本技术涉及半导体镀膜，具体涉及一种镀膜设备进片室装置。
背景技术：
1、镀膜设备中的镀膜进片室为硅片、玻璃的镀膜提供真空环境，只有达到真空环境后，镀膜工艺才能开始。从载板承载硅片准备进片，进片室内门阀开启，此时进片室内为标准大气环境(1.01x105pa)，到载板承载硅片输送至镀膜进片腔室后，进片室的门阀关闭，需将进片室抽至高真空状态下，以期满足下个工艺室的真空环境，用于实现连续生产。
2、实际生产过程中，抽真空时，在标准大气环境抽至高真空状态下，硅片对气流的流动非常敏感，相关气流中直接向硅片的上方或者下方输送气体，硅片上下表面气流的流量差、压差较大，导致硅片上下表面承受较大压差，极易造成硅片碎裂，由于硅片的尺寸较大210mm*210mm，厚度仅为100微米，气流差和压差导致硅片振荡，出现硅片掉落，叠片等不良的产生，影响生产质量。另外，为了避免上述问题，实际生产过程中，现有技术一般设置进片室抽真空的速度尽量降低速，进片室腔体内达到工艺真空条件所需的时间很长，导致节拍延长，进片室成为镀膜设备的瓶颈工站。
技术实现思路
1、本实用新型提出了一种镀膜设备进片室装置，解决上述现有技术存在的技术问题。
2、根据本实用新型的一个方面，提供了一种镀膜设备进片室装置，其特征在于，包括：进片室腔室，在所述进片室腔室内设置至少一组布气盒组件，所述布气盒组件与载有硅片的载板具有一定间距，所述布气盒组件包括两个对称分布的布气盒，该两个对称分布的布气盒之间形成一定间隙，在所述间隙对应的进片室腔室底部设置第一通孔，在所述第一通孔两侧垂直于所述间隙的方向对称设置第二通孔与第三通孔，所述第一通孔大于所述第二通孔与第三通孔，所述第一通孔用于连接粗抽管道，所述第二通孔与第三通孔分别用于连接第一精抽管道与第二精抽管道，所述第一精抽管道与第二精抽管道的端口汇合连接至所述粗抽管道。
3、进一步地，所述粗抽管道安装粗抽蝶阀。
4、进一步地，所述第一精抽管道与第二精抽管道分别安装精抽蝶阀。
5、进一步地，所述粗抽管道的端口连接抽真空主管道。
6、进一步地，所述进片室腔室的侧部设置通槽。
7、进一步地，所述布气盒组件与载有硅片的载板的间距为20至25mm。
8、由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，采用本实用新型在抽真空时，真空管道组件向进片室腔室抽取的气流通过布气盒均匀分流，负压气流只能从布气盒组件的均布气孔中流出，载有硅片的载板和布气盒组件距离较近，只有20-25mm，进而通过布气盒组件与进气室底部的抽气组件之间，抽取进片腔内的空气，气流从进片腔布气盒与载板之间的间隙以及载板与分流组件之间的间隙形成负压，气流在进气腔内的流动缓和，气流的波动小，气流在待镀硅片两侧表面的流量及压力均匀，因此待镀基片两侧所受的气压接近，能够降低抽空过程中基片碎片、叠片、掉片的风险。另外，选用抽气组件的真空管道有两组，其中一组是直径较大，另一组直径偏小，通过软件控制真空管道的截止阀切换，先粗抽真空，后再精抽真空，可以快速实现进片室真空，以降低进气室内抽真空时间，提升进料节拍，消除瓶颈工站。
9、上述说明仅是本实用新型技术的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本实用新型的具体实施方式。
1.一种镀膜设备进片室装置，其特征在于，包括：进片室腔室，在所述进片室腔室内设置至少一组布气盒组件，所述布气盒组件与载有硅片的载板具有一定间距，所述布气盒组件包括两个对称分布的布气盒，该两个对称分布的布气盒之间形成一定间隙，在所述间隙对应的进片室腔室底部设置第一通孔，在所述第一通孔两侧垂直于所述间隙的方向对称设置第二通孔与第三通孔，所述第一通孔大于所述第二通孔与第三通孔，所述第一通孔用于连接粗抽管道，所述第二通孔与第三通孔分别用于连接第一精抽管道与第二精抽管道，所述第一精抽管道与第二精抽管道的端口汇合连接至所述粗抽管道。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备进片室装置，其特征在于，所述粗抽管道安装粗抽蝶阀。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备进片室装置，其特征在于，所述第一精抽管道与第二精抽管道分别安装精抽蝶阀。
4.根据权利要求1所述的镀膜设备进片室装置，其特征在于，所述粗抽管道的端口连接抽真空主管道。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备进片室装置，其特征在于，所述进片室腔室的侧部设置通槽。
6.根据权利要求1所述的镀膜设备进片室装置，其特征在于，所述布气盒组件与载有硅片的载板的间距为20至25mm。