一种副室取晶工装的制作方法

本技术涉及光伏制造，特别涉及一种副室取晶工装。

背景技术：

1、目前市场对单晶硅需求量不断增加，提升内部产能尤为重要。单晶在主炉内加工后需要移至副室，副室向一侧旋开后，在一侧取出单晶，现有技术中副室的下方设有两个能够转动开闭的取晶托，由气动方式驱动取晶托的开闭，取晶托能够防止单晶从副室下方掉落。但是由于单晶炉液压承载次数过多，导致副室无法保持完全竖直，副室旋开过程中单晶可能会撞击副室造成硬性接触，从而对单晶造成机械损伤产生裂纹。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种副室取晶工装，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

3、一种副室取晶工装，包括两个取晶托，两个所述取晶托转动地开闭于副室的下方，还包括：

4、至少两个取晶爪，所述取晶托的内侧壁分别与所述取晶爪的上端转动连接，所述取晶爪的下端用于夹持所述副室内单晶的尾部；

5、阻尼，所述阻尼连接于所述取晶爪和取晶托的内侧壁之间。

6、进一步地，所述取晶爪包括主臂和夹持爪，所述主臂的上端与所述取晶托的内侧壁转动连接，所述主臂的下端与所述夹持爪的上端连接。

7、进一步地，所述主臂和夹持爪均倾斜设置，所述主臂与水平线的夹角a大于所述夹持爪与水平线的夹角b。

8、进一步地，所述夹持爪的下端设有多个沿单晶的周向均匀分布的夹持齿，所述夹持齿与所述单晶的周向外壁接触。

9、进一步地，所述阻尼连接于所述主臂和取晶托的内侧壁之间。

10、进一步地，所述取晶爪选用金属材料，至少所述取晶爪与所述单晶接触处的外部设有金属隔离垫或金属隔离涂层。

11、进一步地，所述阻尼采用液压阻尼器。

12、综上，本实用新型至少具有如下技术效果和优点：

13、取晶爪设在现有技术中取晶托的内侧壁上，能够跟随取晶托一同开闭，取晶爪能够夹持副室内单晶的尾部，取晶爪能够稳定单晶，避免副室旋开过程中单晶撞击副室，阻尼对取晶爪和单晶的接触起缓冲作用，能够使取晶爪与单晶的接触为非硬性接触，能够避免取晶爪破坏单晶；本设计结构简单，依托现有的取晶托进行改造，无需增加过多零部件即可实现取单晶稳定单晶，减少单晶尾部裂造成产量损失，成本低廉，改造周期短。

技术特征：

1.一种副室取晶工装，包括两个取晶托，两个所述取晶托转动地开闭于副室的下方，其特征在于，还包括：

2.根据权利要求1所述的副室取晶工装，其特征在于，所述取晶爪包括主臂和夹持爪，所述主臂的上端与所述取晶托的内侧壁转动连接，所述主臂的下端与所述夹持爪的上端连接。

3.根据权利要求2所述的副室取晶工装，其特征在于，所述主臂和夹持爪均倾斜设置，所述主臂与水平线的夹角a大于所述夹持爪与水平线的夹角b。

4.根据权利要求2所述的副室取晶工装，其特征在于，所述夹持爪的下端设有多个沿单晶的周向均匀分布的夹持齿，所述夹持齿与所述单晶的周向外壁接触。

5.根据权利要求2-4任一项所述的副室取晶工装，其特征在于，所述阻尼连接于所述主臂和取晶托的内侧壁之间。

6.根据权利要求1所述的副室取晶工装，其特征在于，所述取晶爪选用金属材料，至少所述取晶爪与所述单晶接触处的外部设有金属隔离垫或金属隔离涂层。

7.根据权利要求1所述的副室取晶工装，其特征在于，所述阻尼采用液压阻尼器。

技术总结
本技术公开了一种副室取晶工装，在现有的取晶托上增加取晶爪和阻尼，取晶爪至少为两个，取晶托的内侧壁分别与取晶爪的上端转动连接，取晶爪的下端用于夹持副室内单晶的尾部；阻尼连接于取晶爪和取晶托的内侧壁之间。本技术的取晶爪能够跟随取晶托一同开闭，取晶爪能够夹持副室内单晶的尾部，取晶爪能够稳定单晶，避免副室旋开过程中单晶撞击副室，阻尼对取晶爪和单晶的接触起缓冲作用，能够使取晶爪与单晶的接触为非硬性接触，能够避免取晶爪破坏单晶；本设计结构简单，依托现有的取晶托进行改造，无需增加过多零部件即可实现取单晶稳定单晶，减少单晶尾部裂造成产量损失，成本低廉，改造周期短。

技术研发人员：史锦璐,杨志,李磊,刘文星
受保护的技术使用者：内蒙古中环晶体材料有限公司
技术研发日：20230421
技术公布日：2024/1/13