一种柔性曲面玻璃蚀刻设备的制作方法

本发明属于玻璃蚀刻领域，尤其涉及一种柔性曲面玻璃蚀刻设备。

背景技术：

1、柔性曲面玻璃是玻璃科技发展的重要领域，柔性曲面玻璃广泛应用于国防和民用领域，柔性曲面玻璃加工中常采用蚀刻工艺在玻璃表面蚀刻出各种各样的图案。

2、目前的玻璃蚀刻方法是在玻璃表面涂上保护层，在保护层上再涂上光刻层，利用激光除去图案对应的光刻层，将hf酸涂在去除光刻层的图案对应的玻璃部位上对玻璃进行蚀刻。

3、对于柔性曲面玻璃，玻璃可能会以曲面状态进行蚀刻，hf酸可能会在玻璃曲面上流动，使得图案各个部位的蚀刻深度不同，从而无法保证蚀刻质量。

4、在蚀刻过程中，由于hf酸无法及时回收而有所损耗。

5、对于通过喷涂方式将hf酸喷涂于玻璃曲面的情况，hf酸蚀刻反应中产生的hf酸蒸汽会散发至施工环境中危害人的健康。同时，喷涂的hf酸在玻璃曲面上的浓度分布不均匀，引起蚀刻不均匀。

6、本发明设计一种柔性曲面玻璃蚀刻设备解决如上问题。

技术实现思路

1、为解决现有技术中的所述缺陷，本发明公开一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，它是采用以下技术方案来实现的。

2、一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，它包括托板、摆杆、电机a、方框、电机b、滑座b、电机c、喷酸机构，其中支架上安装有用来放置曲面玻璃的弧形托板并铰接有两个在电机a驱动下绕托板轴线摆动的摆杆，两个摆杆的上端安装有方框，滑座b在电机b和电机c的共同驱动下沿方框所在平面运动于方框内；滑座b中部的滑槽内沿与方框所在平面垂直的方向运动有被电动推杆驱动且对下方托板上曲面玻璃喷酸蚀刻的喷酸机构；曲面玻璃上覆盖有通过毛吸作用向其上蚀刻部位均匀散步hf酸的蚀刻膜。

3、所述喷酸机构包括圆杆、锥筒a、锥筒b、球弯部、球环、锥筒c、喷头、过滤器、气泵、电动推杆，其中圆杆在电动推杆驱动下滑动于滑座b中部滑槽内，圆杆中部液槽的下端安装有喷头，喷头周围安装有锥筒b，锥筒b外安装有锥筒a，锥筒a外安装有锥筒c；锥筒a和圆筒b之间形成的环形腔通过软管与圆杆上的过滤器连通，过滤器通过软管与圆杆上的气泵连通，气泵通过软管与锥筒b和圆筒c之间形成的环形腔连通；锥筒b下端具有内卷的球弯部，锥筒a下端内侧安装有与球弯部同球心的球环。

4、作为本技术的进一步改进，所述蚀刻膜包括蚀刻层、毛吸材料、指示涂层、牵拉部，其中具有蚀刻镂空蚀刻图案且为耐酸不透水材质的蚀刻层表面覆盖有一层毛吸材料，毛吸材料表面覆盖有一层可指示酸碱浓度的指示涂层；蚀刻层一端具有长条状牵拉部。

5、作为本技术的进一步改进，所述方框中沿摆杆铰接轴轴向运动有被电机a驱动的滑座a，被电机b驱动的滑座b在方框所在平面内沿与摆杆铰接轴垂直的方向运动于滑座a内。

6、作为本技术的进一步改进，所述方框上安装有两个与滑座a螺纹配合的螺杆a，两个螺杆a上均安装有链轮，两个链轮之间通过链条传动连接；一个螺杆a与电机a的输出轴传动连接。

7、作为本技术的进一步改进，所述滑座b上安装有两个与滑座b螺纹配合的螺杆b，两个螺杆b上均安装有齿轮a，两个齿轮a同时与滑座a上的齿轮b啮合。

8、作为本技术的进一步改进，所述托板可为适应平面玻璃的平板。

9、作为本技术的进一步改进，它包括侧板、挤压辊a、电机d、支撑辊a、支撑辊b、吸附带、水槽、挤压辊d、引导板，其中安装于两个侧板之间的挤压辊a、支撑辊a和支撑辊b上安装有吸附带，挤压辊a被电机d驱动。挤压辊a轴线和支撑辊a轴线所在平面倾斜，保证蚀刻膜上被挤压辊a和挤压辊d挤压处的hf酸液能够完全落于吸附带上。支撑辊b将吸附带抵压入底部水槽内的流水中；两个侧板之间安装有通过与挤压辊a配合对蚀刻膜挤压的挤压辊d和将蚀刻膜引导至挤压辊a和挤压辊d之间的引导板；两个侧板之间安装有对从水槽内出来的吸附带进行挤压去水的结构和为被挤压辊a和挤压辊d挤压的蚀刻膜提供牵拉力的结构。

10、作为本技术的进一步改进，所述支撑辊b通过侧板上的两个固定杆安装于水槽内；水槽底部侧壁具有使得其内水体流动的进水管和出水管。

11、作为本技术的进一步改进，所述两个侧板之间安装有对出水吸附带进行挤压的挤压辊b和挤压辊c；挤压辊c所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆a；每个伸缩杆a内均具有对其伸缩复位的弹簧a；两个侧板之间安装有对蚀刻膜上牵拉部挤压牵拉的牵引辊a和牵引辊b；挤压辊a所在辊轴与侧板上电机e的输出轴传动连接；挤压辊b所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆c；每个伸缩杆c内均具有对其伸缩复位的弹簧c；挤压辊d所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆b；每个伸缩杆b内均具有对其伸缩复位的弹簧b。

12、作为本技术的进一步改进，所述伸缩杆a由相互套接的外套a和内杆a组成，弹簧a位于外套a内；伸缩杆b由相互套接的外套b和内杆b组成，弹簧b位于外套b内；伸缩杆c由相互套接的外套c和内杆c组成，弹簧c位于外套c内。

13、相对于传统的玻璃蚀刻设备，本发明通过特有结构的蚀刻膜覆盖于曲面玻璃上对玻璃进行各种图案的蚀刻，使得hf酸可以均匀地分布于曲面玻璃需要蚀刻的部位且不会产生流动，保证曲面玻璃蚀刻的均匀性和蚀刻质量。

14、本发明中的喷酸机构在向蚀刻膜上喷酸对玻璃进行蚀刻的过程中会将hf酸与玻璃化学反应产生的有害气体进行有效回收，保证玻璃时刻中产生的hf酸蒸汽不会散失到工作环境中对工作人员健康造成伤害。

15、本发明中的hf酸回收设备可以对完成对玻璃蚀刻的蚀刻膜中携带的hf酸进行完全回收，减小hf酸在玻璃时刻过程中的损耗。

16、本发明结构简单，具有较好的使用效果。

技术特征：

1.一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：它包括托板、摆杆、电机a、方框、电机b、滑座b、电机c、喷酸机构，其中支架上安装有用来放置曲面玻璃的弧形托板并铰接有两个在电机a驱动下绕托板轴线摆动的摆杆，两个摆杆的上端安装有方框，滑座b在电机b和电机c的共同驱动下沿方框所在平面运动于方框内；滑座b中部的滑槽内沿与方框所在平面垂直的方向运动有被电动推杆驱动且对下方托板上曲面玻璃喷酸蚀刻的喷酸机构；曲面玻璃上覆盖有通过毛吸作用向其上蚀刻部位均匀散步hf酸的蚀刻膜；

2.根据权利要求1所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻膜包括蚀刻层、毛吸材料、指示涂层、牵拉部，其中具有蚀刻镂空蚀刻图案且为耐酸不透水材质的蚀刻层表面覆盖有一层毛吸材料，毛吸材料表面覆盖有一层可指示酸碱浓度的指示涂层；蚀刻层一端具有长条状牵拉部。

3.根据权利要求1所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述方框中沿摆杆铰接轴轴向运动有被电机a驱动的滑座a，被电机b驱动的滑座b在方框所在平面内沿与摆杆铰接轴垂直的方向运动于滑座a内。

4.根据权利要求3所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述方框上安装有两个与滑座a螺纹配合的螺杆a，两个螺杆a上均安装有链轮，两个链轮之间通过链条传动连接；一个螺杆a与电机a的输出轴传动连接。

5.根据权利要求3所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述滑座b上安装有两个与滑座b螺纹配合的螺杆b，两个螺杆b上均安装有齿轮a，两个齿轮a同时与滑座a上的齿轮b啮合。

6.根据权利要求1所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述托板可为适应平面玻璃的平板。

7.权利要求1所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备包含的hf酸回收设备，其特征在于：它包括侧板、挤压辊a、电机d、支撑辊a、支撑辊b、吸附带、水槽、挤压辊d、引导板，其中安装于两个侧板之间的挤压辊a、支撑辊a和支撑辊b上安装有吸附带，挤压辊a被电机d驱动，挤压辊a轴线和支撑辊a轴线所在平面倾斜，支撑辊b将吸附带抵压入底部水槽内的流水中；两个侧板之间安装有通过与挤压辊a配合对蚀刻膜挤压的挤压辊d和将蚀刻膜引导至挤压辊a和挤压辊d之间的引导板；两个侧板之间安装有对从水槽内出来的吸附带进行挤压去水的结构和为被挤压辊a和挤压辊d挤压的蚀刻膜提供牵拉力的结构。

8.根据权利要求7所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述支撑辊b通过侧板上的两个固定杆安装于水槽内；水槽底部侧壁具有使得其内水体流动的进水管和出水管。

9.根据权利要求7所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述两个侧板之间安装有对出水吸附带进行挤压的挤压辊b和挤压辊c；挤压辊c所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆a；每个伸缩杆a内均具有对其伸缩复位的弹簧a；两个侧板之间安装有对蚀刻膜上牵拉部挤压牵拉的牵引辊a和牵引辊b；挤压辊a所在辊轴与侧板上电机e的输出轴传动连接；挤压辊b所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆c；每个伸缩杆c内均具有对其伸缩复位的弹簧c；挤压辊d所在辊轴的两端安装有两个沿其径向伸缩且固定于侧板的伸缩杆b；每个伸缩杆b内均具有对其伸缩复位的弹簧b。

10.根据权利要求9所述的一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，其特征在于：所述伸缩杆a由相互套接的外套a和内杆a组成，弹簧a位于外套a内；伸缩杆b由相互套接的外套b和内杆b组成，弹簧b位于外套b内；伸缩杆c由相互套接的外套c和内杆c组成，弹簧c位于外套c内。

技术总结
本发明属于玻璃蚀刻领域，尤其涉及一种柔性曲面玻璃蚀刻设备，它包括托板、摆杆、电机A、方框、电机B、滑座B、电机C、喷酸机构，其中支架上安装有用来放置曲面玻璃的弧形托板并铰接有两个在电机A驱动下绕托板轴线摆动的摆杆，两个摆杆的上端安装有方框，滑座B在电机B和电机C的共同驱动下沿方框所在平面运动于方框内。本发明中的喷酸机构在向蚀刻膜上喷酸对玻璃进行蚀刻的过程中会将HF酸与玻璃化学反应产生的有害气体进行有效回收，保证玻璃时刻中产生的HF酸蒸汽不会散失到工作环境中对工作人员健康造成伤害。

技术研发人员：尹爀俊,欧阳春炜,李述蕾,王强
受保护的技术使用者：赛德半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24