一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板的制作方法

本技术涉及氧化镓生长，特别涉及一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板。

背景技术：

1、氧化镓由于其高光学透过率、高击穿场强、低能耗、高稳定性的特点，在紫外区、高温、高频、大功率等高功率电力电子器件和航空航天方面有着非常广泛的应用前景，导模法单晶生长技术则具有晶体生长速度快、尺寸形状可以精确控制、减少加工工序、节约成本的优势，是当前人工生长β-ga2o3最具潜力的方法之一。

2、但是由于氧化镓单晶生长过程中存在熔体温度高(1740-1820℃)、容易挥发、晶体生长各向异性强、导热性差、容易分解等问题，导致单晶生长过程中热场复杂，大尺寸单晶生长技术难度较大，其中半封闭式导模板是采用导模法制备β-ga2o3单晶的核心部件之一，直接影响产品的质量；目前常用的半封闭式导模板是等宽的导模板，导模板之间开有适当宽度的供料缝，氧化镓熔体通过与导模板之间的浸润性，通过毛细作用沿供料缝向上爬升至模具顶部，然而现有用于氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其两组模板之间大多为铆接形式，当氧化镓在两组模板的缝隙内生长完毕后，两组模板的铆接方式拆装较为繁多，对于生长后的氧化镓单晶取料较为不便。为此，本领域技术人员提供了一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的在于提供一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，可以有效解决背景技术中现有氧化镓单晶在生长后取料较为不便的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，包括第一模板和第二模板；

3、所述第一模板和第二模板之间通过销轴对合转动；

4、所述第一模板的对压面开设有第一模腔，所述第二模板的对压面开设有第二模腔，且第一模腔与第二模腔相互对合；

5、所述第一模板与第二模板之间通过螺栓收紧机构对压固定。

6、作为本实用新型再进一步的方案：所述第一模板的对压面正对于第一模腔的腔口外侧开设有向内凹陷的密封压槽，所述第二模板的对压面正对于第二模腔的腔口外侧设置有向外延伸的密封压条，且密封压槽与密封压条相互对合密封。

7、作为本实用新型再进一步的方案：所述第一模腔的料口端开设有第一扩口槽，所述第二模腔的料口端开设有第二扩口槽，且第一扩口槽与第二扩口槽呈v形结构排列，v形结构的夹角范围为100°～150°。

8、作为本实用新型再进一步的方案：所述螺栓收紧机构包括呈两两对称排列在第一模板板架两侧的多组连接座以及呈两两对称排列在第二模板板架两侧的多组对压卡套，所述连接座的输出端设置有收紧螺杆，所述收紧螺杆的外部拧接有收紧螺帽。

9、作为本实用新型再进一步的方案：所述收紧螺杆与对压卡套的数量相同，且收紧螺杆与对压卡套相互一一对应。

10、作为本实用新型再进一步的方案：所述收紧螺帽的帽体外径大于对压卡套的套口内径。

11、与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

12、本实用新型通过利用销轴对第一模板、第二模板的中转传动，能够使第一模板、第二模板之间保持对合闭合状态，继而在螺栓收紧机构的紧压固定下，对第一模板、第二模板进行密封压紧固定，使其内部的两组模腔密封对合，作为氧化镓单晶的生长缝隙，且在氧化镓单晶生长完毕后，只需将螺栓收紧机构拧开，即可将第一模板、第二模板打开，对生长后的氧化镓单晶进行取料，其整体流程操作简单便捷，对于氧化镓单晶取料方便高效。

技术特征：

1.一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，包括第一模板(1)和第二模板(2)；

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述第一模板(1)的对压面正对于第一模腔(4)的腔口外侧开设有向内凹陷的密封压槽(9)，所述第二模板(2)的对压面正对于第二模腔(5)的腔口外侧设置有向外延伸的密封压条(13)，且密封压槽(9)与密封压条(13)相互对合密封。

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述第一模腔(4)的料口端开设有第一扩口槽(7)，所述第二模腔(5)的料口端开设有第二扩口槽(8)，且第一扩口槽(7)与第二扩口槽(8)呈v形结构排列，v形结构的夹角范围为100°～150°。

4.根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述螺栓收紧机构包括呈两两对称排列在第一模板(1)板架两侧的多组连接座(10)以及呈两两对称排列在第二模板(2)板架两侧的多组对压卡套(6)，所述连接座(10)的输出端设置有收紧螺杆(11)，所述收紧螺杆(11)的外部拧接有收紧螺帽(12)。

5.根据权利要求4所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述收紧螺杆(11)与对压卡套(6)的数量相同，且收紧螺杆(11)与对压卡套(6)相互一一对应。

6.根据权利要求4所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述收紧螺帽(12)的帽体外径大于对压卡套(6)的套口内径。

技术总结
本技术涉及氧化镓生长技术领域，公开了一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，所述第一模板和第二模板之间通过销轴对合转动，所述第一模板的对压面开设有第一模腔，所述第二模板的对压面开设有第二模腔，所述第一模板与第二模板之间通过螺栓收紧机构对压固定。本技术通过利用销轴对第一模板、第二模板的中转传动，能够使第一模板、第二模板之间保持对合闭合状态，继而在螺栓收紧机构的紧压固定下，对第一模板、第二模板进行密封压紧固定，使其内部的两组模腔密封对合，作为氧化镓单晶的生长缝隙，且在氧化镓单晶生长完毕后，只需将螺栓收紧机构拧开，即可将第一模板、第二模板打开，对生长后的氧化镓单晶进行取料。

技术研发人员：王鑫,张秀芳,孙士龙
受保护的技术使用者：青岛芯康半导体科技有限公司
技术研发日：20230519
技术公布日：2024/1/15