓晶片双面研磨装置如图1-2所示，包括内齿圈2、太阳轮3、第一研磨盘5、第二研磨盘6和若干个行星轮4，行星轮4的本体开有若干个可放置氮化镓晶片的通孔1，通孔1对氮化镓晶片起到限位的作用，各所述行星轮分别与内齿圈和太阳轮啮合，第一研磨盘和第二研磨盘分别位于所述行星轮的相对两侧。行星轮在内齿圈和太阳轮的带动下做自转和公转，同时晶片在行星轮内做自转和公转，在第一、第二研磨盘作用下再搭配合适的研磨浆料，实现氮化镓晶片双面研磨的目的。为了防止研磨加工过程中出现滑片爆盘等现象，行星轮必须采用不易翘曲的硬质材料。但氮化镓晶片在加工过程中又会不可避免在通孔内晃动，从而不停地撞击通孔孔壁，由于氮化镓晶片属于硬脆材质，导致晶片边缘极易出现崩边和碎裂等情况，同时产生的残渣留又会对晶片造成大面积的划伤，降低了生产良率。

2、氮化镓晶片的自转主要是靠行星轮自转与公转时晶片与行星轮孔壁之间的摩擦力带动，而现有行星轮与晶片的接触面光滑很难带动晶片自转，从而导致晶片的自转效果差且不稳定，很大程度上降低了研磨效率和研磨的均一性。

3、为了解决现有技术上存在的上述问题，本实用新型由此而来。

技术实现思路

1、为了克服现有氮化镓晶片双面研磨时发生崩边的问题，本实用新型提供一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，在改善晶片边缘缺陷问题的同时，能有效提高研磨效率和晶片表面质量。

2、一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，包括行星轮本体，所述行星轮本体为硬质材料，其特点在于：所述行星轮本体设有若干个用于放置氮化镓晶片的通孔，各所述通孔的孔壁具有一层柔性层。

3、优选地，所述柔性层为硅胶层或阻尼布层。

4、优选地，所述柔性层的厚度为200-500μm。

5、优选地，各所述通孔的直径为氮化镓晶片直径的1.001～1.01倍。

6、更优选地，各所述通孔的直径为氮化镓晶片直径的1.003～1.008倍。

7、优选地，所述行星轮的厚度为300～800μm。

8、优选地，所述通孔的数量为3～24个。

9、一种用于氮化镓晶片双面研磨的装置，包括内齿圈、太阳轮、第一研磨盘、第二研磨盘和若干个如上所述的行星轮，其中，各所述行星轮分别与内齿圈和太阳轮啮合，第一研磨盘和第二研磨盘分别位于所述行星轮的相对两侧。

10、优选地，所述行星轮的数量为3～6个。

11、优选地，第一研磨盘的自转方向与第二研磨盘的自转方向相反,内齿圈的自转方向与太阳轮的自转方向相反。

12、有益效果

13、与现有技术相比，本实用新型通过在行星轮限位区内壁设置柔性层，将行星轮与晶片的硬性接触变为柔性接触，不仅能有效解决研磨加工时氮化镓晶片边缘崩角的问题，提高整体良率，还能提高晶片研磨效率和研磨的均一性。

技术特征：

1.一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，包括行星轮本体，所述行星轮本体为硬质材料，其特征在于：所述行星轮本体设有若干个用于放置氮化镓晶片的通孔，各所述通孔的孔壁具有一层柔性层。

2.根据权利要求1所述的行星轮，其特征在于：所述柔性层为硅胶层或阻尼布层。

3.根据权利要求1所述的行星轮，其特征在于：所述柔性层的厚度为200～500μm。

4.根据权利要求1所述的行星轮，其特征在于：各所述通孔的直径为氮化镓晶片直径的1.001～1.01倍。

5.根据权利要求4所述的行星轮，其特征在于：各所述通孔的直径为氮化镓晶片直径的1.003～1.008倍。

6.根据权利要求1所述的行星轮，其特征在于：所述行星轮的厚度为300～800μm。

7.根据权利要求1所述的行星轮，其特征在于：所述通孔的数量为3～24个。

8.一种用于氮化镓晶片双面研磨的装置，其特征在于：包括内齿圈、太阳轮、第一研磨盘、第二研磨盘和若干个如权利要求1～7任一所述的行星轮，其中，各所述行星轮分别与内齿圈和太阳轮啮合，第一研磨盘和第二研磨盘分别位于所述行星轮的相对两侧。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述行星轮的数量为3～6个。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：第一研磨盘的自转方向与第二研磨盘的自转方向相反,内齿圈的自转方向与太阳轮的自转方向相反。

技术总结
本技术公开了一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，该行星轮包括行星轮本体，所述行星轮本体为硬质材料，所述行星轮本体设有若干个用于放置氮化镓晶片的通孔，各所述通孔的孔壁具有一层柔性层。与现有技术相比，本技术通过在行星轮通孔孔壁设置柔性层，将行星轮与晶片的硬性接触变为柔性接触，不仅能有效解决研磨加工时氮化镓晶片边缘崩角的问题，提高整体良率，还能提高晶片研磨效率和研磨的均一性。

技术研发人员：刘俩,陆燕飞,李骏杰,秦博龙
受保护的技术使用者：无锡吴越半导体有限公司
技术研发日：20230210
技术公布日：2024/1/12