一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备及其检测方法与流程

本发明涉及晶体检测，具体涉及一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备及其检测方法。

背景技术：

1、在半导体碳化硅衬底行业，传统的晶片抛光方法为化学机械抛光，化学机械抛光机理：sic 晶片表面的材料去除是通过化学氧化和机械磨削作用相结合来实现的。在化学机械抛光过程中，晶片表面由于化学氧化而生成硬度较低的软化层，同时通过机械磨削作用，从而实现软化层的去除。

2、目前大直径碳化硅晶片在抛光之后，需要检测其表面光洁度是否合格，需要在抛光设备上设置一个检测机构，以保证我抛光后的合格率。

3、因此，研发一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备及其检测方法是很有必要的。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备及其检测方法。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，包括：

3、工作台、兆声发生器、抛光盘、定位套和检测组件，所述兆声发生器固定在所述工作台上，所述兆声发生器适于震荡抛光液；

4、所述定位套滑动设置在所述工作台上，所述定位套适于限位晶片；

5、所述抛光盘转动设置在所述工作台上，所述抛光盘适于与晶片上表面抵接；

6、所述检测组件可升降的设置在所述工作台上，且所述检测组件与所述定位套联动；

7、其中，抛光液注入工作台上后，兆声发生器适于震荡抛光液，使其均匀分布在晶片表面；

8、抛光结束后，定位套驱动晶片周向向检测组件移动，所述检测组件适于检测工件表面是否合格。

9、作为优选，所述工作台上沿周向设置有一围挡，所述围挡适于阻挡抛光液向四周流动；所述围挡的高大大于晶片的厚度。

10、作为优选，所述抛光盘上开设有一进液口，抛光液适于通过所述进液口持续流向所述工作台。

11、作为优选，所述工作台底壁开设有若干出液口，所述出液口沿所述工作台周向设置。

12、作为优选，所述检测组件包括：支撑杆、复位弹簧和检测件，所述检测件水平设置，支撑杆固定在所述检测件远离工作台轴心的一侧；

13、所述支撑杆竖直设置，且所述支撑杆可升降的设置在所述工作台上；

14、所述复位弹簧套设在所述支撑杆外壁，且所述复位弹簧的两端分别固定在支撑杆和工作台上；

15、其中，抛光盘向下移动至与晶片抵接时，抛光盘适于推动所述检测件，使其竖直向下移动。

16、作为优选，所述定位套下端对称开设有定位孔，所述工作台内升降设置有一与定位孔相适配的定位柱，所述定位柱向上移动适于插入定位孔内，以限位定位套。

17、作为优选，所述工作台上设置有一驱动件，所述驱动件外壁沿径向设置有若干驱动杆，一个驱动杆对应一个定位套，所述驱动杆适于推动所述定位套周向移动。

18、作为优选，所述工作台内底壁开设有一环槽，所述定位套下端固定有一凸块，所述凸块滑动设置在所述环槽内，驱动杆周向转动时，适于驱动所述定位套沿所述环槽周向转动。

19、作为优选，所述工作台内底壁对应所述检测件处开设有一椭圆槽，所述椭圆槽上铰接有一承载板，所述承载板的表面与工作台内底壁共面；

20、所述检测件对应所述承载板处设置有一第一斜面，所述定位套适于与所述第一斜面抵接；

21、其中，驱动杆驱动定位套周向转动至与第一斜面抵接时，所述定位套适于推动所述承载板以铰接点为轴向下翻转，以使晶片呈倾斜状。

22、作为优选，所述承载板远离所述铰接点的一端铰接有一翻料板；

23、所述检测件对应所述翻料板处设置有一第二斜面，所述定位套适于与所述第二斜面抵接；

24、其中，晶片检测不合格后，驱动杆驱动定位套反向转动，所述定位套与第二斜面抵接，以使所述翻料板向下翻转，晶片适于顺翻料板向下掉落。

25、作为优选，所述兆声发生器外部套设有一保护罩，所述保护罩为网状结构，所述保护罩能够保护内部的兆声发生器。

26、另一方面，本发明还提供了一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备的检测方法，包括如下步骤：

27、晶片依次放入定位套内，所述定位套适于限位晶片；

28、定位柱向上移动以限位定位套；

29、向工作台内输送抛光液，至抛光液的注入量漫过晶片的上表面；

30、兆声发生器工作以震动抛光液，以使抛光液中的粒径能够均匀分布在晶片表面，抛光盘向下移动并周向转动，所述抛光盘适于对晶片进行抛光；

31、在抛光时，通过进液口持续向工作台上输送抛光液，出液口持续向外输送抛光液，进液速度和出液速度一致，以使围挡内的抛光液保持恒定的量；

32、晶片抛光结束后，出液口将抛光液排空；

33、定位柱向下移动，定位柱与定位套脱离，驱动件驱动所述驱动杆周向转动，所述驱动杆适于驱动所述定位套，使其沿环槽移动；

34、定位套移动至检测件下方后，定位套适于与第一斜面抵接，所述定位套适于挤压所述承载板以铰接点为轴向下翻转，以使晶片呈倾斜状态，以沥干晶片表面的抛光液；

35、定位套带动晶片经过检测件下方时，所述检测件适于检测晶片表面抛光是否合格；

36、晶片抛光不合格后，驱动件反向转动，所述驱动杆适于驱动定位套反向转动；

37、定位套反向转动至与第二斜面抵接时，定位套适于挤压所述翻料板使其向下翻转，晶片适于自翻料板上向下掉落。

38、本发明的有益效果是，本发明的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，通过检测组件的设置，能够检测工件在打磨后光洁度是否合格，并且还能够快速沥干合格的晶片表面的抛光液，同时，也能够对于不合格的晶片进行剔除并回收处理，提高了工作效率。

39、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。

40、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

3.如权利要求2所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

4.如权利要求3所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

5.如权利要求4所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

6.如权利要求5所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

7.如权利要求6所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

8.如权利要求7所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

9.如权利要求8所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

10.如权利要求9所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

11.如权利要求10所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，其特征在于：

12.一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备的检测方法，其特征在于，使用如权利要求11所述的一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，包括如下步骤：

技术总结
本发明涉及晶体检测技术领域，具体涉及一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备及其检测方法；本发明提供了一种兆声辅助大直径碳化硅晶片检测设备，所述兆声发生器固定在所述工作台上，所述兆声发生器适于震荡抛光液；所述定位套滑动设置在所述工作台上，所述定位套适于限位晶片；所述抛光盘转动设置在所述工作台上，所述抛光盘适于与晶片上表面抵接；所述检测组件可升降的设置在所述工作台上，且所述检测组件与所述定位套联动；其中，抛光液注入工作台上后，兆声发生器适于震荡抛光液，使其均匀分布在晶片表面；抛光结束后，定位套驱动晶片周向向检测组件移动，所述检测组件适于检测工件表面是否合格。

技术研发人员：周頔,郑红军,张庆云,陆敏
受保护的技术使用者：常州臻晶半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17