一种还原炉钟罩及多晶硅还原炉的制作方法

本发明涉及还原炉，尤其涉及一种还原炉钟罩及多晶硅还原炉。

背景技术：

1、还原炉是生产多晶硅的核心设备，其主要由钟罩、底盘、电极等关键部件组成。为了保证多晶硅产品的质量，还原炉需具备反应气体流型稳定，反应温度均匀分布，避免金属杂质引入等性能。

2、传统的还原炉钟罩的内表面的银层采用冷喷银技术喷涂，银层较薄，在反复高温的环境中，银层容易脱落，银层脱落后，不仅会影响还原炉内温度的均匀分布，而且容易引入金属杂质，进而影响多晶硅产品质量；并且，传统的钟罩的内壁采用不锈钢材料，局部超温时，容易导致银层产生隐裂，不仅容易引入金属杂质，还会影响还原炉的使用寿命，对连续稳定生产带来不稳定因素。传统的还原炉底盘的硬度较低，在硅棒倾倒后，容易造成底盘损伤，增加底盘的杂质释放，进而影响产品质量；并且，传统的单对电极之间的距离较小，不利于温场及气场的均匀分布，较难产出大尺寸棒径的硅棒。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种还原炉钟罩及多晶硅还原炉，主要目的在于改善还原炉的性能，进而提升还原炉的产品质量。

2、为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：

3、一方面，本发明的实施例提供一种还原炉钟罩，包括:钟罩本体和附着于所述钟罩本体的内表面的银层；

4、所述银层通过爆炸焊接工艺固定在所述钟罩本体的内表面。

5、进一步地，所述钟罩本体的内壁为q235r材质。

6、进一步地，所述银层的厚度不小于1mm。

7、另一方面，本发明的实施例提供一种多晶硅还原炉，包括:底盘和上述任一项所述的还原炉钟罩；

8、所述底盘上设置有多对电极；

9、所述底盘上设置有多个喷嘴；

10、所述底盘上设置有至少一个排气口；

11、所述还原炉钟罩能够拆卸地设置在所述底盘上。

12、进一步地，所述底盘的上表面采用碳钢层与c276层的复合材质。

13、进一步地，所述c276层的厚度为2.8mm～3.3mm。

14、进一步地，单对所述电极的间距为240mm～280mm。

15、进一步地，所述电极采用银和无氧铜的复合材料。

16、进一步地，所述喷嘴出口方向垂直于所述底盘；

17、内层的所述喷嘴的口径大于外层的所述喷嘴的口径。

18、进一步地，所述喷嘴为9个；9个所述喷嘴采用内层1个和外层8个的方式排布；

19、所述电极为12对；12对所述电极采用内层4对和外层8对的方式排布；

20、外层的所述喷嘴位于外层的所述电极与内层的所述电极中间；

21、内层的所述电极处于外层的所述电极与内层的所述喷嘴中间。

22、借由上述技术方案，本发明多晶硅还原炉至少具有下列优点：

23、能够改善还原炉的性能，进而提升还原炉的产品质量。

24、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

技术特征：

1.一种还原炉钟罩，其特征在于，包括:钟罩本体和附着于所述钟罩本体的内表面的银层；

2.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，

4.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括:底盘和权利要求1-3任一项所述的还原炉钟罩；

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

10.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，

技术总结
本发明涉及还原炉技术领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉包括:底盘和还原炉钟罩；底盘上设置有多对电极；底盘上设置有多个喷嘴；底盘上设置有至少一个排气口；还原炉钟罩能够拆卸地设置在底盘上；还原炉钟罩包括：钟罩本体和附着于钟罩本体的内表面的银层；银层通过爆炸焊接工艺固定在钟罩本体的内表面。采用本发明能够改善还原炉的性能，进而提升还原炉的产品质量。

技术研发人员：陈远新,于跃,王阳,王俊华,张泽玉
受保护的技术使用者：内蒙古大全半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11