一种分等级结构碳插层MoS₂@rGO的制备方法

一种分等级结构碳插层MoS₂@rGO的制备方法
【专利摘要】本发明属于纳米材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L?半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得碳插层的MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的复合物。该制备方法简单，重复性好、有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。
【专利说明】
一种分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法
技术领域
[000?]本发明属于纳米材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法。
【背景技术】
[0002]石墨烯的发现及对其研究所取得的巨大成功，激发了人们对其他层状二维纳米材料研究的极大兴趣，MoS2是一种典型的类石墨结构的层状二元化合物，层与层间通过较弱的范德华力结合，从而容易被剥离成较薄的纳米片，在润滑、催化以及能量储存与转换等领域具有广泛的应用前景。最近，构筑层状结构的MoS2/石墨烯二元复合材料，由于其结合了MoS2、石墨烯两种材料的优点，成为近来的研究热点。文献中已经报道了许多种不同的方法合成了很多不同形貌结构的MoS2/石墨烯复合材料，扩展了其在催化、储能等领域的应用。但是到目前为止，还未有关于分等级结构碳插层的MoS2OrGO复合材料的报道。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种分等级结构碳插层MoS2OrGO的制备方法。本发明制得了碳插层的M0S2纳米片垂直生长在石墨稀表面的复合物，使得M0S2纳米片的表面活性位点最大化。
[0004]为实现上述发明目的，本发明的技术方案为:
一种分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法，将hummer s方法改进的氧化石墨稀和Mo30iq(C2HiqN2)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L-半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得。
[0005]氧化石墨烯、Mo3Oiq(C2HiqN2)、L-半胱氨酸和葡萄糖的质量比为:10mg:0.125g:0.375g:0.2go
[0006]所述的水热反应为:200°C水热反应15h。
[0007]所述的惰性气氛为:HdPAr的混合气，出所占体积分数为5%;所述的煅烧为800V煅烧2h。
[0008]氧化石墨烯的制备方法为:在冰水浴下，将2g鳞片石墨和I g硝酸钠加入到60 ml浓硫酸中，搅拌10 min后，缓慢加入6 g高锰酸钾，控制水温不超过5
°C，高锰酸钾添加完毕后；将温度升高到35 °C，水浴两小时，然后缓慢加入90 ml去离子水，搅拌10 min后；继续添加280 ml去离子水，然后加入30 ml质量分数为30 %的出02，依次用质量分数5 %的此1和去离子水反复洗涤后透析一星期即得到氧化石墨烯水溶液。
[0009]一种如上所述的制备方法制得的分等级结构碳插层Mo S2@rG0。
[0010]本发明的有益效果在于:
1)本发明制得了碳插层的M0S2纳米片垂直生长在石墨稀表面的复合物，使得M0S2纳米片的表面活性位点最大化；
2)本发明的制备方法简单，重复性好、有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。
【附图说明】
[0011 ]图1 (a)为分等级结构碳插层的MoS2OrGO复合物的扫描电镜图；
图1(b)、图1(c)、图1(d)为分等级结构碳插层的MoS2OrGO复合物的透射电镜图；其中，图1(c)中的插图为电子衍射图；
图2为分等级结构碳插层的MoS2OrGO复合物的拉曼谱图。
【具体实施方式】
[0012]本发明用下列实施例来进一步说明本发明，但本发明的保护范围并不限于下列实施例。
[0013]实施例1
1)氧化石墨烯的制备方法为:在冰水浴下，将2g鳞片石墨和I g硝酸钠加入到60 ml浓硫酸中，搅拌10 min后，缓慢加入6 g高锰酸钾，控制水温不超过5°C，高锰酸钾添加完毕后；将温度升高到35 °C，水浴两小时，然后缓慢加入90 ml去离子水，搅拌10 min后;继续添加280 ml去离子水，然后加入30 ml质量分数为30 %的出02，依次用质量分数5 %的此1和去离子水反复洗涤后透析一星期即得到氧化石墨烯水溶液；
2)—种分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法，将hummers方法改进的氧化石墨稀10n^PMo30iQ(C2HiQN2)0.125g分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入0.375g L-半胱氨酸和
0.2g葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得。
[0014]以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1.一种分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法，其特征在于:将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo3Oiq(C2HiqN2)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L-半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得。2.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS2@rG0的制备方法，氧化石墨稀、M03O10(C2H10N2)、L-半胱氨酸和葡萄糖的质量比为:1mg:0.125g:0.375g:0.2go3.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS2OrGO的制备方法，其特征在于:所述的水热反应为:200°C水热反应15h。4.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS2OrGO的制备方法，其特征在于:所述的惰性气氛为:HdPAr的混合气，出所占体积分数为5%;所述的煅烧为800 °C煅烧2h。5.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS2OrGO的制备方法，其特征在于:氧化石墨烯的制备方法为:在冰水浴下，将2 g鳞片石墨和I g硝酸钠加入到60 ml浓硫酸中，搅拌10 min后，缓慢加入6 g高猛酸钾，控制水温不超过5 °C，高锰酸钾添加完毕后;将温度升高到35 °C，水浴两小时，然后缓慢加入90 ml去离子水，搅拌10 min后；继续添加280 ml去离子水，然后加入30 ml质量分数为30 %的出02，依次用质量分数5 %的此1和去离子水反复洗涤后透析一星期即得到氧化石墨烯。6.—种根据权利要求1-5任一项所述的制备方法制得的分等级结构碳插层Mo&OrGO。
【文档编号】B82Y30/00GK105836804SQ201610212081
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】李亚峰, 魏明灯, 车宗洲, 陈凯翔
【申请人】福州大学