一种微晶金刚石瓷砖的制备方法

文档序号:10642066阅读:294来源:国知局
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法
【专利摘要】本发明涉及建筑装陶瓷技术领域,具体而言涉及一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,包括以下步骤:1)将用于基砖砖坯原料混合压制成基砖砖坯;2)在基砖砖坯表面内布施面釉;3)在面釉上喷墨渗花印制花纹;4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉;5)进窑烧制;6)烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。本发明制备的微晶金刚石瓷砖表层微晶层较薄、耐磨性好、防污强。
【专利说明】
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及建筑装陶瓷技术领域,具体而言涉及一种微晶金刚石瓷砖的制备方法。
【背景技术】
[0002]陶瓷越来越多地应用到建筑行业,陶瓷砖产品广泛地应用于公共设施、建筑行业及家庭中。随着现代建筑陶瓷建材装饰要求的提高,具有天然石材时尚、高贵等特性的建筑陶瓷微晶金刚石瓷砖越来越得到广泛使用。
[0003]传统微晶石瓷砖虽然具有板面晶莹柔润、流光溢彩的装饰效果,但表面釉层玻璃相多,莫氏硬度较低,容易划伤。
[0004]另传统的微晶石瓷砖虽然解决了图案多样化,色彩更鲜艳,线条清晰,但生产工艺上玻璃层较厚易产生气孔,其防污性能差且生产成本较高。

【发明内容】

[0005]本发明的目的是提供一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,以解决制备的微晶金刚石瓷砖表层微晶层较厚、不耐磨、防污差的问题。
[0006]为实现本发明的目的,采用的技术方案为:
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,包括以下步骤:
1)将用于基砖砖还原料混合压制成基砖砖还;
2)在基砖砖坯表面内布施面釉;
3)在面釉上喷墨渗花印制花纹;
4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉;
5)进窑烧制;
6 )烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。
[0007]优选的,所述步骤I)中压制是采用吨位大于1000吨的压机压制。
[0008]优选的,所述步骤I)制得的基砖砖坯表面边缘处四周有规整凹槽。
[0009]优选的,所述凹槽内侧基砖砖坯表面边部成扁平状。
[0010]优选的,所述凹槽距离基砖砖坯边缘5-30mm,所述凹槽宽度为0.5_3cm、深度为0.2—3mm ο
[0011]优选的,所述步骤4)布施金刚釉和透明釉还可采用2200吨压机压制充平。
[0012]优选的,所述步骤5)在窑内一次烧制经过两个阶段完成,第一阶段烧制温度为1150-1180°C,第二阶段 1200-1350°C。
[0013]本发明有益效果:
一、采用喷墨渗花,实现了图案多样化,纹理更丰富,发色更鲜艳,色调更鲜明。
[0014]二、整片砖质感更完美,使用的效果更好,表面布施含有350-1000目的金刚砂透明釉,即形成金刚釉,金刚釉层厚度小于1mm,边部的透明釉层厚度在l-3mm,减少了砖面的玻璃相,添加有金刚砂提升了产品的莫氏硬度和耐磨度,在砖坯四周扁平化处理再布施透明釉,这样即节约了原料,同时使其表面具有微晶石的砖面质感和侧面表观有较厚的微晶层,提升了产品表面的莫来石晶相而不影响砖面的晶莹通透质感效果。
[0015]三、本发明采用砖坯压制采用大吨位压机,使砖坯压制后更密紧,同时对釉层也采用压机压紧夯实,再配以后期采用不同梯度的温度烧制,最终产品无气泡产生,表面只需一次抛光即可,产生的小凹坑极少,因此其也具有十分良好的防污性,使用后长期都保持光泽度,清理方便。
[0016]四、砖坯压制时四周设有凹槽,切边方便,同时采用同样的透明釉底料,表层和四周的釉层接触处不会出现分层现象,达到完美融合。
[0017]五、采用本发明制备的瓷砖,在原有工艺性能参数不降低的情况下,节约了用料,降低了成本。
【附图说明】
[0018]图1为基砖砖还的俯视图。
[0019]图2为基砖砖坯的剖视图。
【具体实施方式】
[0020]如图1、2所示,采用压机将砖坯压制成图2中所示结构基砖砖坯I,其上设有凹槽2,凹槽2内填充透明釉,凹槽2内侧的基砖砖还表面依次设有面釉层3、印花层4和金刚釉层5,凹槽内侧砖坯表面边部采用扁平状,后期切割后侧视可形成一个渐变的过程,提升美感。设计凹槽I并在其内填充透明釉,后期加工沿着凹槽I垂直方向上切割,这样上层表现为微晶层,下层表现为瓷砖底坯层。
[0021]实施例1
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,包括以下步骤:
1)将用于基砖砖还原料混合,采用吨位为1000吨的压机压制成基砖砖还,基砖砖还表面边部四周有规整凹槽,凹槽内侧基砖砖坯表面边部成扁平状,凹槽距离基砖砖坯边缘5mm,凹槽宽度为0.5cm、深度为0.2mm;
2)在基砖砖坯表面内布施面釉,起着装饰和底层隔离作用;
3)在面釉上喷墨渗花印制花纹;
4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉,布施后米用2200吨压机将金刚釉和透明釉压制充平;
5)进窑烧制,在窑内一次烧制经过两个阶段完成,第一阶段烧制温度为1150°C,第二阶段 1200。。;
6 )烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。
[0022]实施例2
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,包括以下步骤:
I)将用于基砖砖还原料混合,米用吨位为8000吨的压机压制成基砖砖还,基砖砖还表面边部四周有规整凹槽,凹槽内侧基砖砖坯表面边部成扁平状,凹槽距离基砖砖坯表面边部15mm,凹槽宽度为1.5cm、深度为0.9mm; 2)在基砖砖坯表面内布施面釉,起着装饰和底层隔离作用;
3)在面釉上喷墨渗花印制花纹;
4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉,布施后米用2200吨压机将金刚釉和透明釉压制充平;
5)进窑烧制,在窑内一次烧制经过两个阶段完成,第一阶段烧制温度为1165°C,第二阶段 1290°C;
6 )烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。
[0023]实施例3
一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,包括以下步骤:
1)将用于基砖砖还原料混合,米用吨位为9000吨的压机压制成基砖砖还,基砖砖还表面边部四周有规整凹槽,凹槽内侧基砖砖坯表面边部成扁平状,凹槽距离基砖砖坯表面边部30mm,凹槽宽度为3cm、深度为3mm;
2)在基砖砖坯表面内布施面釉,起着装饰和底层隔离作用;
3)在面釉上喷墨渗花印制花纹;
4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉,布施后米用2200吨压机将金刚釉和透明釉压制充平;
5)进窑烧制,在窑内一次烧制经过两个阶段完成,第一阶段烧制温度为1180°C,第二阶段 1350°C;
6 )烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。
[0024]应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:包括以下步骤: 1)将用于基砖砖还原料混合压制成基砖砖还; 2)在基砖砖坯表面内布施面釉; 3)在面釉上喷墨渗花印制花纹; 4)在所述花纹表面布施一层金刚釉,再在四周布施一圈透明釉; 5)进窑烧制; 6 )烧制后经过抛光、切边、磨边后制得成品。2.根据权利要求1所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述步骤I)中压制是采用吨位大于1000吨以上的压机压制。3.根据权利要求1所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述步骤I)制得的基砖砖坯表面边缘处有规整凹槽。4.根据权利要求3所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述凹槽内侧基砖砖坯表面边缘处成扁平状。5.根据权利要求3所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述凹槽距离基砖砖坯边缘5-30mm,所述凹槽宽度为0.5-3cm、深度为0.2-3mm。6.根据权利要求1所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述步骤4)布施金刚釉和透明釉采用2200吨压机压制充平。7.根据权利要求1所述微晶金刚石瓷砖的制备方法,其特征在于:所述步骤5)在窑内一次烧制经过两个阶段完成,第一阶段烧制温度为1150-1180°C,第二阶段1200-1350°C。
【文档编号】C04B41/86GK106007811SQ201610358021
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】杨建明
【申请人】四川省新万兴瓷业有限公司
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