含硼化合物、发光器件和显示装置的制作方法

本技术涉及有机光电材料领域，具体涉及一种含硼化合物、发光器件和显示装置。

背景技术：

1、随着信息化时代的到来，新一代超高清(ultra-high definition，uhd)视频制作与显示系统的显示标准对显示技术提出了更高的要求。在有机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)中，有机发光材料用于其核心功能层，其研究在oled领域占据重要地位。发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。当前，有机发光材料主要集中在磷光材料和热激发延迟荧光(thermally activated delayedfluorescence，tadf)材料，这两种材料均能完全利用单线激发态和三线激发态发光，从而达到100％的内量子效率。但是，基于传统磷光和tadf材料所制备的显示装置，由于其具备较宽的发射光谱，导致存在色纯度不佳问题，无法满足未来显示标准的需求。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的上述问题，本技术提供了一种含硼化合物、发光器件和显示装置，具体的，该含硼化合物为双硼化合物，其具备窄半峰宽的荧光发射和高的发光效率的性能特点。

2、本技术提供一种含硼的有机发光材料，该含硼的有机发光材料具有如式(ⅰ)所示结构，

3、

4、具体的，本技术的含硼的有机发光材料可选自如式(1-1)或式(1-2)所示结构：

5、

6、其中，式(ⅰ)、式(1-1)和式(1-2)中，各所述z各自独立地表示为-cr1，各所述z中的所述r1相同或者不同，相邻的所述r1可连接成环，各所述z中的r1各自独立地选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基；

7、所述m1为取代或未取代的c6～c30芳环以及取代或未取代的c4～c30的杂芳环中的一种；

8、所述x表示为-o-、-s-或-n(r2)-中的一种，r2选自氢、氘、氚、卤素、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c6～c30芳基以及取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种，且r2可与邻近的m1连接成环。

9、其中，上述“取代的”是指至少一个氢原子由以下取代基来替代：氘、氚、氰基、卤素、c1-c10的烷基、c6-c30芳基、c2-c30杂芳基；例如，取代的c1～c10烷基、取代的c3～c10环烷基、取代的c1～c10烷氧基、取代的c6～c30芳基以及取代的c2～c30杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、氚、氰、卤素、c1-c10的烷基、c6-c30芳基、c2-c30杂芳基。

10、杂芳基中的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或多种。

11、本技术的含硼化合物，含有两个b原子及两个杂原子，杂原子为o、s或n中的一种，可以产生共振效应，实现最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital，homo)能级和最低未占分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital，lumo)能级的分离，进而促进三线态与单线态之间的反系间窜越过程，达到100％的内量子效率，与现有技术含硼的有机发光材料相比，共振面积更大，共振效应更强。本技术的含硼的有机发光材料形成的稠环单元具有刚性骨架结构，能够降低激发态的结构驰豫程度，可以实现较窄的半峰宽，如可以实现小于30nm的半峰宽，可用作发光器件的发光层掺杂材料，从而提升器件的效率及发光色纯度。

12、在一种可能的实现方式中，所述相邻的相同或者不同的r1可以相互键结成五元环或六元环。

13、在一种可能的实现方式中，所述r2和m1可以相互键结成五元环或六元环。

14、在一种可能的实现方式中，所述r1、所述r2各自独立的选自氢、氘、氚、卤素、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、n-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基或叔丁氧基中的一种。

15、在一种可能的实现方式中，所述c6～c30芳基为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲基、二联苯基、三联苯基、二甲基芴基、二苯基芴基。c2～c30杂芳基表示为吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、n-苯基咔唑基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基中的一种。由此，取代的c1～c10烷基、取代的c3～c10环烷基、取代的c1～c10烷氧基、取代的c6～c30芳基以及取代的c2～c30杂芳基中的取代基各自独立地选自氕、氘、氚、氟、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、萘啶基、芴基、二苯并呋喃基、n-苯基咔唑基或二苯并噻吩基中的一种或多种。

16、在化合物的稠环单元上引入不同的取代基，可以降低激发态的结构驰豫程度，调节发光位置以及半峰宽，从而提高器件发光色纯度，同时使发光器件达到光谱可调、寿命延长的效果。

17、在一种可能的实现方式中，本技术的含硼化合物可选自如式(1)～(140)所示结构中的任一种：

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22、

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24、通过在化合物的稠环单元上引入不同的取代基，可以进一步实现发光位置及半峰宽的调节，使发光位置位于绿光区域。

25、本技术含硼化合物具有合适的homo能级，作为掺杂材料掺杂于发光器件的主体材料中，有利于抑制载流子陷阱的产生，提高主客体能量传递效率，从而提升器件发光效率。同时，本技术化合物作为掺杂材料具有较窄的光谱半峰宽(full width at half maxima，fwhm)，能够有效提升器件色域，提升器件的发光效率。

26、第二方面，本技术提供了一种发光器件，其包含阴极层、阳极层和功能层，功能层位于阴极层和阳极层之间，功能层包含如本技术第一方面以及其可能实现方式中的化合物。

27、其中，功能层可包括依次叠层设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，空穴传输层设于阳极层一侧，电子注入层可设于阴极层一层。除此之外，发光器件还可包括透明基板层，阳极层可与透明基板层连接。

28、由于发光器件的功能层中包括本技术第一方面的化合物，因此，本技术的发光器件具有发光色纯度好且发光效率高的优点。

29、在一种可能的实现方式中，功能层包含发光层，发光层的掺杂材料包括本技术第一方面的化合物。

30、在一种可能的实现方式中，发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料，第一主体材料和第二主体材料中的至少一个包括tadf材料。

31、第三方面，提供一种显示装置，该显示装置包括本技术第二方面的发光器件。

32、其中，上述显示装置包括但不限于智能手机、平板电脑等领域，智能穿戴设备领域，电视等大尺寸应用领域，vr、微显领域，以及汽车中控屏或汽车尾灯。