本技术属于石墨烯,具体涉及一种石墨烯反应炉。
背景技术:
1、cvd是指高温下的气相反应,采用cvd法制备石墨烯时,其基本过程如下所示:通过将碳氢化合物等含碳气体通入带有基片的沉积炉中,通过高温将含碳气体分解为碳原子使其沉积于基片的表面,进而形成石墨烯,随后通过多种方法将石墨烯薄膜从基片上分离以得到高纯度石墨烯。
2、而现有的反应炉,比如中国专利cn206428001u公开了一种生长石墨烯的装置,其通过设置匀气室和匀气筛来使得进入反应腔内的气流相对更加均匀,同时设置相应的挡板以减小进入匀气室的气流对基片产生扰动。然而,其内的生长基底需要在反应结束后单独设置,且在设置过程中该装置难以继续生产,使得生产效率相对较低。
技术实现思路
1、为解决上述至少一种问题,本实用新型提供了一种石墨烯反应炉,其生产效率更高。
2、本实用新型的技术方案是:一种石墨烯反应炉,包括炉本体,所述炉本体内设有框架,所述框架被所述分隔板分隔成多个放置室,所述放置室内设有生长模块,所述生长模块内设有多个生长基底,且所述生长模块两端还设有允许气流通过的气流通道;所述框架靠近炉本体的排气口的一端设有多个挡板,所述挡板与所述框架铰接设置;所述放置室内未设置生长模块时,所述挡板阻挡气体前进,所述放置室内设置有生长模块时,所述生长模块将所述挡板顶起,使得气流能够经排气口排出。
3、本实用新型的一种实施方式在于,所述炉本体两端设有漏斗形缓冲部,所述漏斗形缓冲部的较小端连接进气管或排气管。
4、进一步的,所述漏斗形缓冲部可拆卸。
5、本实用新型的一种实施方式在于,其特征在于,相邻两个放置室之间为连通或不连通。
6、与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
7、本实用新型通过设置生长模块,使得在两次生产之间的更短,从而变相的增加了生产效率;通过设置挡板,使得未生产的放置室不会对生产造成较大影响,使得最终产物更加均一。
1.一种石墨烯反应炉,其特征在于,包括炉本体,所述炉本体内设有框架,所述框架被分隔板分隔成多个放置室,所述放置室内设有生长模块,所述生长模块内设有多个生长基底,且所述生长模块两端还设有允许气流通过的气流通道;所述框架靠近炉本体的排气口的一端设有多个挡板,所述挡板与所述框架铰接设置;所述放置室内未设置生长模块时,所述挡板阻挡气体前进,所述放置室内设置有生长模块时,所述生长模块将所述挡板顶起,使得气流能够经排气口排出。
2.根据权利要求1所述的石墨烯反应炉,其特征在于,所述炉本体两端设有漏斗形缓冲部,所述漏斗形缓冲部的较小端连接进气管或排气管。
3.根据权利要求2所述的石墨烯反应炉,其特征在于,所述漏斗形缓冲部可拆卸。
4.根据权利要求1所述的石墨烯反应炉,其特征在于,相邻两个放置室之间为连通或不连通。