专利名称：化学增幅型抗蚀剂组合物及其所使用的盐的制作方法
技术领域：
本发明涉及化学增幅型抗蚀剂组合物及其所使用的盐。
背景技术：
在半导体领域中一直不断要求微细加工，光致抗蚀剂的曝光光源的短波长化正不 断发展。但是，短波长化会导致曝光强度的降低。为了解决该问题开发了利用酸产生剂的 化学增幅型抗蚀剂组合物。通过光照射由酸产生剂产生的酸作为催化剂发挥作用，由此促 进可溶化反应(正型时)及固化反应(负型时)，因此化学增幅型抗蚀剂组合物可以实现高 感度。作为这种酸产生剂例如已知三苯基锍盐1-金刚烷甲氧基羰基二氟甲磺酸酯等(专 利文献1的实施例)。专利文献1 日本特开2004-4561号公报
发明内容
发明预解决的技术问题化学增幅型抗蚀剂组合物要求高分辨率和良好的光罩错误增强因子(Mask Error-Enhancement Factor)。本发明着眼于该事实而完成，其目的在于提供分辨率和光罩 错误增强因子优异的化学增幅型抗蚀剂组合物。用于解决技术问题的方法本发明人等深入研究的结果发现，在抗蚀剂组合物中使用新型的盐作为酸产生剂 时，可以达成上述目的。本发明包括以下的发明。[1]式(1)所示的盐
权利要求
式(A1)所表示的盐，式(A1)中，Z+表示有机阳离子；Q1和Q2各自独立地表示氟原子或者直链状或支链状的C1 6全氟烷基；La1表示 (CH2)m1 ，m1表示1～6的整数，所述 (CH2)m1 的亚甲基可以被氧原子 O 或羰基 CO 取代，所述 (CH2)m1 的氢原子还可以被直链状或支链状的C1 4脂肪族烃基取代；La2表示单键、 O (CH2)L1 或 CO O (CH2)L1 ，L1表示1～6的整数，所述 (CH2)L1 的亚甲基可以被氧原子或羰基取代，所述 (CH2)L1 的氢原子还可以被直链状或支链状的C1 4脂肪族烃基取代；Ra1表示2价的环式C4 36脂肪族烃基或2价的C6 18芳香族烃基，所述2价的环式脂肪族烃基或所述芳香族烃基的氢原子可以被卤原子、直链状、支链状或环式的C1 12脂肪族烃基、C7 21芳烷基、环氧丙氧基或C2 4酰基取代，所述2价的环式脂肪族烃基的氢原子还可以被C6 20芳香族烃基取代，所述直链状、支链状或环式的脂肪族烃基或者所述芳烷基的亚甲基还可以被氧原子或羰基取代；Ra2为式(II 1)或式(II 2)所示的离去基，式(II 1)中，Ra3和Ra4各自独立地表示氢原子，或者直链状或支链状的C1 12脂肪族烃基；Ra5表示直链状、支链状或环式的C1 24脂肪族烃基，式(II 2)中，Ra6表示2价的C2 24脂肪族烃基，Ra7表示直链状或支链状的C1 12脂肪族烃基。FSA00000209094900011.tif,FSA00000209094900012.tif
2.根据权利要求1所述的盐，其中，Ral用式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)或式(1-4)中的任一者表示，
3.根据权利要求1或2所述的盐，其中，Lal表示-C0-0-或-C0-0-(CH2) kl-，Ic1表示1 4的整数。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的盐，其含有式(al-1-l)、式(al-1-2)、式 (al-1-3)、式(al-1-4)、式(al_l_5)、式(al_2_l)、式(al_3_l)或式(al_4_l)或式 (al-5-l)所示的阴离子，
5.根据权利要求1 4中任一项所述的盐，其中，Z+用式(a2-l)或式(a2_2)表示，
6.根据权利要求5所述的盐，其中，Z+用式(a2-l-l)表示，
7.—种酸产生剂，其含有权利要求1 6中任一项所述的盐。
8.一种抗蚀剂组合物，其含有权利要求1 6中任一项所述盐和通过酸的作用变为碱 可溶性的树脂。
9.根据权利要求8所述的抗蚀剂组合物，其还含有碱性化合物。
全文摘要
本发明提供分辨率和光罩错误增强因子优异的化学增幅型抗蚀剂组合物。当在抗蚀剂组合物中使用式(A1)所示盐作为酸产生剂时，可以达成上述目的。[式(A1)中，Z+表示有机阳离子；Q1和Q2各自独立地表示氟原子或全氟烷基；Ra1表示2价的环式脂肪族烃基等；Ra2为式(II-1)或式(II-2)所示的离去基团；式(II-1)和式(II-2)中，Ra3和Ra4表示氢原子或脂肪族烃基；Ra5表示脂肪族烃基；Ra6表示2价的脂肪族烃基；Ra7表示脂肪族烃基。]
文档编号C07C309/17GK101967116SQ20101023969
公开日2011年2月9日 申请日期2010年7月27日 优先权日2009年7月27日
发明者吉田勋, 山口训史, 市川幸司 申请人:住友化学株式会社