一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法与流程

本发明涉及高性能陶瓷粉体，具体涉及一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法。

背景技术：

1、高度集成化是5g基站的发展方向。陶瓷介质滤波器具有介电常数高、损耗低、小型化、可靠性高等优势，成为5g基站用滤波器的最优选择。当前国内5g基站陶瓷滤波器产能不足1亿只/年，未来3年的缺口量高达8亿只。制约国内高品质陶瓷滤波器产能提升的关键技术问题是：高性能滤波器陶瓷粉体的宏量制备和高品质陶瓷滤波器的规模化制备两大关键技术够待解决。

2、目前，高性能滤波器陶瓷粉体面临诸多问题，严重影响了5g基站的建站速度。在诸多的问题中，陶瓷粉体的制备温度过高，能耗过大，需要降低5g陶瓷的烧结温度。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法，解决现有技术中陶瓷粉体的制备温度过高，能耗过大的技术问题。

2、本发明公开了一种低烧结温度陶瓷粉体，该陶瓷粉体的化学表达式为znxmg0.95-xca0.05zro3。

3、进一步的，所述znxmg0.95-xca0.05zro3中x的取值为0.02-0.1。

4、进一步的，所述znxmg0.95-xca0.05zro3中x的取值为0.03-0.07。

5、一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，包括如下步骤：

6、s1.将mgo、zno和zro2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级znxmg1-xzro3粉体；

7、s2.将cao和zro2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级cazro3粉体；

8、s3.将一级znxmg1-xzro3粉体和一级cazro3粉体混合并再次进行球磨，再次球磨后干燥过筛，烧结后得到陶瓷粉体。

9、进一步的，所述znxmg1-xzro3和cazro3摩尔比0.9-1:0.05，x的取值为0.02-0.1。

10、进一步的，所述znxmg1-xzro3和cazro3摩尔比0.95:0.05，x的取值为0.03-0.07。

11、进一步的，步骤s3中所述烧结的目标温度为1100～1200℃。

12、进一步的，步骤s3中所述烧结的目标温度为1150℃。

13、进一步的，烧结到所述目标温度后保温2～8小时，以2℃/min降温至500-700℃后，随炉降温至室温。

14、进一步的，以2℃/min降温至600℃后，随炉降温至室温。

15、与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：

16、1.本发明用zn替换mgzro3中的mg，提高其烧结性能，降低烧结温度，并得到了一种新的材料体系。

技术特征：

1.一种低烧结温度陶瓷粉体，其特征在于：该陶瓷粉体的化学表达式为znxmg0.95-xca0.05zro3。

2.根据权利要求1所述的一种低烧结温度陶瓷粉体，其特征在于：所述znxmg0.95-xca0.05zro3中x的取值为0.02-0.1。

3.根据权利要求2所述的一种低烧结温度陶瓷粉体，其特征在于：所述znxmg0.95-xca0.05zro3中x的取值为0.03-0.07。

4.一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述znxmg1-xzro3和cazro3摩尔比0.9-1:0.05，x的取值为0.02-0.1。

6.根据权利要求5所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述znxmg1-xzro3和cazro3摩尔比0.95:0.05，x的取值为0.03-0.07。

7.根据权利要求4所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：步骤s3中所述烧结的目标温度为1100～1200℃。

8.根据权利要求4所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：步骤s3中所述烧结的目标温度为1150℃。

9.根据权利要求8所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：烧结到所述目标温度后保温2～8小时，以2℃/min降温至500-700℃后，随炉降温至室温。

10.根据权利要求9所述的一种低烧结温度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：以2℃/min降温至600℃后，随炉降温至室温。

技术总结
本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg0.95‑xCa0.05ZrO3。本发明用Zn替换MgZrO3中的Mg，提高其烧结性能，降低烧结温度，并得到了一种新的材料体系。

技术研发人员：刘显波,刘彤,李寅川,李绍敏,王正上,崔旭东
受保护的技术使用者：中物院成都科学技术发展中心
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5