一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置的制作方法

本实用新型涉及一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置。

背景技术：

铌酸锂（ln）晶体是一种多功能单晶，具有优良的压电、电光、非线性光学等性能，因此作为重要的技术晶体材料，ln已被广泛应用在国防、军事、科研等一系列高科技技术领域，同时在民用工业上也有大量的应用。

铌酸锂（ln）晶体生长过程中，特别是引种、扩肩过程容易生长杂晶，因此需要时时观察其生长过程，便于及时发现问题，对应采取调整措施。目前，对铌酸锂晶体生长的观察是人眼通过晶体炉观察窗直接对晶体生长进行人工观察，对操作人员的视力和技能要求很高，不容易发现细小杂晶，造成晶体次品。

技术实现要素：

本实用新型涉及一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置，解决了现有铌酸锂晶体生长的观察是人眼通过观察窗直接对晶体生长进行人工观察，对操作人员的视力和技能要求很高，且不容易发现细小杂晶，易造成晶体次品的问题。

为实现上述目的而采取的技术方案是，一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置，包括用于生长铌酸锂晶体的生长炉，所述生长炉的一侧设有观察窗，观察窗的一侧设有成像装置，成像装置经三维固定架固定在生长炉上，所述成像装置包括连接有显示屏的ccd摄像头，ccd摄像头的前端安装有变焦广角镜头，ccd摄像头还与手机终端无线连接。

有益效果

与现有技术相比本实用新型具有以下优点。

本实用新型的优点是，用高清成像设备代替传统的人工观察，并显示出来，既解决了人工观察的操作不便，提高了工作效率，又可将之前因人眼本身的局限未能及时发现的异常生长情况反馈出来，提高观察准确性，并及时对生长状况进行调整，同时也可实现手机终端远程监视，且具有结构简单，可操作性强的特点。

附图说明

以下结合附图对本实用新型作进一步详述。

图1为本实用新型的结构示意图；

图中所示：1、成像装置，2、生长炉，3、铌酸锂晶体，4、观察窗，5、三维固定架，6、变焦广角镜头，7、显示屏，8、ccd摄像头，9、手机终端。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本实用新型进行进一步的详细说明。

该装置包括用于生长铌酸锂晶体3的生长炉2，如图1所示，所述生长炉2的一侧设有观察窗4，观察窗4的一侧设有成像装置1，成像装置1经三维固定架5固定在生长炉2上，所述成像装置1包括连接有显示屏7的ccd摄像头8，ccd摄像头8的前端安装有变焦广角镜头6，ccd摄像头8还与手机终端9无线连接。

本实用新型中，所述成像装置1经过三维固定架5安装在

生长炉2上，并且对生长炉2上的观察窗4固定；所述成像装置1包含有带wifi功能的ccd摄像头8，ccd摄像头8输出的视频信号通过无线连接到手机终端9，ccd摄像头8的前端连接有变焦广角镜头6，ccd摄像头8上还连接有显示屏7。

本实用新型在具体实施时，将三维固定架5固定安装生长炉2的侧壁上，再在三维固定架5上安装带wifi功能的ccd摄像头，ccd摄像头有wifi无线输出功能，能够实现与手机终端9的远程连接和监视；ccd成摄像头上还设有视频输出插口通过视频线连接到高清的显示屏7，可实现现场监控晶体的生长，ccd摄像头8的前端设有可变焦的变焦广角镜头6，变焦广角镜头6对准晶体生长炉3的观察窗4固定；所述ccd摄像头采用1200线高清摄像头，可变焦广角镜头6的技术参数为af70-300mm。

本实用新型将传统人工观察替换为高清成像设备观察，并显示出来，既解决了人工观察导致的操作不便，提高了工作效率，又可将之前因人眼本身的局限未能及时发现的异常生长情况反馈出来，提高观察准确性，并及时对生长状况进行调整，同时也可实现手机终端远程监视，具有结构简单，可操作性强的特点。

技术特征：

1.一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置，包括用于生长铌酸锂晶体（3）的生长炉（2），其特征在于，所述生长炉（2）的一侧设有观察窗（4），观察窗（4）的一侧设有成像装置（1），成像装置（1）经三维固定架（5）固定在生长炉（2）上，所述成像装置（1）包括连接有显示屏（7）的ccd摄像头（8），ccd摄像头（8）的前端安装有变焦广角镜头（6），ccd摄像头（8）还与手机终端（9）无线连接。

技术总结
一种用于铌酸锂晶体生长的观察装置，包括用于生长铌酸锂晶体的生长炉，所述生长炉的一侧设有观察窗，观察窗的一侧设有成像装置，成像装置经三维固定架固定在生长炉上，所述成像装置包括连接有显示屏的CCD摄像头，CCD摄像头的前端安装有变焦广角镜头，CCD摄像头还与手机终端无线连接。该装置将传统人工观察代替为高清成像设备通过显示系统显示出来，既解决了人工观察导致的操作不便，提高了工作效率，又可将之前因人眼本身的局限未能及时发现的异常生长情况反馈出来，提高观察准确性，并及时对生长状况进行调整，同时也可实现手机终端远程监视。

技术研发人员：夏钰坤;夏宗仁
受保护的技术使用者：江西匀晶光电技术有限公司
技术研发日：2020.07.21
技术公布日：2021.07.20