一种单晶炉漏硅后快速引流装置的制作方法

本实用新型涉及光伏制造技术领域，特别涉及一种单晶炉漏硅后快速引流装置。

背景技术：

在直拉法单晶中，会存在漏硅等异常事故的发生，缓慢的漏硅，能及时发现并处理，损失不大；严重的漏硅，由于突发，硅液迅速流到炉内，与通有冷水的不锈钢锅炉底部接触，严重融穿通有冷却水的不锈钢炉底，导致冷却水瞬间气化，由于炉内密闭空间，产生的气体不能外泄，可能造成爆炸，造成巨大事故发生。

因此，如何避免出现漏硅导致的硅溶液融穿锅炉炉底的情况，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种单晶炉漏硅后快速引流装置，将漏硅流出的硅溶液引流至真空空腔，使硅熔液不聚集到通有冷却水的单晶炉内，降低了爆炸风险。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，所述竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，所述竖直通道的底端与所述溢流槽连通，所述上盖安装于所述溢流槽上端面，且所述溢流槽内为真空腔。

优选地，所述竖直通道为单层不锈钢管道。

优选地，所述竖直通道的厚度为3～5mm。

优选地，所述竖直通道内设置有石墨套筒。

优选地，所述溢流槽为单层不锈钢立方体槽。

优选地，所述溢流槽的厚度为3～5mm。

优选地，所述溢流槽内设置有石墨板或氧化铝式溢流棉层。

优选地，所述上盖与所述溢流槽连接处设置有密封垫圈。

本实用新型所提供的单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。

本技术：
公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，每个排气管道接一个竖直通道，单晶炉共有两个排气管道，每个竖直通道下面接一个溢流槽，共两个溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，溢流槽内为真空环境，不影响单晶炉的真空，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使漏硅后的硅熔液快速流入溢流槽内，并不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，溢流槽存储的硅溶液经过一段时间冷却，可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型所提供的一种具体实施方式的整体结构示意图。

其中，图1中：

竖直通道—1，溢流槽—2，上盖—3，石墨套筒—4。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图1，图1为本实用新型所提供的一种具体实施方式的整体结构示意图。

在本实用新型所提供的一种具体实施方式中，主要包括竖直通道1、溢流槽2和上盖3，竖直通道1的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道1的底端与溢流槽2连通，上盖3安装于溢流槽2上端面，且溢流槽2内为真空腔。

其中，竖直通道1的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道1的底端与溢流槽2连通，竖直通道1用于将泄漏的硅溶液引流至溢流槽2，上盖3安装于溢流槽2上端面，且溢流槽2内为真空腔，溢流槽2用于存储竖直通道1引流下来的硅溶液。

具体的，在实际的应用过程当中，在单晶炉炉底外围安装溢流槽2，每个排气管道接一个竖直通道1，单晶炉共有两个排气管道，每个竖直通道1下面接一个溢流槽2，共两个溢流槽2，溢流槽2与整个炉体连接，溢流槽2内为真空环境，不影响单晶炉的真空，当发生漏硅现象时，竖直通道1将硅溶液引流至溢流槽2，使漏硅后的硅熔液快速流入溢流槽2内，并不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，溢流槽2存储的硅溶液经过一段时间冷却，可从上盖3处打开溢流槽2，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。

为了防止竖直通道1在引流硅溶液时融穿竖直通道1，竖直通道1为单层不锈钢管道，且竖直通道1内设置有石墨套筒4，竖直通道1为单层不锈钢材质，单层不通冷却水，厚度3-5mm，内塞石墨套筒4，防止竖直通道1在溢流硅溶液时融穿竖直通道1，竖直通道1的厚度设置为3-5mm，经过试验，竖直通道1的厚度以优良的隔热效果为准，防止温度传递，保证炉内温度稳定。

同样地，溢流槽2为单层不锈钢立方体槽，溢流槽2的厚度为3～5mm，溢流槽2内设置有石墨板或氧化铝式溢流棉层。溢流槽2为不锈钢材质，单层，厚度3-5mm，大小为立方体，长宽高为500mm，每个溢流槽2内承重硅熔液500kg，溢流槽2内安装石墨板或氧化铝式溢流棉层，目的是兜住熔硅且不融穿不锈钢溢流槽2，保证硅溶液不影响溢流槽2的不锈钢材质效果下，可以最大限度地承重硅溶液。

需要说明的是，上盖3与溢流槽2连接处设置有密封垫圈。溢流槽2上表面安装有上盖3，上盖3可打开，上盖3与溢流槽2之间以密封垫密封，保证不漏气，不影响抽真空，溢流槽2接收到硅熔液后，硅熔液经过一段时间冷却，可从上盖3处打开溢流槽2，取出里面凝固的硅熔液，再继续安装使用。

综上所述，本实施例所提供的单晶炉漏硅后快速引流装置主要包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，每个排气管道接一个竖直通道，单晶炉共有两个排气管道，每个竖直通道下面接一个溢流槽，共两个溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，溢流槽内为真空环境，不影响单晶炉的真空，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使漏硅后的硅熔液快速流入溢流槽内，并不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，溢流槽存储的硅溶液经过一段时间冷却，可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：

1.一种单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，包括竖直通道(1)、溢流槽(2)和上盖(3)，所述竖直通道(1)的顶端与单晶炉炉底连通，所述竖直通道(1)的底端与所述溢流槽(2)连通，所述上盖(3)安装于所述溢流槽(2)上端面，且所述溢流槽(2)内为真空腔。

2.根据权利要求1所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述竖直通道(1)为单层不锈钢管道。

3.根据权利要求2所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述竖直通道(1)的厚度为3～5mm。

4.根据权利要求3所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述竖直通道(1)内设置有石墨套筒(4)。

5.根据权利要求1所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述溢流槽(2)为单层不锈钢立方体槽。

6.根据权利要求5所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述溢流槽(2)的厚度为3～5mm。

7.根据权利要求6所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述溢流槽(2)内设置有石墨板或氧化铝式溢流棉层。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，所述上盖(3)与所述溢流槽(2)连接处设置有密封垫圈。

技术总结
本实用新型公开一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，排气管道接竖直通道，竖直通道下面接溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽内，不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水泄漏瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，且可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。

技术研发人员：马腾飞;汪奇;龙昭钦;宋丽平
受保护的技术使用者：四川晶科能源有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021.08.31