液晶聚合物粒子的制造方法与流程

本发明涉及一种液晶聚合物粒子的制造方法。

背景技术：

1、液晶聚合物的尺寸稳定性、耐热性、化学稳定性等优异，因此正在研究将其以构成电子电路基板等电气电子部件的绝缘用树脂组合物的形式应用。但是，液晶聚合物大体上熔融张力低，膜成型中的生产性差，因此存在由液晶聚合物构成的膜昂贵的问题。

2、因此，为了利用液晶聚合物作为树脂成型体用的添加剂，研究了将液晶聚合物微粒化。例如，在专利文献1中记载了一种将由液晶聚酯构成的无定形粒子球形化而成的体积平均粒径为7.9μm的改性液晶聚酯粒子。在专利文献2中记载了一种体积平均粒径为8.9μm的液晶聚酯粉体。在专利文献3中记载了一种平均粒径为8～15μm的液晶聚酯粉末。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5396764号公报

6、专利文献2：日本专利特开2011-6629号公报

7、专利文献3：日本专利特开2020-132849号公报

技术实现思路

1、但是，专利文献1～3均无法实现在聚合物粒子的粒径进一步小的区域中控制粒径分布。因此，本发明的目的在于提供一种能够在粒径小的区域中控制粒径分布的聚合物粒子的制造方法。

2、本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现用气流粉碎机粉碎液晶聚合物，可得到将粒径分布中的累积分布50％粒径d50控制在7.0μm以下且将95％粒径d95控制在15.0μm以下的液晶聚合物粒子，从而完成了本发明。本发明是基于该见解而完成的。

3、即，根据本发明的一个方式，

4、可提供一种液晶聚合物粒子的制造方法，包括以下工序：用气流粉碎机粉碎液晶聚合物，得到粒径分布中的累积分布50％粒径d50为7.0μm以下且95％粒径d95为15.0μm以下的液晶聚合物粒子。

5、在本发明的方式中，优选上述液晶聚合物粒子的粒径分布中的最频粒径dp相对于d50之比为0.7以上且1.3以下。

6、在本发明的方式中，优选上述粉碎通过在气流中与碰撞构件碰撞来进行。

7、在本发明的方式中，优选进一步包括对粉碎前或粉碎后的液晶聚合物粒子进行分级的工序。

8、在本发明的方式中，优选上述液晶聚合物粒子包含来自羟基羧酸的构成单元(i)、来自二醇化合物的构成单元(ii)以及来自二羧酸的构成单元(iii)。

9、在本发明的方式中，优选上述来自羟基羧酸的构成单元(i)为来自6-羟基-2-萘甲酸的构成单元。

10、在本发明的方式中，优选相对于上述液晶聚合物粒子整体的构成单元，上述构成单元(i)的组成比为40摩尔％以上且80摩尔％以下。

11、根据本发明的液晶聚合物粒子的制造方法，能够在粒径小的区域中控制粒径分布。进而，根据本发明的液晶聚合物粒子的制造方法，连续生产性和经济性优异，因此能够降低液晶聚合物粒子的制造成本。

技术特征：

1.一种液晶聚合物粒子的制造方法，包括以下工序：用气流粉碎机粉碎液晶聚合物，得到粒径分布中的累积分布50％粒径d50为7.0μm以下且95％粒径d95为15.0μm以下的液晶聚合物粒子。

2.根据权利要求1所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，所述液晶聚合物粒子的粒径分布中的最频粒径dp相对于d50之比为0.7以上且1.3以下。

3.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，所述粉碎通过在气流中与碰撞构件碰撞来进行。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，进一步包括对粉碎前或粉碎后的液晶聚合物粒子进行分级的工序。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，所述液晶聚合物粒子包含来自羟基羧酸的构成单元(i)、来自二醇化合物的构成单元(ii)以及来自二羧酸的构成单元(iii)。

6.根据权利要求5所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，所述来自羟基羧酸的构成单元(i)为来自6-羟基-2-萘甲酸的构成单元。

7.根据权利要求5或6所述的液晶聚合物粒子的制造方法，其中，相对于所述液晶聚合物粒子整体的构成单元，所述构成单元(i)的组成比为40摩尔％以上且80摩尔％以下。

技术总结
本发明提供一种能够在粒径小的区域中控制粒径分布的液晶聚合物粒子的制造方法。本发明的液晶聚合物粒子的制造方法包括以下工序：用气流粉碎机粉碎液晶聚合物，得到粒径分布中的累积分布50％粒径D50为7.0μm以下且95％粒径D95为15.0μm以下的液晶聚合物粒子。

技术研发人员：大野健次,伊林邦彦,福田纮人
受保护的技术使用者：引能仕株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14