烃的制造装置及烃的制造方法与流程

文档序号:26001305发布日期:2021-07-23 21:18阅读:来源:国知局

技术特征:

1.烃的制造装置,其制造含有包含丙烯的低级烯烃和碳原子数6以上且10以下的芳香族烃中的至少一者的化合物的烃,

所述制造装置具备:

第1供给部,供给包含一氧化碳和氢的原料气体;和

烃生成部,从所述第1供给部供给所述原料气体,一边将催化剂结构体在150℃以上且低于300℃的第1温度或者350℃以上且低于550℃的第2温度下加热,一边由所述原料气体中包含的一氧化碳和氢生成含有包含丙烯的低级烯烃和碳原子数6以上且10以下的芳香族烃中的至少一者的化合物的烃,

所述催化剂结构体具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体和存在于所述载体内的至少1种金属微粒,

所述载体具有与该载体的外部连通的通道,

所述通道的一部分的平均内径为0.95nm以下。

2.如权利要求1所述的烃的制造装置,其中,所述芳香族烃包含下式(1)所示的化合物及多环芳香族烃中的至少一者的化合物,

[化学式1]

式(1)中,r1~r6各自独立地为氢原子或碳原子数1以上且4以下的烷基。

3.如权利要求2所述的烃的制造装置,其中,所述式(1)所示的化合物包含选自由苯、甲苯及丁基苯组成的组中的1种以上的化合物。

4.如权利要求2所述的烃的制造装置,其中,所述多环芳香族烃包含甘菊蓝及萘中的至少一者的化合物。

5.如权利要求1~4中任一项所述的烃的制造装置,其还具备向所述烃生成部供给氧的氧供给部。

6.如权利要求5所述的烃的制造装置,其中,所述氧供给部向所述烃生成部供给低于爆炸下限的浓度的氧。

7.如权利要求1~6中任一项所述的烃的制造装置,其中,所述金属微粒含有:

选自由钌(ru)、镍(ni)、铁(fe)及钴(co)组成的组中的至少1种的第1金属;或者

选自由钌(ru)、镍(ni)、铁(fe)及钴(co)组成的组中的至少1种的第1金属,以及,与所述第1金属不同的种类、且选自由铂(pt)、钯(pd)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钌(ru)、铱(ir)、铑(rh)、锇(os)、zr(锆)及mn(锰)组成的组中的至少1种的第2金属。

8.如权利要求1~7中任一项所述的烃的制造装置,其特征在于,所述通道的一部分的平均内径为0.39nm以上且0.75nm以下。

9.如权利要求1~8中任一项所述的烃的制造装置,其中,所述通道具有所述沸石型化合物的骨架结构的一维孔、二维孔及三维孔中的任一种、和与所述一维孔、所述二维孔及所述三维孔中的任一种均不同的扩径部,并且

所述金属微粒至少存在于所述扩径部。

10.如权利要求1~9中任一项所述的烃的制造装置,其还具备对从所述烃生成部排出的所述烃与一氧化碳和氢进行分离的第1分离部。

11.如权利要求10所述的烃的制造装置,其还具备将所述第1分离部中分离的一氧化碳和氢向所述烃生成部供给的第2供给部。

12.如权利要求1~11中任一项所述的烃的制造装置,其还具备对从所述烃生成部排出的所述烃中的所述丙烯和所述芳香族烃进行检测的检测部。

13.如权利要求1~12中任一项所述的烃的制造装置,其还具备将从所述烃生成部排出的所述烃冷却而对所述低级烯烃和所述芳香族烃进行分离的第2分离部。

14.烃的制造方法,其制造含有包含丙烯的低级烯烃和碳原子数6以上且10以下的芳香族烃中的至少一者的化合物的烃,

所述制造方法包括:

工序s1,将包含一氧化碳和氢的原料气体向催化剂结构体供给;以及

工序s2,一边将所述催化剂结构体在150℃以上且低于300℃的第1温度或者350℃以上且低于550℃的第2温度下加热,一边由所述原料气体中包含的一氧化碳和氢生成含有包含丙烯的低级烯烃和碳原子数6以上且10以下的芳香族烃中的至少一者的化合物的烃,

所述催化剂结构体具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体和存在于所述载体内的至少1种金属微粒,

所述载体具有与该载体的外部连通的通道,

所述通道的一部分的平均内径为0.95nm以下。


技术总结
本发明提供烃的制造装置及制造方法,其能够抑制催化活性的下降、提高选择性、由CO和H2效率良好地制造含有包含丙烯的低级烯烃和芳香族烃中的至少一者的烃。烃的制造装置制造含有包含丙烯的低级烯烃和碳原子数6‑10的芳香族烃中的至少一者的烃,所述制造装置具备:第1供给部,供给包含CO和H2的原料气体;和烃生成部,从前述第1供给部供给前述原料气体,一边将催化剂结构体在150℃以上且低于300℃或者350℃以上且低于550℃的温度下加热,一边由前述原料气体中的CO和H2生成前述烃,前述催化剂结构体具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体和存在于前述载体内的金属微粒,前述载体具有与该载体的外部连通的通道,前述通道的一部分的平均内径为0.95nm以下。

技术研发人员:中井祐贺子;马场祐一郎;关根可织;西井麻衣;福嶋将行;加藤祯宏;增田隆夫;中坂佑太;吉川琢也
受保护的技术使用者:古河电气工业株式会社
技术研发日:2019.12.03
技术公布日:2021.07.23
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