一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法与流程

本发明涉及一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。

背景技术：

1、目前生产大尺寸晶棒及增大单晶硅棒生产热场的投料量，已成为降低光伏成本的主要手段之一。为了满足生产大尺寸晶棒及增大投料量的需求，需要将单晶炉尺寸、单晶硅内各个组件比如坩埚、导流筒、水热屏等的尺寸适应性增大。而为了保证导流筒与坩埚内熔融硅的液面间距基本保持不变，需要在导流筒与保温筒之间留出能够供导流筒与坩埚相对位置变化的空间，而该空间的存在会加剧热量损失，并对硅溶液的温度梯度等产生影响，导致晶体无法正常生长。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法，该热场调节装置能够根据单晶炉内坩埚的位置调整导流筒与保温筒之间的空间，以降低单晶炉内热量损失，并使硅溶液的温度梯度并不会由于坩埚位置变化而发生改变，以使单晶炉内单晶硅能够正常生长。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：

3、第一方面，本发明提供一种热场调节结构，应用于单晶炉内，包括：控制装置及移动保温组件，其中，

4、所述移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间；

5、所述控制装置与所述移动保温组件连接，用于在所述单晶炉内的坩埚与所述导流筒相对位置发生变化的情况下，驱动所述移动保温组件在所述导流筒和所述保温筒之间的空间内移动，以调整位于硅溶液液面上方的空间。

6、第二方面，本发明实施例提供一种单晶炉，该单晶炉包括第一方面实施例提供的热场调节结构。

7、第三方面，本发明实施例提供一种针对上述第二方面实施例提供的单晶炉生长的单晶硅棒的分割方法，包括：

8、确定矩形主方棒的矩形截面的长和宽；

9、针对所述单晶硅棒的圆形横截面，从所述圆形横截面的中心位置向边缘划分出满足所述矩形截面的长和宽、且相邻的多个主矩形区域；

10、在所述圆形横截面上，除所述主矩形区域之外的其他区域划分出一条边长与所述矩形截面的长或者宽相等的多个其他矩形区域；

11、沿多个所述主矩形区域的边和多个所述其他矩形区域的边切割。

12、上述发明的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：

13、1、本发明实施例提供的热场调节结构，通过热场调节结构包括的移动保温组件设置在单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间，实现为导流筒和保温筒之间的空间增设保温层，通过该移动保温组件的保温效果，一方面即使单晶炉尺寸增大，坩埚和导流筒相对位置变化，通过控制装置调节移动保温组件，使移动保温组件到坩埚的溶液液面之间的空间可调控至与小尺寸单晶炉内的移动保温组件到坩埚的溶液液面之间的空间一致，即根据单晶炉内坩埚的位置调整导流筒与保温筒之间的空间，能够使单晶炉的有效空间基本保持不变，使大尺寸的单晶炉内的热量保持与原有的小尺寸的单晶炉基本相同；另一方面，由于该移动保温组件的增加，可增加单晶炉内坩埚上方空间的保温效果，抵消大尺寸的单晶炉所带来的热量损失，从而使硅溶液的温度梯度并不会发生改变，以保证单晶炉内单晶硅能够正常生长。

14、2、本发明实施例提供的应用于单晶炉内的热场调节结构，通过控制装置及移动保温组件之间相互配合实现调控单晶炉内坩埚上方的空间大小，该热场调节结构具有结构简单，操作方便等特性。

15、3、本发明实施例提供的应用于单晶炉内的热场调节结构，由于移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的独立空间，其可以在控制装置驱动下，在导流筒和保温筒之间的空间内移动，其不会对单晶炉内各种组件的位置及组件之间的关系等产生影响，而且其还可根据不同单晶炉的尺寸，通过控制装置适应性调整移动保温组件，因此，该热场调节结构能够满足不同单晶炉的需求，能够普遍适用于各种单晶炉，具有比较好地适用性和实用性。

技术特征：

1.一种热场调节结构，其特征在于，应用于单晶炉(20)内，包括：控制装置(11)及移动保温组件(12)，其中，

2.根据权利要求1所述的热场调节结构，其特征在于，所述控制装置(11)包括：移动支撑件(111)及第一提升杆(112)，其中，

3.根据权利要求2所述的热场调节结构，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的热场调节结构，其特征在于，还包括：上节固定支撑件(13)，其中，

5.根据权利要求4所述的热场调节结构，其特征在于，所述上节固定支撑件(13)包括：嵌套结构的多节固定支撑段(131)，其中，

6.根据权利要求5所述的热场调节结构，其特征在于，

7.根据权利要求1至3任一所述的热场调节结构，其特征在于，

8.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1至7任一所述的热场调节结构。

9.根据权利要求8所述的单晶炉，其特征在于，还包括：第二提升杆(25)，其中，

10.针对权利要求8或9所述的单晶炉生长的单晶硅棒的分割方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明公开一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。该热场调节结构应用于单晶炉内，其包括：控制装置及移动保温组件，其中，移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间；控制装置与移动保温组件连接，用于在单晶炉内的坩埚与导流筒相对位置发生变化的情况下，驱动移动保温组件在导流筒和保温筒之间的空间内移动，以调整位于硅溶液液面上方的空间。该热场调节结构应用到单晶炉后，能够减少单晶炉内的热量损失，并使硅溶液的温度梯度得到比较好地调控，以保证大尺寸晶体能够正常生长。

技术研发人员：王玉龙,黄旭光,王建芳
受保护的技术使用者：晶澳太阳能有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15