本技术涉及玻璃,具体涉及一种强化玻璃和电子设备。
背景技术:
1、玻璃基材的内部自身存在大量的微裂纹,在外力或者环境介质的作用下容易使裂纹发生扩展,玻璃基材在被加工为具有一定外观形状的玻璃制品的过程中,需要经过如切割、雕刻、热弯、抛光等生产工艺,这些生产工艺会在加工的过程中对玻璃基材造成一定程度的损伤,造成玻璃基材内部的微裂纹扩展或者产生新的微裂纹,该微裂纹较难检测,且降低玻璃制品的机械性能。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是提供一种强化玻璃和电子设备,解决玻璃内部的微裂纹较易扩展,影响玻璃的机械性能的问题。
2、为实现本实用新型的目的,本实用新型提供了如下的技术方案:
3、第一方面,本实用新型提供了一种强化玻璃,包括:基板,包括相背的第一表面和第二表面;第一压应力层,设置于所述第一表面;微晶层,设置于所述第一压应力层背向所述基板的至少部分表面;第二压应力层,设置于所述第二表面,以所述第一表面至所述第二表面的方向为厚度方向,所述第一压应力层的厚度的均匀度大于所述第二压应力层的厚度的均匀度。
4、一种实施方式中,所述微晶层、所述第一压应力层、所述基板、所述第二压应力层为一体式结构。
5、一种实施方式中,所述微晶层和所述强化玻璃满足关系式:0.001≤l1/l≤0.2;其中,l1为所述微晶层的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
6、一种实施方式中,所述微晶层在所述基板上的正投影的面积小于或者等于所述第一压应力层在所述基板上的正投影的面积。
7、一种实施方式中,所述第一压应力层背向所述微晶层的表面垂直于厚度方向,所述第二压应力层朝向所述第一压应力层的表面为波浪状,具有交替分布的多个波峰和多个波谷。
8、一种实施方式中,在厚度方向上,所述第一压应力层朝向所述第二压应力层的表面与所述第二压应力层在所述波峰处的极值点之间具有间距。
9、一种实施方式中,所述第二压应力层在多个所述波峰处的厚度相等,所述第二压应力层在多个所述波谷处的厚度相等。
10、一种实施方式中,所述第二压应力层满足关系式:0.2≤l2/l3≤0.8;其中,l2为所述第二压应力层在所述波谷处的厚度,l3为所述第二压应力层在所述波峰处的厚度。
11、一种实施方式中,所述第二压应力层和所述强化玻璃满足关系式:0.1≤l3/l≤0.4;其中,l3为所述第二压应力层在所述波峰处的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
12、一种实施方式中,所述第一压应力层和所述强化玻璃满足关系式:0.1≤l4/l≤0.4;其中,l4为所述第一压应力层的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
13、一种实施方式中,所述微晶层的晶体相的尺寸为5nm-150nm。
14、一种实施方式中,所述强化玻璃还包括第三压应力层和第四压应力层,所述第三压应力层位于所述微晶层背向所述第一压应力层的一侧,所述第四压应力层位于所述第二压应力层背向所述基板的一侧。
15、第二方面,本实用新型还提供了一种电子设备,包括如第一方面任一实施方式所述的强化玻璃,所述强化玻璃的微晶层背向第二压应力层的表面朝向所述电子设备的外部空间,所述强化玻璃的所述第二压应力层背向所述微晶层的表面朝向所述电子设备的内部空间。
16、本实用新型提供的强化玻璃包括基板、第一压应力层、第二压应力层和微晶层,基板的表面依次设置有第一压应力层和微晶层,相背的另一表面设置有第二压应力层,使得强化玻璃相背的两侧均设置有压应力层,有利于第一压应力层和第二压应力层阻碍微裂纹的扩展,提高强化玻璃的机械性能,微晶层设置在第一压应力层背向基板的至少部分表面,有利于进一步提高强化玻璃的表面硬度,进一步阻碍微裂纹的扩展;同时,第二压应力层的厚度的均匀度小于第一压应力层的厚度的均匀度,使得第二压应力层朝向基板的一侧形成凹凸不均的表面,能够产生抵抗更多方向冲击力的压应力,提升第二压应力层抵抗外力冲击的能力,使强化玻璃具备较好的抗跌落能力和抗冲击能力。
1.一种强化玻璃,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述微晶层、所述第一压应力层、所述基板、所述第二压应力层为一体式结构。
3.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述微晶层和所述强化玻璃满足关系式:0.001≤l1/l≤0.2;其中,l1为所述微晶层的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
4.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述微晶层在所述基板上的正投影的面积小于或者等于所述第一压应力层在所述基板上的正投影的面积。
5.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述第一压应力层背向所述微晶层的表面垂直于厚度方向,所述第二压应力层朝向所述第一压应力层的表面为波浪状,具有交替分布的多个波峰和多个波谷。
6.如权利要求5所述的强化玻璃,其特征在于,在厚度方向上,所述第一压应力层朝向所述第二压应力层的表面与所述第二压应力层在所述波峰处的极值点之间具有间距。
7.如权利要求5所述的强化玻璃,其特征在于,所述第二压应力层在多个所述波峰处的厚度相等,所述第二压应力层在多个所述波谷处的厚度相等。
8.如权利要求5所述的强化玻璃,其特征在于,所述第二压应力层满足关系式:0.2≤l2/l3≤0.8;其中,l2为所述第二压应力层在所述波谷处的厚度,l3为所述第二压应力层在所述波峰处的厚度。
9.如权利要求5所述的强化玻璃,其特征在于,所述第二压应力层和所述强化玻璃满足关系式:0.1≤l3/l≤0.4;其中,l3为所述第二压应力层在所述波峰处的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
10.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述第一压应力层和所述强化玻璃满足关系式:0.1≤l4/l≤0.4;其中,l4为所述第一压应力层的厚度,l为所述强化玻璃的整体厚度。
11.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述微晶层的晶体相的尺寸为5nm-150nm。
12.如权利要求1所述的强化玻璃,其特征在于,所述强化玻璃还包括第三压应力层和第四压应力层,所述第三压应力层位于所述微晶层背向所述第一压应力层的一侧,所述第四压应力层位于所述第二压应力层背向所述基板的一侧。
13.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至12任一项所述的强化玻璃,所述强化玻璃的微晶层背向第二压应力层的表面朝向所述电子设备的外部空间,所述强化玻璃的所述第二压应力层背向所述微晶层的表面朝向所述电子设备的内部空间。