一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉的制作方法

本发明涉及石英制备，具体地涉及一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉。

背景技术：

1、现有技术中，脱羟石英玻璃用的脱羟炉只具备脱光源级别产品及太阳能级别产品的能力。其炉体真空性能，脱羟后产品纯度情况及恒温均匀性均达不到脱羟高端半导体产品要求。特别是针对现阶段的大尺寸的半导体产品，现有的脱羟炉无法满足要求。

技术实现思路

1、为解决上述提出的技术问题，本发明提供了一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉，通过对设备的炉内材质、结构、加热系统、冷却系统及真空系统的改进，增加了炉内空间，达到脱羟大直径半导体石英玻璃的能力要求，在半导体领域能够更快更好的发展，起到基础作用，同时改进后的脱羟炉更加节能，使用更加便捷，性能更加稳定。

2、本发明提供了一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉，包括；炉体，设有炉壁、与炉壁一体成型的炉底和可推拉的炉门；料盘，滑动设于炉体内部，与炉门下部固定连接；其中，料盘用于放置半导体石英玻璃；炉壁内侧间隔安装多组加热带，用于提供石英玻璃脱羟的高温环境；炉体与冷却组件连接，用于对炉体内部温度的循环冷却；炉体与真空系统连接，用于提供石英玻璃脱羟的真空环境。

3、进一步的，炉壁内侧均匀设置加热区域；加热带安装于加热区域，用于加热炉内温度且保持不同加热区域之间的温差≤5℃。

4、进一步的，加热带通过石墨电极进行供电，石墨电极贯穿炉壁与加热带连接。

5、进一步的，炉体设有保温风门，分为出风保温风门和进风保温风门；冷却组件包括风机和与风机连接的热交换器，用于炉体内部温度的循环冷却；其中，热交换器的出风口通过保温管道与进风保温风门连接，热交换器的进风口通过输气管道与出风保温风门连接。

6、进一步的，真空系统包括分子增压泵、直联旋片泵和罗茨泵，通过传递式抽真空维持炉体内部的真空度达到10-4pa-10-5pa。

7、进一步的，炉门设有锁紧装置，与炉壁端面配合，实现对炉体的封闭。

8、进一步的，炉壁底部设有滑轨，与设于料盘底部的滑轮滑动配合，实现料盘滑动进出炉体。

9、进一步的，炉门外侧设有驱动装置，驱动装置电性连接滑轮，驱动滑轮带动炉门及料盘滑动。

10、进一步的，炉体外侧设有与料盘底部配合的可伸缩的支撑装置；支撑装置的顶板设有与滑轮配合的轨道，顶板下方设有可伸缩的支撑柱，用于对滑出的料盘进行支撑。

11、进一步的，炉壁内部为高纯石墨内胆，石墨的灰分≤20ppm。

12、采用本脱羟炉具有以下技术效果：

13、密闭的炉体保证了半导体石英玻璃制品能在一个密封洁净的环境中进行脱羟，内层高纯石墨的使用保证了制品的纯度要求；

14、采用外循环冷却系统，保证了设备在高温状态下的使用寿命，同时减少了冷却时间，提高了炉内空间，更加适应大尺寸半导体石英玻璃制品的脱羟；

15、采用递进式真空系统，提供高真空环境，满足脱羟的要求；

16、采用多组加热带、石墨电机及直流电源的电气控制加热系统，保证了整个设备的电力稳定及加热稳定性，在炉内空间增加一倍后，保持各加热区域的温差在5℃以下，可通过高温有效去除石英玻璃制品的羟基，满足半导体制品的要求；脱羟炉内的半导体石英玻璃制品受热均匀，热稳定性好，避免了石英玻璃制品在温差较大的环境下而引发的变形，保证了脱羟环境。

17、应当理解，
技术实现要素：
部分中所描述的内容并非旨在限定本发明的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉，其特征在于，包括；

2.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的脱羟炉，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的脱羟炉，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的脱羟炉，其特征在于，

技术总结
本发明提供了一种用于半导体石英玻璃的脱羟炉，包括；炉体，设有炉壁、与炉壁一体成型的炉底和可推拉的炉门；料盘，滑动设于炉体内部，与炉门下部固定连接；其中，料盘用于放置半导体石英玻璃；炉壁内侧间隔安装多组加热带，用于提供石英玻璃脱羟的高温环境；炉体与冷却组件连接，用于对炉体内部温度的循环冷却；炉体与真空系统连接，用于提供石英玻璃脱羟的真空环境。本发明达到脱羟大直径半导体石英玻璃的能力要求，在半导体领域能够更快更好的发展起到基础作用，同时改进后的脱羟炉更加节能，使用更加便捷，性能更加稳定。

技术研发人员：陈富伦,张苏亮,丁炳华,厉广强,葛绍卿,何茂乾,顾金泉,陈丹丹,徐卫良
受保护的技术使用者：江苏太平洋石英股份有限公司
技术研发日：20221219
技术公布日：2024/1/13