本技术涉及一种磨抛液均匀下料引导装置，属于半导体衬底加工。
背景技术：
1、双面研磨抛光机是一种用于平面材料加工的机械设备，主要用于对各种材料表面进行研磨和抛光处理。它使用两个相对运动的研磨盘，通过旋转和研磨材料表面来实现加工效果。双面研磨抛光机起源于19世纪末的德国和美国，最初用于玻璃加工行业。随着工业技术的发展，该设备逐渐应用于更多的材料加工领域，如金属、陶瓷、石材、半导体等。它在精密加工领域中得到广泛应用，例如光学制造、电子元件制造、模具制造等。双面研磨抛光机的工作原理是通过安装在研磨盘上的研磨材料，配合适当的研磨液，使材料表面经过研磨盘的旋转和相互碰撞，进而获得平整度和光洁度更高的加工效果。它具有加工效率高、成品质量好、可靠性高等特点，可以实现精密度、平行度、表面粗糙度等要求较高的加工效果。
2、图1为现有技术中双面研磨抛光机的整体结构示意图，使用双面研磨抛光机1磨抛样品时，出液管2向磨抛液添加环槽3中添加磨抛液，磨抛液添加环槽3内有四个滴料孔31（参见图2），磨抛液从滴料孔31中流下，使磨抛盘上充满液体，研磨液中的磨料与衬底产生滑动摩擦达到磨抛效果。磨抛液由磨料、水和助磨剂按一定比例配制而成，磨料极易沉淀，因此槽内容易造成磨料堆积，使磨料浓度发生变化，影响磨抛效果。
技术实现思路
1、基于现有技术中存在的上述技术问题，本实用新型提供了一种磨抛液均匀下料引导装置，旨在解决双面研磨抛光机上磨抛液添加环槽内磨料堆积，且作用于衬底上的磨抛液不均匀的问题。
2、本实用新型提供的一种磨抛液均匀下料引导装置，包括底部、内挡板、外挡板以及凸起部；
3、所述内挡板和外挡板均为长方形，所述底部为圆环状，所述内挡板、外挡板以及底部一体成型为带底的圆环柱；所述内挡板内圆半径略大于磨抛液添加环槽内圆半径，所述外挡板外圆半径略小于磨抛液添加环槽外圆半径；
4、所述凸起部为立体结构，由高到低分为顶部、弧形斜面、尾部，所述凸起部的数量与磨抛液添加环槽上滴料孔的数量相同，所述相邻两个凸起部的尾部一体成型，并且在连接处设置尾部圆孔，所述凸起部与所述底部、内挡板、外挡板一体成型；
5、所述磨抛液均匀下料引导装置还包括与尾部圆孔连接的连通管道，所述连通管道的外圆半径略小于磨抛液添加环槽的滴料孔的半径，尾部圆孔的半径与连通管道的内圆半径相等。
6、优选地，所述磨抛液均匀下料引导装置的材质为聚四氟乙烯。
7、优选地，所述滴料孔为圆孔。
8、优选地，所述滴料孔的数量大于等于4个。
9、优选地，所述弧形斜面62的表面粗糙度ra≤0.8μm。
10、本实用新型的有益效果：
11、（1）利用弧形斜面的设计，使得滴料器中滴下的研磨抛光液能够沿着弧形斜面流向尾部，磨抛液添加环槽内不会大量堆积磨料，一方面提高了磨抛效率，另一方面不会因为堆积造成磨抛液浓度变化，提高了研磨盘上磨抛液的均匀性；
12、（2）磨抛液均匀下料引导装置一体成型，尾部的连通管道插入磨抛液添加环槽的滴料孔中，避免了研磨抛光液通过其他缝隙流入滴料孔造成污染和浪费；
13、（3）本实用新型提供的磨抛液均匀下料引导装置，可直接放置在磨抛液添加环槽内，便于直接取出清洗。
1.一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，包括：底部、内挡板（4）、外挡板（5）以及凸起部（6）；
2.根据权利要求1所述的一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，所述磨抛液均匀下料引导装置的材质为聚四氟乙烯。
3.根据权利要求1所述的一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，所述滴料孔（31）为圆孔。
4.根据权利要求1所述的一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，所述滴料孔（31）的数量大于等于4个。
5.根据权利要求1所述的一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，所述弧形斜面（62）的表面粗糙度ra≤0.8μm。
6.根据权利要求1所述的一种磨抛液均匀下料引导装置，其特征在于，所述连通管道（64）为圆筒形。