本技术涉及抛光,具体的是一种多头式抛光机设备。
背景技术:
1、本部分的描述仅提供与本实用新型公开相关的背景信息,而不构成现有技术。
2、抛光是目前半导体晶片生产加工过程中常用的一种工艺,其中半导体晶片包括硅片、砷化镓、锗片、蓝宝石、磷化铟等。目前半导体晶片抛光时,抛光机的抛光盘的平坦度控制是影响到晶片抛光精度的关键技术。并且目前半导体晶片的抛光均是采用一个抛光头对半导体晶片进行抛光,这样对加压的等级要求较高,较容易造成半导体晶片厚度不一致的现象,影响晶片质量。
3、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中的缺陷,本实用新型实施例提供了一种多头式抛光机设备,其受力均匀,抛光轨迹复杂,有效保证晶元质量。
2、本申请实施例公开了:一种多头式抛光机设备,包括抛光盘单元、抛光头单元和驱动单元,
3、所述抛光盘单元用于承载料件;
4、所述抛光头单元的数量设置有两个,每个所述抛光头单元均包括至少两个抛光头件,其中四个所述抛光头件以所述抛光盘单元的中心为基点呈环形阵列分布,
5、每个所述抛光头单元均朝向所述抛光盘单元移动,以使得每个所述抛光头件均抵压所述料件;
6、每个所述抛光头件均能够独立转动,其中四个所述抛光头件的抛光面积覆盖整个所述料件的抛光面;
7、所述驱动单元与每个所述抛光头单元对应设置,以驱动两个所述抛光头件相互靠近或远离,其中两个所述抛光头单元的动作一致。
8、进一步地,所述驱动单元包括两个同步运行的气缸件,两个所述气缸件分别与一个所述抛光头单元的两个所述抛光头件驱动连接,以驱动两个所述抛光头件相互靠近或远离。
9、进一步地,四个所述抛光头件的线速度相等。
10、进一步地,包括多个压力传感件,每个所述抛光头件均对应信号连接有能够检测其自身抵压力的所述压力传感件,四个所述抛光头件的抵压力数值相等。
11、进一步地,包括第一冷却件和第二冷却件,所述第一冷却件作用于所述抛光头单元,所述第二冷却件作用于抛光盘单元。
12、进一步地,所述第一冷却件和第二冷却件均包括喷头件、由所述喷头件输出的冷却水。
13、进一步地,每个所述抛光头的转速在1-60rmp之间。
14、借由以上的技术方案,本实用新型的有益效果如下:四个所述抛光头均布设置,有效保证抵压力的均布设置,另外,在抛光头自转的基础上,增设在平面内的移动设计,使得抛光轨迹更加多变复杂,从而能够保证晶元上的各点抛光的均匀性,保证晶元质量。
15、为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
1.一种多头式抛光机设备,其特征在于,包括抛光盘单元、抛光头单元和驱动单元,
2.如权利要求1所述的多头式抛光机设备,其特征在于,所述驱动单元包括两个同步运行的气缸件,两个所述气缸件分别与一个所述抛光头单元的两个所述抛光头件驱动连接,以驱动两个所述抛光头件相互靠近或远离。
3.如权利要求1所述的多头式抛光机设备,其特征在于,四个所述抛光头件的线速度相等。
4.如权利要求1所述的多头式抛光机设备,其特征在于,包括多个压力传感件,每个所述抛光头件均对应信号连接有能够检测其自身抵压力的所述压力传感件,四个所述抛光头件的抵压力数值相等。
5.如权利要求1所述的多头式抛光机设备,其特征在于,包括第一冷却件和第二冷却件,所述第一冷却件作用于所述抛光头单元,所述第二冷却件作用于抛光盘单元。
6.如权利要求5所述的多头式抛光机设备,其特征在于,所述第一冷却件和第二冷却件均包括喷头件、由所述喷头件输出的冷却水。
7.如权利要求1所述的多头式抛光机设备,其特征在于,每个所述抛光头的转速在1-60rmp之间。