气相沉积平台的制作方法

本实用新型涉及mocvd设备技术领域，尤其涉及一种针对水平式mocvd设备上的气相沉积平台。

背景技术：

mocvd(金属有机源化学气相沉积设备)，是一种在高温腔体内利用气相源进行化合物沉积的设备。技术要点为将衬底(蓝宝石、硅片等基板)放置于石墨盘上，在一定温度和压力下，通入化学元素周期表iii/v族气体，iii/v族气体会在衬底表面合成化合物，该化合物会沿衬底晶相沉积(俗称外延生长)。

目前水平式mocvd设备上的气相沉积平台所使用的石英天花板表面比较光滑，外延生长过程中化合物不容易沉积上去，即便沉积上去了，所形成的沉积物也不是很牢固，在后续的生长过程中，陆续会有些颗粒物会掉在衬底表面(此颗粒会影响产品光电性能)，所以，一般来说，每生长5炉，就要把石英天花板拆下来进行清洗。然而，如此频繁的更换石英天花板，其一，石英天花板容易破损，其二，生长工艺参数难以稳定维持，所以，亟待将此石英天花板的寿命加长。

技术实现要素：

为克服上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种气相沉积平台，将石英天花板表面做粗化处理，增加石英表面粗糙度，有利于化合物沉积，有利于沉积的化合物更加牢固。

为了达到以上目的，本实用新型采用的技术方案是：一种气相沉积平台，包括不锈钢平台，所述不锈钢平台上设置有安装柱，所述安装柱上设有石英天花板，所述安装柱的端部设有将石英天花板卡固的卡环；所述石英天花板上设有晶相沉积的、增加表面粗糙度的喷砂层。

进一步来说，所述喷砂层的粗糙度为2.5～4um，此时石英天花板的更换周期为12炉。

进一步来说，所述喷砂层的粗糙度为4～6um，此时石英天花板的更换周期为18炉。

进一步来说，所述喷砂层的粗糙度为6～8um，此时石英天花板的更换周期为35炉。

由此可见，粗糙度从小到大，此更换周期随粗糙度变大而变长。有效的大幅度提高更换周期，更经济，最主要的是工艺条件稳定。8um以上的石英天花板没有进行测试，是因为喷砂后石英天花板破损率过高。

与现有技术相比，本实用新型通过喷砂层的设计来增强晶相沉积时的粗糙度，延长石英天花板的更换周期时间，喷砂层上沉积的化合物更加牢固，降低成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

图中：

1－不锈钢平台；11－安装柱；2－石英天花板；3－卡环；4－喷砂层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

实施例

参见附图1所示，本实施例中的一种气相沉积平台，包括不锈钢平台1，所述不锈钢平台1上设置有安装柱11，所述安装柱11上设有石英天花板2，所述安装柱11的端部设有将石英天花板2卡固的卡环3。上述结构与现有的气相沉积平台一样，不同之处在于

本技术：
文件中在石英天花板2上设有晶相沉积的、增加表面粗糙度的喷砂层4。

试验1

当喷砂层的表面粗糙度为2.5～4um，在实际使用过程中石英天花板可以连续使用12炉，即石英天花板的更换周期为12炉。

试验2

当喷砂层的表面粗糙度为4～6um，在实际使用过程中石英天花板可以连续使用12炉，即石英天花板的更换周期为18炉。

试验3

当喷砂层的表面粗糙度为6～8um，在实际使用过程中石英天花板可以连续使用12炉，即石英天花板的更换周期为35炉。

由此可见，粗糙度从小到大，此更换周期随粗糙度变大而变长。有效的大幅度提高更换周期，更经济，最主要的是工艺条件稳定。8um以上的石英天花板没有进行测试，是因为喷砂后石英天花板破损率过高。

以上实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

技术特征：

1.一种气相沉积平台，包括不锈钢平台，所述不锈钢平台上设置有安装柱，所述安装柱上设有石英天花板，所述安装柱的端部设有将石英天花板卡固的卡环；其特征在于：所述石英天花板上设有晶相沉积的、增加表面粗糙度的喷砂层。

2.根据权利要求1所述的气相沉积平台，其特征在于：所述喷砂层的粗糙度为2.5～4um。

3.根据权利要求1所述的气相沉积平台，其特征在于：所述喷砂层的粗糙度为4～6um。

4.根据权利要求1所述的气相沉积平台，其特征在于：所述喷砂层的粗糙度为6～8um。

技术总结
本实用新型公开了一种气相沉积平台，包括不锈钢平台，所述不锈钢平台上设置有安装柱，所述安装柱上设有石英天花板，所述安装柱的端部设有将石英天花板卡固的卡环；所述石英天花板上设有晶相沉积的、增加表面粗糙度的喷砂层。通过喷砂层的设计来增强晶相沉积时的粗糙度，延长石英天花板的更换周期时间，喷砂层上沉积的化合物更加牢固，降低成本。

技术研发人员：孙飞
受保护的技术使用者：苏州尚勤光电科技有限公司
技术研发日：2020.10.29
技术公布日：2021.06.29