一种有机dast晶体的表面研磨工艺方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；②按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨；③按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨；④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。本发明能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
【专利说明】
_种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及有机DAST晶体的表面处理方法，尤其是涉及一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。
【背景技术】
[0002]有机光学DAST晶体(即4-N，N-二甲胺基_4’ -N’ -甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐，英文名为4-N，N-dimethylamino_4’-N’-methyl_stilbazoIium tosylate)属于有机卩比啶盐类晶体，生长有机晶体一般采用溶液法进行。
[0003]DAST晶体是由阳离子基团(DAS)和阴离子基团(甲苯磺酸基)组成的离子晶体。在晶体生长过程中，晶体表面溶液过饱和度的波动会引起生长层的不一致，使得晶体表面呈现台阶形貌，直接影响晶体太赫兹发射性能。除此之外，由于受其他因素的影响，使得晶体表面不可避免地存在凹坑、位错等缺陷，当晶体表面存在缺陷、吸水或者晶体表面不平整时，会对光产生散射、折射和吸收，使得晶体的太赫兹发射效率低，失去了晶体的光学应用价值。
[0004]为了避免浪费，迫切需要对DAST晶体进行表面研磨处理，使晶体表面能够满足光学应用。
[0005]由于DAST晶体极易溶于有机溶剂和吸水的特性，传统的研磨液不能满足其研磨要求，因而迫切需要研制一项具有良好研磨效果的DAST表面研磨工艺。
【发明内容】
[0006]鉴于现有技术存在的问题和缺陷，本发明提供一种能够达到良好研磨效果的有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。
[0007]本发明采取的技术方案是:一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法，其特征在于:该研磨工艺其方法流程为:
第一步:在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，将DAST晶体表面磨平；
第二步:按体积比配制20%?80%乙酸乙酯和20%?80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨，以去除晶体表面不平整缺陷；
第三步:按体积比配制55%?85%乙酸乙酯和15%?45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨，以去除研磨时的划痕，降低晶体表面粗糙度；
第四步:将DAST晶体置于分析纯的乙酸乙酯溶液中清洗，将晶体表面残留的研磨液和其它残留物清洗干净；
第五步:将DAST晶体置于50 0C?80 °C温度条件下，真空干燥5min?15min。
[0008]本发明的有益效果是:能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
【具体实施方式】
[0009]以下结合实施例对本发明进行详细说明ο
[0010]实施例1:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0011 ] ⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0012]实施例2:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0013]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0014]实施例3:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0015]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0016]实施例4:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0017]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0018]实施例5:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨； ②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0019]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0020]实施例6:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0021 ] ⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0022]实施例7:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0023]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0024]实施例8:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0025]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0026]实施例9:有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下:
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65°C温度条件下，将DAST晶体真空干燥1min。
[0027]⑥以上实验均在室温25°C ±5°C，湿度20%?30%条件下进行。
[0028]通过以上实施例，在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液和按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行二步研磨后，将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗，最后在65°C温度条件下，真空干燥lOmin。经检测，有机DAST晶体表面粗糙度可达到微米级，能够达到光学测试和太赫兹发射测试标准，因而，实施例4的研磨效果最佳，为本发明最佳实施例。
【主权项】
1.一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法，其特征在于:该研磨工艺其方法流程为: 第一步:在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，将DAST晶体表面磨平； 第二步:按体积比配制20%?80%乙酸乙酯和20%?80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨，以去除晶体表面不平整缺陷； 第三步:按体积比配制55%?85%乙酸乙酯和15%?45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨，以去除研磨时的划痕，降低晶体表面粗糙度；第四步:将DAST晶体置于分析纯的乙酸乙酯溶液中清洗，将晶体表面残留的研磨液和其它残留物清洗干净； 第五步:将DAST晶体置于50°C?80°C温度条件下，真空干燥5min?15min。
【文档编号】B24B1/00GK106002498SQ201610618672
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年8月1日
【发明人】武聪, 孟大磊, 庞子博, 徐永宽, 于其凯, 徐世海, 洪颖, 程红娟, 王丽婧
【申请人】中国电子科技集团公司第四十六研究所