本发明涉及电陶瓷复合材料,具体涉及一种通过浸渍来后处理电陶瓷复合材料的方法。
背景技术:
1、电陶瓷由于其独特的性质(例如热电、铁电或压电性或特殊的介电性能)而可用于多种应用,如天线、传感器、致动器和其他无源元件。陶瓷材料应用于广泛的行业,包括采矿、航空航天、医药、炼油、食品和化学工业、包装科学、电子、工业和传输电力以及引导光波传输。陶瓷复合材料可用于制造电子元件。电子元件可以是诸如半导体或电源之类的有源元件,诸如电阻器或电容器之类的无源元件,诸如压电或铁电致动器之类的致动器,或者诸如光开关和/或衰减器之类的光电元件。存在提高复合材料机械性能的压力。因此,需要改进陶瓷材料及其制造。
技术实现思路
1、下面呈现了本文公开的特征的简化概述,以提供对本发明的一些示例性方面的基本理解。该概述并不是本发明的宽泛概述。其无意于确定本发明的关键/重要要素或描绘本发明的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本文公开的一些概念,作为更详细描述的前奏。
2、根据一方面,提供了独立权利要求的主题。实施方案在从属权利要求中限定。
3、在下面的描述中更详细地阐述了一个或多个实施方式的示例。其他特征将从说明书和权利要求中变得显而易见。
1.一种用于电陶瓷复合材料的后处理的工艺,所述工艺包括:
2.根据权利要求1所述的工艺,其中所述有机金属化合物是液体异丙醇钛,液体丁醇钛,或其他可流动有机钛酸盐,或其混合物,优选液体异丙醇钛。
3.一种用于电陶瓷复合材料的后处理的工艺,所述工艺包括:
4.根据权利要求3所述的工艺,其中所述方法包括用水、水蒸气和/或其他能够与所述金属或金属氧化物纳米颗粒悬浮液相互作用产生固体金属氧化物的化学物质处理含有吸收到所述孔中的所述金属或金属氧化物纳米颗粒悬浮液的所述电陶瓷复合材料。
5.根据权利要求1、2或4所述的工艺,其中所述方法包括通过加热对所述金属氧化物浸渍电陶瓷复合材料进行干燥,其中所述金属氧化物浸渍电陶瓷复合材料的所述干燥优选在110℃-130℃下进行1.5h-2.5h,更优选在120℃下进行2h。
6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中
7.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中含有吸收到所述孔中的所述可流动有机金属化合物或所述金属或金属氧化物纳米颗粒悬浮液的所述电陶瓷复合材料先经受过压,然后进行用水、水蒸气和/或所述其他化学物质的所述处理,以增强所述有机金属化合物或所述金属或金属氧化物纳米颗粒向所述电陶瓷复合材料的所述孔中的渗透,其中所述过压优选为约3bar或以上的绝对压力,其中所述电陶瓷复合材料优选经受所述过压2-10min。
8.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中所述金属或金属氧化物是ti、al、tio2、al2o3、ba、bao、ni、nio、zn、zno、bi和bi2o3中的一种或多种,优选ti、ba、tio2和bao中的一种或多种。
9.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中在用水、水蒸气和/或所述其他化学物质的所述处理之前,优选通过擦拭,从所述电陶瓷复合物的表面去除多余的可流动有机金属化合物或金属或金属氧化物纳米颗粒悬浮液。
10.根据前述权利要求中任一项所述的工艺,其中所述电陶瓷复合材料含有第一陶瓷和第二陶瓷并且能够如下获得:
11.根据权利要求10所述的工艺,其中所述含水组合物的所述压缩通过使用100至500mpa、优选250mpa的模制压力进行。
12.根据权利要求10或11所述的工艺,其中所述盘在20℃至120℃的温度下干燥至少16h,优选在120℃的温度下干燥16h。
13.根据前述权利要求10-12中任一项所述的工艺,其中所述第一陶瓷是li2moo4、na2mo2o7、k2mo2o7、(libi)0.5moo4、li2wo4、mg2p2o7和v2o5中的至少一种,并且所述第二陶瓷是pzt、baxsr1-xtio3、tio2、al2o3、knbnno、铁氧体陶瓷材料和其他电陶瓷材料中的至少一种。
14.根据前述权利要求1-9中任一项所述的工艺,其中所述电陶瓷复合材料能够如下获得:
15.根据权利要求14所述的工艺,其中所述电陶瓷粉末包括pzt、knbnno、tio2、钛酸盐材料和钙钛矿材料中的至少一种。
16.一种通过前述权利要求中任一项所述的工艺制备的经后处理的电陶瓷复合材料。
17.一种电子元件,包含如权利要求16所述的经后处理的电陶瓷复合材料。
18.根据权利要求17所述的电子元件,其中所述电子元件包括电阻器、导体和电容器中的至少一种。
19.权利要求16所述的经后处理的电陶瓷复合材料在电子元件中的用途,所述电子元件包括电阻器、电容器、线圈、传感器、致动器、高频无源器件、能量存储和收集、调谐元件和变压器中的一种或多种。
20.一种电子产品,包含如权利要求17或18所述的电子元件。