一种磨削单晶硅棒的上料装置的制作方法

文档序号:35693024发布日期:2023-10-11 14:03阅读:29来源:国知局
一种磨削单晶硅棒的上料装置的制作方法

本技术涉及单晶硅棒加工,尤其是涉及一种磨削单晶硅棒的上料装置。


背景技术:

1、目前行业内越来越多的企业对组件高效化,硅片大型化趋势愈加明显,大硅片的核心在于为下游电池片和组件厂商提供降本空间,未来大尺寸单晶硅棒片已成为下一阶段重要目标。

2、图1是现有的磨削一体线加工单晶硅棒的结构示意图,图2是单晶硅棒的受力图,如图1和图2所示,现有的磨削一体线加工单晶硅棒时,通过线体接收单晶硅棒后,磨削机械手将单晶硅棒纵向180°旋转将方棒送至磨削设备加工。

3、本申请人发现现有技术至少存在以下技术问题:

4、由于目前单晶硅棒自身重量较重,旋转过程单晶硅棒竖直受力,单晶硅棒存在下沉的情况,使单晶硅棒上料精度存在偏差,此异常导致加工大直径单晶硅棒的合格率降低,不能满足生产需求。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种磨削单晶硅棒的上料装置,以解决现有技术中存在的由于目前单晶硅棒自身重量较重,旋转过程单晶硅棒竖直受力,单晶硅棒存在下沉的情况,使单晶硅棒上料精度存在偏差,此异常导致加工大直径单晶硅棒的合格率降低,不能满足生产需求的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

2、为实现上述目的,本实用新型提供了以下技术方案:

3、本实用新型提供的一种磨削单晶硅棒的上料装置,包括支撑结构、滑动组件以及中转机构,其中:

4、所述支撑结构的一侧设置上料位,另一侧设置下料位,所述中转机构位于所述上料位与所述下料位之间;

5、所述滑动组件包括固定部和与所述固定部配合连接的滑动部,所述固定部固定安装于所述支撑结构上,所述中转机构连接于所述滑动部上;

6、所述中转机构包括旋转台和设置于所述旋转台上的接料主体。

7、优选地,所述接料主体至少包括本体和接料平台,其中:

8、所述本体连接于所述旋转台上,所述接料平台设置于所述本体的一侧;

9、沿所述接料平台的端部设置凸出于所述接料平台的止挡结构;

10、单晶硅棒置于接料平台上,位于所述本体与所述止挡结构之间。

11、优选地,所述接料主体还包括夹持组件,其中:

12、所述夹持组件连接于所述本体上,包括伸缩机构,所述伸缩机构的端部与所述止挡结构之间形成容置结构,用于容置所述单晶硅棒。

13、优选地,所述接料主体还包括测量装置,其中:

14、所述测量装置连接于所述本体上,位于所述接料平台的一侧。

15、优选地,所述接料主体还包括加强板,其中:

16、所述加强板至少设置两组,所述加强板采用直角三角形结构,所述加强板的两直角边分别与所述本体和所述接料平台连接。

17、优选地,所述滑动组件采用线性模组。

18、本实用新型提供的磨削单晶硅棒的上料装置,包括支撑结构、滑动组件以及中转机构,滑动组件包括固定部和与固定部配合连接的滑动部,固定部固定安装于支撑结构上,中转机构连接于滑动部上,中转机构位于上料位与下料位之间,且中转机构包括旋转台和设置于旋转台上的接料主体,其中,接料主体用于承托单晶硅棒,旋转台带动接料主体水平转动,将接料主体上的单晶硅棒水平旋转。在旋转台带动单晶硅棒旋转的过程,单晶硅棒的受力平衡,且不产生摩擦力,单晶硅棒不会产生偏移,使上料准确性得到大幅度提升。



技术特征:

1.一种磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于,包括支撑结构、滑动组件以及中转机构,其中:

2.根据权利要求1所述的磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于:所述接料主体至少包括本体和接料平台,其中:

3.根据权利要求2所述的磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于:所述接料主体还包括夹持组件,其中:

4.根据权利要求2或3所述的磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于:所述接料主体还包括测量装置,其中:

5.根据权利要求2或3所述的磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于:所述接料主体还包括加强板,其中:

6.根据权利要求1-3任一所述的磨削单晶硅棒的上料装置,其特征在于:所述滑动组件采用线性模组。


技术总结
本技术提供了一种磨削单晶硅棒的上料装置,涉及单晶硅棒加工技术领域,以解决现有单晶硅棒上料精度存在偏差的技术问题。该装置包括支撑结构、滑动组件以及中转机构,支撑结构的一侧设置上料位,另一侧设置下料位,中转机构位于所述上料位与所述下料位之间;滑动组件包括固定部和与所述固定部配合连接的滑动部,所述固定部固定安装于所述支撑结构上,所述中转机构连接于所述滑动部上;中转机构包括旋转台和设置于所述旋转台上的接料主体,本技术的有益效果是在旋转台带动单晶硅棒水平旋转,单晶硅棒受力平衡,且不产生摩擦力、不产生偏移,使上料准确性得到大幅度提升,保证单晶抛光品质。

技术研发人员:贡艺强,匡文军,梁志慧,王猛,赵艳慧,常顺,石岩,尹琨
受保护的技术使用者:内蒙古中环晶体材料有限公司
技术研发日:20230526
技术公布日:2024/1/15
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