一种气相生长基板独立提升机构及转运系统的制作方法

本技术涉及半导体成膜装置，特别是涉及一种气相生长基板独立提升机构及转运系统。

背景技术：

1、立式成膜装置，晶片衬底位于下炉体基座上。成膜过程中，过程气体从反应室顶部向下流动至晶片衬底表面进行外延生长，同时满足晶片表面达到反应温度以及适当的转速。连续进行成膜工艺，需将成膜后的基板或晶片搬出反应室，再搬入新的晶片衬底。目前，晶片的运转过程中，需要打开反应腔室，停止生产，具有工作效率低的缺陷。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，以解决上述现有技术存在的问题，在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

3、本实用新型提供一种气相生长基板独立提升机构，包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，所述升降杆顶部连接所述支撑座，所述升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接所述升降驱动装置，所述支撑杆设置于所述支撑座的顶部，所述基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供所述支撑杆通过的通道，所述支撑杆能够向上顶升所述基座顶部放置的基板。

4、优选地，所述基座内还设置有导向块，所述导向块套设于所述升降杆的外部，用于所述升降杆的升降导向。

5、优选地，所述升降驱动装置为设置于所述旋转室底部的一气缸。

6、优选地，所述升降杆与所述导向块之间设置有密封圈。

7、优选地，所述升降杆与所述支撑座螺纹连接。

8、优选地，所述支撑杆设置有多根，每根所述支撑杆均螺纹连接于所述支撑座的顶部。

9、本实用新型还提供了一种气相生长基板转运系统，包括上述气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室，所述运转室设置于反应室的一侧，所述运转室内设置有机械臂，所述基板暂存室内设置有升降台；所述基板中心处设置有一能够独立拆卸的晶片提升盘，所述机械臂将反应室内的成膜完成后的晶片连同所述基板转运到所述运转室后，转运至所述基板暂存室内，所述基板暂存室内的升降台由所述基板底部向上顶升所述晶片提升盘，所述晶片提升盘带动所述晶片脱离所述基板，所述机械臂再将晶片转运至所述盒室

10、优选地，所述基板的中心处设置有一带有卡接台肩的通孔，所述晶片提升盘卡接于所述通孔处，所述升降台通过所述通孔顶推所述晶片提升盘使所述晶片提升盘脱离所述通孔。

11、优选地，所述运转室与所述反应室之间设置有隔断阀。

12、本实用新型相对于现有技术取得了以下有益技术效果：

13、1、本实用新型提供的气相生长基板独立提升机构及转运系统，在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产，提高生产效率。

14、2、本实用新型提供的气相生长基板独立提升机构及转运系统，设置整套的转运系统，配合提升机构，全程通过机械臂进行转运，整个转运过程方便快捷。

15、3、在半导体晶片薄膜生长过程中，有部分反应气沉积于基板外周部分影响后续成膜质量，需定期进行清理打磨。生产过程中发生晶片偏移、飞片等情况也可通过提升机构来提升基板搬运至反应室外。

技术特征：

1.一种气相生长基板独立提升机构，其特征在于：包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，所述升降杆顶部连接所述支撑座，所述升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接所述升降驱动装置，所述支撑杆设置于所述支撑座的顶部，所述基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供所述支撑杆通过的通道，所述支撑杆能够向上顶升所述基座顶部放置的基板。

2.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述基座内还设置有导向块，所述导向块套设于所述升降杆的外部，用于所述升降杆的升降导向。

3.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降驱动装置为设置于所述旋转室底部的一气缸。

4.根据权利要求2所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降杆与导向块之间设置有密封圈。

5.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述升降杆与所述支撑座螺纹连接。

6.根据权利要求1所述的气相生长基板独立提升机构，其特征在于：所述支撑杆设置有多根，每根所述支撑杆均螺纹连接于所述支撑座的顶部。

7.一种气相生长基板转运系统，其特征在于：包括权利要求1-6中任一项所述的气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室，所述运转室设置于反应室的一侧，所述运转室内设置有机械臂，所述基板暂存室内设置有升降台；所述基板中心处设置有一能够独立拆卸的晶片提升盘。

8.根据权利要求7所述的气相生长基板转运系统，其特征在于：所述基板的中心处设置有一带有卡接台肩的通孔，所述晶片提升盘卡接于所述通孔处，所述升降台通过所述通孔顶推所述晶片提升盘使所述晶片提升盘脱离所述通孔。

9.根据权利要求7所述的气相生长基板转运系统，其特征在于：所述运转室与所述反应室之间设置有隔断阀。

技术总结
本技术公开了一种气相生长基板独立提升机构及转运系统，提升机构包括升降杆、支撑座、支撑杆和升降驱动装置，升降杆顶部连接支撑座，升降杆底部穿过基座底部的旋转室连接升降驱动装置，支撑杆设置于支撑座的顶部，基座内腔顶部设置的热场和保温组件上设置有供支撑杆通过的通道，支撑杆能够向上顶升基座顶部放置的基板；转运系统包括气相生长基板独立提升机构、运转室、基板暂存室和盒室；本技术在基座内增加基板独立抬升机构并与搬运装置联动，可在短时间内实现成膜后基板搬出和移入待成膜基板。该运转过程不需要打开反应腔室，实现连续生产；设置整套的转运系统，配合提升机构，全程通过机械臂进行转运，整个转运过程方便快捷。

技术研发人员：刘鹏,徐文立,唐凯凯,沈磊
受保护的技术使用者：宁波恒普真空科技股份有限公司
技术研发日：20230116
技术公布日：2024/1/12