半导体装置的制作方法

本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、在外延片生长制备过程中，石墨托盘的旋转是保证工艺生长参数均匀性的重要因素。目前，常用的方案是将石墨托盘放置在托盘基座上，并通过旋转气导槽和旋转轴的配合实现托盘基座的旋转，从而带动石墨托盘进行转动。

2、但是，由于只有一个旋转轴将托盘基座与下半月固定，旋转时托盘基座会出现上下晃动的情况，无法保持在同一个水平面上进行转动，导致工艺气体无法均匀地附着在衬底表面，进而影响外延衬底生长完成后的工艺参数均匀性。此外，容易出现卡顿的情况，导致托盘旋转基座无法转动，进而导致外延衬底生长完成后的工艺参数异常。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体装置，包括：

2、托盘，用于承载晶圆；

3、第一基座，具有相对的第一表面和第二表面，所述托盘设置于所述第一表面上，所述第二表面具有突出的第一环状台阶；

4、第二基座，具有面向所述第一基座的第二表面的承载面，所述承载面具有突出的第二环状台阶，所述第二环状台阶与所述第一环状台阶相适配连接。

5、在其中一个实施例中，所述第一环状台阶的内径与所述第二环状台阶的内径不同。

6、在其中一个实施例中，沿所述承载面的水平方向，所述第一环状台阶与所述第二环状台阶相抵接，所述第二环状台阶紧贴于所述第一环状台阶的内侧壁。

7、在其中一个实施例中，所述第一环状台阶的高度小于或等于所述第二环状台阶的高度。

8、在其中一个实施例中，所述第一环状台阶的高度和所述第二环状台阶的高度均大于或等于2mm。

9、在其中一个实施例中，所述第一环状台阶的壁厚和所述第二环状台阶的壁厚均大于或等于2mm。

10、在其中一个实施例中，所述第一环状台阶和所述第二环状台阶为圆环状结构或方环状结构。

11、在其中一个实施例中，所述承载面设置有气体产生组件，所述气体产生组件产生的气体能够带动所述第一基座水平旋转。

12、在其中一个实施例中，所述气体产生组件包括气道以及连通所述气道的气体喷口，所述气道内的气体经所述气体喷口喷出，且所述气体喷口的喷射方向倾斜于所述承载面所在平面。

13、在其中一个实施例中，所述第二表面设置有导气组件，所述导气组件包括分布于所述第二表面的若干导气槽，各所述导气槽均由所述第一基座的外缘延伸至所述第一基座的内部，且各所述导气槽的延伸方向呈顺时针或逆时针规律。

14、本申请实施例提供的半导体装置，托盘用于承载晶圆，第一基座承载托盘，其中，第一基座具有相对的第一表面和第二表面，托盘设置于第一表面，第二表面具有突出的第一环状台阶，第二基座承载第一基座，第二基座具有面向第一基座第二表面的承载面，且承载面具有突出的第二环状台阶，第一基座和第二基座通过第一环状台阶和第二环状台阶适配连接。相比较于传统的通过一根旋转轴连接第一基座和第二基座，本实施例中采用第一环状台阶和第二环状台阶相配合连接的方式实现第一基座和第二基座的连接，可以有效避免第一基座旋转过程中晃动，保障外延片生长过程中工艺气体可以均匀地附着在衬底表面，进而确保外延衬底生长完成后工艺参数的均匀性良好。同时，取消旋转轴的设置，可以减少第一基座与第二基座之间的摩擦，提高第一基座转动的灵活性和稳定性，减少卡顿和故障发生的可能性。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一环状台阶的内径与所述第二环状台阶的内径不同。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，沿所述承载面的水平方向，所述第一环状台阶与所述第二环状台阶相抵接，所述第二环状台阶紧贴于所述第一环状台阶的内侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一环状台阶的高度小于或等于所述第二环状台阶的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一环状台阶的高度和所述第二环状台阶的高度均大于或等于2mm。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一环状台阶的壁厚和所述第二环状台阶的壁厚均大于或等于2mm。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一环状台阶和所述第二环状台阶为圆环状结构或方环状结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述承载面设置有气体产生组件，所述气体产生组件产生的气体能够带动所述第一基座水平旋转。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述气体产生组件包括气道以及连通所述气道的气体喷口，所述气道内的气体经所述气体喷口喷出，且所述气体喷口的喷射方向倾斜于所述承载面所在平面。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二表面设置有导气组件，所述导气组件包括分布于所述第二表面的若干导气槽，各所述导气槽均由所述第一基座的外缘延伸至所述第一基座的内部，且各所述导气槽的延伸方向呈顺时针或逆时针规律。

技术总结
本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种半导体装置，包括托盘、第一基座和第二基座。托盘用于承载晶圆；第一基座具有相对的第一表面和第二表面，托盘设置于第一表面，第二表面具有突出的第一环状台阶；第二基座具有面向第一基座的第二表面的承载面，承载面具有突出的第二环状台阶，第二环状台阶与第一环状台阶适配连接。本实施例采用第一环状台阶和第二环状台阶相配合连接方式实现第一基座和第二基座的连接，有效避免第一基座旋转过程中晃动，保障外延片生长过程中工艺气体能均匀附着在衬底表面，进而确保外延衬底生长完成后工艺参数的均匀性良好。同时，取消旋转轴的设置，可以减少第一基座与第二基座之间的摩擦，减少卡顿和故障发生的可能性。

技术研发人员：吕立平
受保护的技术使用者：希科半导体科技（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6