六方晶氮化硼粉末、及树脂组合物的制作方法

本公开文本涉及六方晶氮化硼粉末、及树脂组合物。

背景技术：

1、在晶体管、晶闸管及cpu等电子部件中，将使用时产生的热高效地散去成为重要的问题。因此，与这样的电子部件一同使用具有高的导热性的散热构件。另一方面，氮化硼粒子由于具有高导热性及高绝缘性，因此被广泛用作散热构件中的填充材料。

2、例如，专利文献1中提出了在作为树脂等绝缘性散热材料的填充材料使用时能够提高上述树脂等的导热率及耐电压(绝缘击穿电压)的六方晶氮化硼粉末及其制造方法。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2019-116401号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、近年来，在搭载了电子部件的设备中，信号的高速传输化、大容量化不断发展。因此，对于散热构件，也要求能够应对上述倾向的特性。具体而言，期望介电损耗角正切小的散热构件。

3、作为使散热构件的介电损耗角正切降低的方法，例如，考虑了使用介电损耗角正切小的树脂作为所使用的树脂。但是，作为低介电损耗角正切的树脂已知的液晶性聚合物、氟树脂等虽然为低介电损耗角正切，但加工性、热特性、及机械特性等在该用途中是不足的。因此，从提高热特性的观点考虑，通常使用填充材料。但是，由于填充材料的配合，可能产生树脂的低介电损耗角正切的特性无法充分地发挥的情况。

4、本公开文本的目的在于提供能够制造低介电损耗角正切的散热构件的六方晶氮化硼粉末、及树脂组合物。

5、用于解决课题的手段

6、本公开文本的一个方面提供六方晶氮化硼粉末，其包含六方晶氮化硼的一次粒子，所述六方晶氮化硼粉末的比表面积为2.5m2/g以下，石墨化指数为2.0以下，纯度为99质量％以上。

7、上述六方晶氮化硼粉末的比表面积小，可抑制导致介电损耗角正切的上升这样的水、杂质的吸附，此外，通过使石墨化指数及纯度在规定范围内，可抑制从六方晶氮化硼自身产生使介电损耗角正切上升这样的成分。由此，适合作为制造低介电损耗角正切的散热构件的填充材料。

8、上述一次粒子的圆形度可以为0.8以上。

9、上述六方晶氮化硼粉末的加热至500℃时的每单位质量的水分量可以低于300ppm。

10、上述六方晶氮化硼粉末的加热至200℃时的每单位质量的水分量可以低于250ppm。

11、上述六方晶氮化硼粉末的从201℃加热至500℃时的每单位质量的水分量可以低于100ppm。

12、上述六方晶氮化硼粉末中，一次粒子的平均粒径为7.0μm以上。

13、本公开文本的一个方面提供含有树脂和上述的六方晶氮化硼粉末的树脂组合物。

14、上述树脂组合物由于含有上述的六方晶氮化硼粉末，因此能够成为低介电损耗角正切。

15、发明效果

16、根据本公开文本，可提供能够制造低介电损耗角正切的散热构件的六方晶氮化硼粉末、及树脂组合物。

1.六方晶氮化硼粉末，其包含六方晶氮化硼的一次粒子，

2.如权利要求1所述的六方晶氮化硼粉末，其中，所述一次粒子的圆形度为0.8以上。

3.如权利要求1或2所述的六方晶氮化硼粉末，其加热至500℃时的每单位质量的水分量低于300ppm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的六方晶氮化硼粉末，其加热至200℃时的每单位质量的水分量低于250ppm。

5.如权利要求1～4中任一项所述的六方晶氮化硼粉末，其从201℃加热至500℃时的每单位质量的水分量低于100ppm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的六方晶氮化硼粉末，其中，一次粒子的平均粒径为7.0μm以上。

7.树脂组合物，其含有树脂、和权利要求1～6中任一项所述的六方晶氮化硼粉末。