氧化锆颗粒及氧化锆颗粒的制造方法与流程

本发明涉及氧化锆颗粒及氧化锆颗粒的制造方法。

背景技术：

1、锆氧化物(即氧化锆)由于其如耐磨性和高韧性等机械强度，以及化学稳定性、隔热性、耐热性和高折射率而具有许多应用，并用于广泛的领域，如颜料、油漆、涂料、磨料、电子材料、隔热材料、光学材料、化妆品、装饰品、生物材料和催化剂。

2、例如，ptl 1公开了氧化锆系氧化物粉末的制造方法。该方法包括：步骤(a)湿磨含有锆水合物的含水浆料；步骤(b)将冲击波施加到湿磨过的浆料上以干燥浆料；以及步骤(c)烧制干燥材料。

3、ptl 2公开了一种陶瓷粉末的制造方法。该方法包括：制备含有均匀分散在氢氧化锆中的氧化钇细粉或钇盐的复合物；在1100℃至1400℃的温度范围内加热该复合物以形成氧化锆；以及研磨氧化锆以生产陶瓷粉末。

4、[引文列表]

5、[专利文献]

6、[ptl 1]

7、日本未审查专利申请公开no.2007-106635

8、[ptl 2]

9、日本未审查专利申请公开no.2013-075825

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、ptl 1和ptl 2中公开的氧化锆颗粒的制造方法的前提是通过向含有锆水合物的含水浆料中加入不同的金属如氧化钇来控制颗粒的性质。

3、然而，这两种方法既没有考虑水解和缩合行为，也没有稳定地控制颗粒形状。

4、本发明的目的是提供具有稳定可控形状的氧化锆颗粒以及氧化锆颗粒的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本发明包括以下实施方案。

7、[1]一种氧化锆颗粒，其含有钼并且各自具有多面体形状。

8、[2]如[1]中所述的氧化锆颗粒，其中所述钼不均匀地分布在所述氧化锆颗粒的表层中。

9、[3]如[1]或[2]中所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的[11-1]面晶粒尺寸为90nm以上。

10、[4]如[1]至[3]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过激光衍射/散射法计算的中值直径d50为0.1至1000μm。

11、[5]如[1]至[4]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于氧化锆颗粒100质量％的zro2含量(z1)为90.0至99.9质量％，并且所述氧化锆颗粒的通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于氧化锆颗粒100质量％的moo3含量(m1)为0.1至5.0质量％。

12、[6]如[1]至[5]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于所述氧化锆颗粒的表层100质量％的zro2含量(z2)为35.0至98.0质量％，并且通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于所述氧化锆颗粒的表层100质量％的moo3含量(m2)为2.0至40.0质量％。

13、[7]如[1]至[6]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于氧化锆颗粒的表层100质量％的moo3含量(m2)与通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于氧化锆颗粒100质量％的moo3含量(m1)的表面不均匀分布比(m2/m1)为2至80。

14、[8]如[1]至[7]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过ζ电位测量确定的电位为0时的等电点的ph为2.0至6.5。

15、[9]如[1]至[8]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过bet法确定的比表面积为20m2/g以下。

16、[10]如[1]至[9]中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的[111]面晶粒尺寸为90nm以上。

17、[11]一种如[1]至[10]中任一项所述的氧化锆颗粒的制造方法，所述方法包括：

18、混合锆化合物和钼化合物以形成混合物；以及

19、烧制所述混合物。

20、[12]如[11]所述的氧化锆颗粒的制造方法，其中所述钼化合物是三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾或钼酸钠。

21、[13]如[11]或[12]所述的氧化锆颗粒的制造方法，其中烧制所述混合物的最高烧制温度为800℃至1600℃。

22、发明的效果

23、本发明可以提供具有稳定可控形状的氧化锆颗粒以及氧化锆颗粒的制造方法。

技术特征：

1.一种氧化锆颗粒，其含有钼且各自具有多面体形状。

2.根据权利要求1所述的氧化锆颗粒，其中所述钼不均匀地分布在所述氧化锆颗粒的表层中。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的[11-1]面晶粒尺寸为90nm以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过激光衍射/散射法计算的中值直径d50为0.1至1000μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于所述氧化锆颗粒100质量％的zro2含量(z1)为90.0至99.9质量％，并且通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于所述氧化锆颗粒100质量％的moo3含量(m1)为0.1至5.0质量％。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于所述氧化锆颗粒的表层100质量％的zro2含量(z2)为35.0至98.0质量％，并且通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于所述氧化锆颗粒的表层100质量％的moo3含量(m2)为2.0至40.0质量％。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的氧化锆颗粒，其中通过所述氧化锆颗粒的xps表面分析确定的相对于所述氧化锆颗粒的表层100质量％的moo3含量(m2)与通过所述氧化锆颗粒的xrf分析确定的相对于所述氧化锆颗粒100质量％的moo3含量(m1)的表面不均匀分布比(m2/m1)为2至80。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的通过ζ电位测量确定的电位为0时的等电点的ph为2.0至6.5。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒通过bet法确定的比表面积为20m2/g以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的氧化锆颗粒，其中所述氧化锆颗粒的[111]面晶粒尺寸为90nm以上。

11.一种根据权利要求1至10中任一项所述的氧化锆颗粒的制造方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的氧化锆颗粒的制造方法，其中所述钼化合物是三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾或钼酸钠。

13.根据权利要求11或12所述的氧化锆颗粒的制造方法，其中烧制所述混合物的最高烧制温度为800℃至1600℃。

技术总结
本发明涉及含有钼并且各自具有多面体形状的氧化锆颗粒。钼优选不均匀地分布在氧化锆颗粒的表层中。本发明还涉及氧化锆颗粒的制造方法。该方法包括混合锆化合物和钼化合物以形成混合物并且烧制该混合物。

技术研发人员：杨少伟,田渊穣,袁建军,刘丞,李萌,赵伟,郭健
受保护的技术使用者：DIC株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15