一种晶体制备装置的制作方法

本说明书涉及晶体制备，特别涉及一种晶体制备装置。

背景技术：

1、随着科学技术的发展，部分高端器件及科研需求对晶体的质量要求越来越高。在晶体生长过程中，温场、温度梯度等因素直接影响晶体的质量。因此，有必要提供一种改进的晶体制备装置，以方便晶体生长过程中温场、温度梯度等的实时精确调控。

技术实现思路

1、本说明书实施例之一提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热所述原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节所述激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。

2、在一些实施例中，所述腔体包括冷却结构，所述冷却结构包括进口、出口和冷却通道。

3、在一些实施例中，所述激光加热组件包括至少两个激光发射单元，安装于所述腔体上方的炉盖上。

4、在一些实施例中，所述至少两个激光发射单元沿所述炉盖周向分布，形成至少一个环形形状。

5、在一些实施例中，最外侧环形形状的半径与所述腔体半径的差值在50mm-500mm范围内。

6、在一些实施例中，最内侧环形形状的半径在25mm-300mm范围内。

7、在一些实施例中，相邻环形形状的间距在5mm-200mm范围内。

8、在一些实施例中，所述激光加热组件的加热参数包括工作功率、激光光束的形状或激光光束的尺寸中的至少一个。

9、在一些实施例中，所述晶体制备装置还包括测温组件，测量与所述原料或所述腔体相关的温度信息，所述控制组件还基于所述温度信息实时调节所述激光加热组件的加热参数。

10、在一些实施例中，所述控制组件还基于所述温度信息进行模拟建模，基于模拟结果实时调节所述激光加热组件的加热参数。

技术特征：

1.一种晶体制备装置，其特征在于，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述腔体包括冷却结构，所述冷却结构包括进口、出口和冷却通道。

3.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述激光加热组件包括至少两个激光发射单元，安装于所述腔体上方的炉盖上。

4.根据权利要求3所述的晶体制备装置，其特征在于，所述至少两个激光发射单元沿所述炉盖周向分布，形成至少一个环形形状。

5.根据权利要求4所述的晶体制备装置，其特征在于，最外侧环形形状的半径与所述腔体半径的差值在50mm-500mm范围内。

6.根据权利要求4所述的晶体制备装置，其特征在于，最内侧环形形状的半径在25mm-300mm范围内。

7.根据权利要求4所述的晶体制备装置，其特征在于，相邻环形形状间的间距在5mm-200mm范围内。

8.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述激光加热组件的加热参数包括工作功率、激光光束的形状或激光光束的尺寸中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的晶体制备装置，其特征在于，所述控制组件还基于所述温度信息进行模拟建模，基于模拟结果实时调节所述激光加热组件的加热参数。

技术总结
本说明书实施例提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。

技术研发人员：王宇,官伟明
受保护的技术使用者：眉山博雅新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11