本发明属于高分子材料改性领域，具体涉及一种LED灯透光显示用HIPS材料及其制备方法。
背景技术：
：随着家电的发展，对外观的要求及成本要求越来越严格，而且从减少装配工序及减少人手的角度考虑，家用电器外壳使用隐藏显示技术的趋势越来越广泛。隐藏显示可以保持外壳面板的一体成型，改善材料美观及减少工序。隐藏显示技术需要把LED等放置塑料件后面，然而LED灯长期光辐照，塑料树脂中的微量物质会发生结果变化，光路会被击穿，使得塑料树脂变白变紫，在制件表面显现出一个数字的印子，难以消退。这个瓶颈严重制约了家电的发展。HIPS材料由于本身自有的丁二烯双键结构，材料的耐候性能比较差，同时HIPS在家电外壳的应用比较广泛，因此在经过LED等长期光辐射时，很容易出现变色以致在制品表面出现数字印的现象。另外色粉及助剂的添加也会对制品的透光度有影响，灯光容易出现不清晰的现象。因此需要对HIPS材料进行改性。技术实现要素：本发明的目的是解决上述现有技术中存在的HIPS材料光腐蚀变色的技术问题，提供一种LED灯透光显示用HIPS材料及其制备方法。为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：一种LED灯透光显示用HIPS材料，按照重量份数，包括以下组分：HIPS树脂86~97份LED光阻隔母粒2~10份钛白粉0.7~1.1份抗氧剂0.1~0.8份光稳定剂0.8~2.5份润滑剂0.2~2份。进一步地，所述LED光阻隔母粒含有EVA和纳米硫酸钡，还含有硫化锌、氧化锌、纳米蒙脱土中的至少一种。进一步地，按照重量份数，所述EVA的含量是20~30份，所述纳米硫酸钡的含量是50~60份，所述硫化锌、氧化锌、纳米蒙脱土的总含量是15~25份。进一步地，按照重量份数，所述LED光阻隔母粒含有20~30份EVA、50~60份纳米硫酸钡、3~8份硫化锌、3~10份氧化锌、10~18份纳米蒙脱土。进一步地，所述钛白粉为金红石型钛白粉，粒径为10~20nm，并经硅酸钠包覆处理。进一步地，所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂、硫类抗氧剂或者复合抗氧剂中的至少一种。进一步地，所述受阻酚类抗氧剂选自β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸正十八碳醇酯、四[β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯、1,3,5-三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-(1H,3H,5H)-三酮、二缩三乙二醇双[β-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯、双(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基膦酸单乙酯)钙、N,N’-双-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰]六甲撑二胺、4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚）；所述亚磷酸酯类抗氧剂选自亚磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯、四(2,4-二叔丁基酚)-4,4-联苯基二亚磷酸酯；所述硫类抗氧剂选自Anoxsyn442、DLTP、Irganox1035、1192；所述复合抗氧剂选自Ultranox815A、817A、Naugard900、CyanoxXS4。进一步地，所述光稳定剂选自受阻胺类、亚磷酸酯类、苯并三唑类、二苯甲酮类、乙酰苯胺类、三嗪类中的至少一种。进一步地，所述润滑剂选自季戊四醇硬脂酸酯、N,N’-已撑双硬脂酰胺、单硬脂酸甘油酯、酰胺蜡、硬脂酸正丁酯、硬脂酸锌、硬脂酸钙中的至少一种。一种制备上述的HIPS材料的方法，包括以下步骤：S1、称取LED光阻隔母粒的原料，使用搅拌机搅拌均匀，然后用双螺杆挤出机挤出造粒，得到LED光阻隔母粒；S2、称取HIPS材料的原料，加入混料机中混合，将混合好的物料加到双螺杆挤出机中，经熔融共混，挤出造粒，得到LED灯透光显示用HIPS材料。本发明具有以下有益效果：本发明通过添加自制的光阻隔母粒，有效改善HIPS制品表面的LED显示亮度，同时光阻隔母粒、耐候助剂及钛白粉之间的协同作用降低了LED光在塑料件中的腐蚀现象，从而达到消除光蚀刻材料现象。本发明的HIPS系列材料，具有优良的耐LED灯光源长期照射后变色较少的性能，耐光腐蚀性能优异，同时保证LED光源的透光度及显示区域的亮度及柔和度，保证塑料制品的透光显示性能，另外该材料能够在UV-B测试条件满足色差值小于3的要求，可以改善制品的整体耐候性能,材料光泽度也得到保证。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。以下实施例所用所述钛白粉为金红石型钛白粉，粒径为10~20nm，并经硅酸钠包覆处理。所用抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂、硫类抗氧剂或者复合抗氧剂中的至少一种；受阻酚类抗氧剂选自β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸正十八碳醇酯、四[β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯、1,3,5-三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-(1H,3H,5H)-三酮、二缩三乙二醇双[β-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯、双(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基膦酸单乙酯)钙、N,N’-双-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰]六甲撑二胺、4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚）；亚磷酸酯类抗氧剂选自亚磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯、四(2,4-二叔丁基酚)-4,4-联苯基二亚磷酸酯；硫类抗氧剂选自Anoxsyn442、DLTP、Irganox1035、1192；复合抗氧剂选自Ultranox815A、817A、Naugard900、CyanoxXS4。所用光稳定剂选自受阻胺类、亚磷酸酯类、苯并三唑类、二苯甲酮类、乙酰苯胺类、三嗪类中的至少一种。所用润滑剂选自季戊四醇硬脂酸酯、N,N’-已撑双硬脂酰胺、单硬脂酸甘油酯、酰胺蜡、硬脂酸正丁酯、硬脂酸锌、硬脂酸钙中的至少一种。实施例1本实施例的HIPS材料原料为：HIPS树脂93份LED光阻隔母粒4份钛白粉0.8份抗氧剂0.7份光稳定剂1.2份润滑剂0.3份。制备方法如下：1、称取LED光阻隔母粒的原料（25份EVA作为载体，54份纳米硫酸钡、5份硫化锌、4份氧化锌、12份纳米蒙脱土），使用高速搅拌机搅拌均匀（3分钟），然后用双螺杆挤出机在180℃挤出造粒，得到LED光阻隔母粒；2、称取以上HIPS材料的原料，加入混料机中混合，将混合好的物料加到双螺杆挤出机中，经熔融共混，挤出造粒，得到LED灯透光显示用HIPS材料。实施例2本实施例的HIPS材料原料为：HIPS树脂91份LED光阻隔母粒6份钛白粉0.8份抗氧剂0.7份光稳定剂1.2份润滑剂0.3份。制备方法如下：1、称取LED光阻隔母粒的原料（21份EVA作为载体，60份纳米硫酸钡、8份硫化锌、7份氧化锌、10份纳米蒙脱土），使用高速搅拌机搅拌均匀（5分钟），然后用双螺杆挤出机在175℃挤出造粒，得到LED光阻隔母粒；2、称取以上HIPS材料的原料，加入混料机中混合，将混合好的物料加到双螺杆挤出机中，经熔融共混，挤出造粒，得到LED灯透光显示用HIPS材料。实施例3本实施例的HIPS材料原料为：HIPS树脂89份LED光阻隔母粒7.5份钛白粉0.8份抗氧剂0.4份光稳定剂1.8份润滑剂0.5份。制备方法如下：1、称取LED光阻隔母粒的原料（30份EVA作为载体，50份纳米硫酸钡、3份硫化锌、5份氧化锌、14份纳米蒙脱土），使用高速搅拌机搅拌均匀（4分钟），然后用双螺杆挤出机在185℃挤出造粒，得到LED光阻隔母粒；2、称取以上HIPS材料的原料，加入混料机中混合，将混合好的物料加到双螺杆挤出机中，经熔融共混，挤出造粒，得到LED灯透光显示用HIPS材料。实施例4本实施例的HIPS材料原料为：HIPS树脂86份LED光阻隔母粒2份钛白粉1.1份抗氧剂0.1份光稳定剂2.5份润滑剂2份。LED光阻隔母粒的原料：27份EVA作为载体，58份纳米硫酸钡、6份氧化锌、18份纳米蒙脱土。制备方法与实施例1相同。实施例5本实施例的HIPS材料原料为：HIPS树脂97份LED光阻隔母粒10份钛白粉0.7份抗氧剂0.8份光稳定剂0.8份润滑剂0.2份。LED光阻隔母粒的原料：26份EVA作为载体，52份纳米硫酸钡、3份氧化锌、12份纳米蒙脱土。制备方法与实施例1相同。对比例未加入LED光阻隔母粒，其原料为：HIPS树脂97份钛白粉0.8份抗氧剂0.7份光稳定剂1.2份润滑剂0.3份。制备方法如下：先按照比例称取以上组分，并加入混料机中混合，将混合好的物料加到双螺杆挤出机的料斗中，经熔融共混，挤出造粒，得到空白样HIPS材料。性能测试实施例1~3和对比例的HIPS材料主要物性指标如下表所示：项目测试标准空白样实施例1实施例2实施例3LED连续照射无腐蚀现象保持时间≥800h22513201152864透光度（光敏测试）≥1215141413UV-B(96h)后色差≤3.04.52.02.42.7拉伸强度保持率（氙灯800h）≥9085939294冲击强度保持率（氙灯800h）≥8073868687从以上表格中可以看出，不添加光阻隔母粒，LED光照连续照射无腐蚀现象保持时间明显减少，在添加光阻隔母粒的情况下，在LED光源长期照射下不变色的同时，材料使用光敏测试方法也能够保证材料的透光度达到标准，LED灯光比较透而且没有发散的现象。使用氙灯老化箱测试时，材料的耐候性能都能够大幅提升，拉伸强度保持率、冲击强度保持率优于对比样品，在UV-B测试条件满足色差值小于3的要求。因此，用本发明的抗光腐蚀型HIPS材料制成的空调器壳体的面板，具有良好的透光性和光泽度，保证了面板的外观，并可以用作面板光源的隐藏与显示；面板能够在LED光源的长期照射后进行显示时不变色，具有抗光腐蚀的效果，提高了面板的显示效果，同时提高了用户的满意度。以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何属于本
技术领域：
的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。当前第1页1 2 3