pct国内申请，说明书已公开。
技术特征：技术总结本发明公开了一种VB族元素掺杂β‑氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该系列掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的M2O5和Ga2O3按照摩尔比(0.000000001‑0.01):(0.999999999‑0.99)混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
技术研发人员：夏长泰;赛青林;周威;齐红基
受保护的技术使用者：中国科学院上海光学精密机械研究所
技术研发日：2018.01.24
技术公布日：2019.10.11