一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料及其制备方法与流程

文档序号:25215210发布日期:2021-05-28 14:12阅读:78来源:国知局

本发明涉及耐磨材料技术领域,尤其涉及一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料及其制备方法。



背景技术:

耐磨材料是一大类具有特殊电、磁、光、声、热、力、化学以及生物功能的新型材料,是信息技术、生物技术、能源技术等高技术领域和国防建设的重要基础材料,同时也对改造某些传统产业具有十分重要的作用。在一些需要导电的板材上为了提升板材的耐磨性能,会在板材的表面涂上一层耐磨材料,但是现有的耐磨材料在使用时,导电性不高,会影响板材的导电。



技术实现要素:

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的耐磨材料的导电性不强的缺点,而提出的一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料及其制备方法。

为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

设计一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂60-80份、铁5-10份、石墨10-20份、铝5-10份、锰5-10份、铜5-10份、钛5-10份、铬5-10份、硅油10-20份、高岭土20-30份、陶瓷50-60份、添加剂10-30份、环氧树脂300-500份。

优选的,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂65-75份、铁7-9份、石墨13-18份、铝7-9份、锰7-9份、铜7-9份、钛7-9份、铬7-9份、硅油13-18份、高岭土23-28份、陶瓷53-58份、添加剂15-25份、环氧树脂380-450份。

优选的,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂60份、铁8份、石墨15份、铝8份、锰8份、铜8份、钛8份、铬8份、硅油15份、高岭土25份、陶瓷55份、添加剂20份、环氧树脂400份。

优选的,添加剂包括增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂,其中增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂的重量比为1:1:1:1。

优选的,增稠剂为甲壳素,助溶剂为碳酸钙,粘接剂为硅酸钠。

还提出了一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料的制备方法,包括如下步骤:

s1、按照原料重量份数计依次取得铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块,并将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块依次投放到熔化炉中,在熔化炉中,将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块熔化后保温10-20小时;

s2、从熔化炉中将金属液取出,并让金属液流过筛网后落入到液体冷却介质中,最后在液体冷却介质中金属液凝成小颗粒金属;

s3、将小颗粒金属和保护气体一起加入到密封的涡旋粉碎机中进行粉碎,得到粉末a;

s4、按照原料重量份数计依次取得石墨、高岭土和陶瓷,并用粉碎设备将石墨、高岭土和陶瓷进行粉碎,得到粉末b;

s5、按照原料重量份数计依次取得聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂,并将聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂放置在搅拌设备中,再依次将粉末a和粉末b加入到搅拌设备中,搅拌即可得到基于聚酰胺的高导电耐磨材料。

优选的,在步骤s1中,在熔化炉对金属液进行保温时,用搅拌设备对金属液进行搅拌。

本发明提出的一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料及其制备方法,有益效果在于:本发明中添加了石墨、铁、铝、锰、铜、钛、铬和聚酰胺树脂,铁、铝、锰、铜、钛和铬均具有导电性,能够提升本发明的导电性,并且聚酰胺树脂、高岭土和陶瓷的添加,还能够确保本发明具有良好的耐磨性能。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。

实施例1

一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂60份、铁5份、石墨10份、铝5份、锰5份、铜5份、钛5份、铬5份、硅油10份、高岭土20份、陶瓷50份、添加剂10份、环氧树脂300份。

添加剂包括增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂,其中增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂的重量比为1:1:1:1。

增稠剂为甲壳素,助溶剂为碳酸钙,粘接剂为硅酸钠。

本发明还提出了一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料的制备方法,包括如下步骤:

s1、按照原料重量份数计依次取得铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块,并将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块依次投放到熔化炉中,在熔化炉中,将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块熔化后保温10小时;

s2、从熔化炉中将金属液取出,并让金属液流过筛网后落入到液体冷却介质中,最后在液体冷却介质中金属液凝成小颗粒金属;

s3、将小颗粒金属和保护气体一起加入到密封的涡旋粉碎机中进行粉碎,得到粉末a;

s4、按照原料重量份数计依次取得石墨、高岭土和陶瓷,并用粉碎设备将石墨、高岭土和陶瓷进行粉碎,得到粉末b;

s5、按照原料重量份数计依次取得聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂,并将聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂放置在搅拌设备中,再依次将粉末a和粉末b加入到搅拌设备中,搅拌即可得到基于聚酰胺的高导电耐磨材料。

在步骤s1中,在熔化炉对金属液进行保温时,用搅拌设备对金属液进行搅拌,让各种金属液混合的更加均匀。

实施例2

一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂65份、铁7份、石墨13份、铝7份、锰7份、铜7份、钛7份、铬7份、硅油13份、高岭土23份、陶瓷53份、添加剂15份、环氧树脂380份。

添加剂包括增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂,其中增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂的重量比为1:1:1:1。

增稠剂为甲壳素,助溶剂为碳酸钙,粘接剂为硅酸钠。

本发明还提出了一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料的制备方法,包括如下步骤:

s1、按照原料重量份数计依次取得铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块,并将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块依次投放到熔化炉中,在熔化炉中,将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块熔化后保温15小时;

s2、从熔化炉中将金属液取出,并让金属液流过筛网后落入到液体冷却介质中,最后在液体冷却介质中金属液凝成小颗粒金属;

s3、将小颗粒金属和保护气体一起加入到密封的涡旋粉碎机中进行粉碎,得到粉末a;

s4、按照原料重量份数计依次取得石墨、高岭土和陶瓷,并用粉碎设备将石墨、高岭土和陶瓷进行粉碎,得到粉末b;

s5、按照原料重量份数计依次取得聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂,并将聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂放置在搅拌设备中,再依次将粉末a和粉末b加入到搅拌设备中,搅拌即可得到基于聚酰胺的高导电耐磨材料。

在步骤s1中,在熔化炉对金属液进行保温时,用搅拌设备对金属液进行搅拌,让各种金属液混合的更加均匀。

实施例3

一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂75份、铁9份、石墨18份、铝9份、锰9份、铜9份、钛9份、铬9份、硅油18份、高岭土28份、陶瓷58份、添加剂25份、环氧树脂450份。

添加剂包括增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂,其中增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂的重量比为1:1:1:1。

增稠剂为甲壳素,助溶剂为碳酸钙,粘接剂为硅酸钠。

本发明还提出了一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料的制备方法,包括如下步骤:

s1、按照原料重量份数计依次取得铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块,并将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块依次投放到熔化炉中,在熔化炉中,将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块熔化后保温18小时;

s2、从熔化炉中将金属液取出,并让金属液流过筛网后落入到液体冷却介质中,最后在液体冷却介质中金属液凝成小颗粒金属;

s3、将小颗粒金属和保护气体一起加入到密封的涡旋粉碎机中进行粉碎,得到粉末a;

s4、按照原料重量份数计依次取得石墨、高岭土和陶瓷,并用粉碎设备将石墨、高岭土和陶瓷进行粉碎,得到粉末b;

s5、按照原料重量份数计依次取得聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂,并将聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂放置在搅拌设备中,再依次将粉末a和粉末b加入到搅拌设备中,搅拌即可得到基于聚酰胺的高导电耐磨材料。

在步骤s1中,在熔化炉对金属液进行保温时,用搅拌设备对金属液进行搅拌,让各种金属液混合的更加均匀。

实施例4

一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料,其原料按照重量份数计配方如下:

聚酰胺树脂80份、铁10份、石墨20份、铝10份、锰10份、铜10份、钛10份、铬10份、硅油20份、高岭土30份、陶瓷60份、添加剂30份、环氧树脂500份。

添加剂包括增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂,其中增稠剂、抗氧剂、粘接剂和助溶剂的重量比为1:1:1:1。

增稠剂为甲壳素,助溶剂为碳酸钙,粘接剂为硅酸钠。

本发明还提出了一种基于聚酰胺的高导电耐磨材料的制备方法,包括如下步骤:

s1、按照原料重量份数计依次取得铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块,并将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块依次投放到熔化炉中,在熔化炉中,将铁块、铝块、锰块、铜块、钛块和铬块熔化后保温20小时;

s2、从熔化炉中将金属液取出,并让金属液流过筛网后落入到液体冷却介质中,最后在液体冷却介质中金属液凝成小颗粒金属;

s3、将小颗粒金属和保护气体一起加入到密封的涡旋粉碎机中进行粉碎,得到粉末a;

s4、按照原料重量份数计依次取得石墨、高岭土和陶瓷,并用粉碎设备将石墨、高岭土和陶瓷进行粉碎,得到粉末b;

s5、按照原料重量份数计依次取得聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂,并将聚酰胺树脂、硅油、添加剂和环氧树脂放置在搅拌设备中,再依次将粉末a和粉末b加入到搅拌设备中,搅拌即可得到基于聚酰胺的高导电耐磨材料。

在步骤s1中,在熔化炉对金属液进行保温时,用搅拌设备对金属液进行搅拌,让各种金属液混合的更加均匀。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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