一种去除氯化氢中二氧化碳的方法与流程

本发明涉及氯化氢加工，具体来说，涉及一种去除氯化氢中二氧化碳的方法。

背景技术：

1、电子级高纯氯化氢是集成电路生产中硅片蚀刻、钝化、外延、气相抛光、吸杂和洁净处理等工艺的重要材料, 也可用于金属冶炼，光导通讯和科学研究等领域。随着大规模集成电路的发展，对氯化氢纯度的要求越来越高，除了应具有99.999%以上的纯度，对其中杂质的含量要求越来越苛刻，尤其要求严格限制碳氢化合物和碳氧化合物的含量，以防止硅片加工过程中c的形成。过去我国大多从美、日等国进口电子级氯化氢，但近年来，我国电子工业所需的化学气体的研制，在技术上已有不少突破和发展。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本发明提出一种去除氯化氢中二氧化碳的方法，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

2、本发明的技术方案是这样实现的：

3、根据本发明的一个方面，提供了一种去除氯化氢中二氧化碳的方法。

4、该去除氯化氢中二氧化碳的方法，包括以下步骤：

5、步骤一：氯化氢经过滤压缩后，进入装有饱和nacl溶液的一级反应塔的底部进入，一级反应塔内的饱和nacl溶液与接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和nacl溶液中；

6、步骤二：经过一次二氧化碳过滤的氯化氢，进入装有饱和nacl溶液的二级反应塔的底部进入，二级反应塔内的饱和nacl溶液与接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和nacl溶液中；

7、步骤三：然后，经过二次过滤的氯化氢会进入装有干燥剂的一级干燥塔底部，经吸附脱除大部分水分后从塔顶出来经深度脱水；

8、步骤四：然后，进入到二级干燥塔底部，脱除微量 水分后从塔顶出来，脱除后氯化氢中的水分含量小于0.5ppm；

9、步骤五：然后从装有吸附剂的吸附塔5底部进入，吸附脱除二氧化碳和极微量水分后从塔顶出来，吸附后二氧化碳含量小于2ppm。

10、其中，所述步骤三、所述步骤四两者中的干燥剂以及所述步骤五中吸附剂三者均为沸石分子筛。

11、其中，所述步骤三与所述步骤四两者中的所述干燥剂均为13x沸石分子筛，所述步骤五中所述吸附剂为ssz-13沸石分子筛。

12、其中，所述步骤三和所述步骤四两者中的干燥剂以及所述步骤五中吸附剂三者均经过200℃高温氯气处理两个小时。

13、其中，所述步骤一中氯化氢经过滤压缩后，在0.3-0.6mpa的压力和常温下，以1-5m3/h的流量进入一级反应塔。

14、有益效果：

15、本发明中的氯化氢与一级反应塔以及二级反应塔两者内部的饱和nacl溶液接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和nacl溶液中；

16、本发明所使用的干燥剂及吸附剂都经过200℃高温氯气处理2小时，处理后粉尘率减少，强度增强，能满足干燥及吸附要求；

17、吸附剂可采用5a、13x、ssz-13沸石分子筛等吸附剂，优选ssz-13沸石分子筛，ssz-13对二氧化碳吸附性能良好，易再生；

18、本发明的干燥剂可以用3a、5a、13x等型号沸石分子筛，优选13x分子筛干燥剂，此干燥剂不与氯化氢发生反应，吸水能力大，并具备足够的强度，且不会给氯化氢气体带入金属离子和粉尘，易再生；

19、根据不同原料产品的含水量和产品纯度要求，可设置多级物理干燥，充分脱除原料中的水分。

技术特征：

1.一种去除氯化氢中二氧化碳的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的去除氯化氢中二氧化碳的方法，特征在于，所述步骤三、所述步骤四两者中的干燥剂以及所述步骤五中吸附剂三者均为沸石分子筛。

3.根据权利要求2所述的去除氯化氢中二氧化碳的方法，特征在于，所述步骤三与所述步骤四两者中的所述干燥剂均为13x沸石分子筛，所述步骤五中所述吸附剂为ssz-13沸石分子筛。

4.根据权利要求3所述的去除氯化氢中二氧化碳的方法，特征在于，所述步骤三和所述步骤四两者中的干燥剂以及所述步骤五中吸附剂三者均经过200℃高温氯气处理两个小时。

5.根据权利要求4所述的去除氯化氢中二氧化碳的方法，特征在于，所述步骤一中氯化氢经过滤压缩后，在0.3-0.6mpa的压力和常温下，以1-5m 3/h的流量进入一级反应塔。

技术总结
本发明公开了一种去除氯化氢中二氧化碳的方法，该去除氯化氢中二氧化碳的方法，包括以下步骤：步骤一：氯化氢经过滤压缩后，进入装有饱和NaCL溶液的一级反应塔的底部进入，一级反应塔内的饱和NaCL溶液与接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和NaCL溶液中；步骤二：经过一次二氧化碳过滤的氯化氢，进入装有饱和NaCL溶液的二级反应塔的底部进入，二级反应塔内的饱和NaCL溶液与接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和NaCL溶液中；步骤三。本发明中的氯化氢与一级反应塔以及二级反应塔两者内部的饱和NaCL溶液接触，由于氯离子在溶液中饱和，氯化氢不能再溶，而二氧化碳则融入饱和NaCL溶液中。

技术研发人员：李飞明,栗鹏伟,孙芳,邹小英,王睿燕
受保护的技术使用者：浙江瑞亨电子材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12