芳基硫醇酯化合物的制造方法与流程

本发明涉及一种芳基硫醇酯化合物的制造方法。本申请基于2021年3月2日在日本申请的日本特愿2021－032819号要求优先权，并将其内容援引于此。

背景技术：

1、芳基硫醇酯化合物的羰基的亲电子性高，能够作为酰基转移过程中的亲电子试剂、缩合反应中的碳负离子前体利用。芳基硫醇酯化合物作为合成成为有机材料、生物化工产品、药物等的原料的有机化合物时的中间体是有用的，因此，要求开发出一种效率更好的制造方法。

2、芳基硫醇酯化合物例如可以利用硫醇盐与羧酸衍生物的亲核反应来合成。难以由该方法合成的化合物需要尝试其它合成方法。例如，有利用o－芳基硫酯的热重排的合成方法、使有机金属催化剂与二芳基碘盐、芳基卤化物等亲电子性底物反应的方法。但是，这些方法由于反应条件苛刻，因此需要一种能够在温和的条件下合成的方法。作为在更温和的条件下进行合成的方法，例如报告过通过在室温的dmso中将芳基重氮四氟硼酸盐用硫代乙酸钾进行处理而能够以40～60％的收率合成各种s－芳基硫代乙酸酯(非专利文献1、非专利文献2)。

3、现有技术文献

4、非专利文献

5、非专利文献1：petrillo et al.,tetrahedron letters,1988,vol.29(33),p.4185-4188.

6、非专利文献2：petrillo et al.,tetrahedron,1989,vol.45(23),p.7411-7420.

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种能够在温和的条件下迅速且以高收率合成芳基硫醇酯化合物的制造方法。

2、本发明人等发现通过在芳基硫醇酯化合物的合成时利用桑德迈尔型偶联反应(sandmeyer-type coupling reactions)而能够由重氮化合物和硫醇酯化合物在温和的条件下迅速合成，进而，通过使用催化剂而能够改善收率，从而完成了本发明。

3、即，本发明如下所述。

4、[1]一种芳基硫醇酯化合物的制造方法，由下述通式(2)表示的重氮化合物和下述通式(3)表示的硫醇酯化合物通过使用催化剂的桑德迈尔型偶联反应来制造下述通式(1)表示的芳基硫醇酯化合物。

5、

6、[式中，a1为可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基；x1为一价阴离子。]

7、

8、[式中，a2为可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基；m1为一价阳离子。]

9、

10、[式中，a1和a2与上述相同。]

11、[2]根据上述[1]的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，上述催化剂为过渡金属配合物。

12、[3]根据上述[2]的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，上述过渡金属配合物为铜配合物。

13、[4]根据上述[2]或[3]的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，上述过渡金属配合物包含双齿氮螯合配体。

14、[5]根据上述[2]～[4]中的任一芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，上述过渡金属配合物由亚铜离子和选自1,10－菲咯啉、2,2’－联吡啶和它们的衍生物中的1种以上配体构成。

15、[6]根据上述[1]～[5]中的任一芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，在上述桑德迈尔型偶联反应之前，将下述通式(4)表示的氨基芳基化合物重氮化来制造上述通式(2)表示的化合物。

16、a1—nh2   (4)

17、[式中，a1与上述相同。]

18、根据本发明的方法，能够以高收率高效地合成芳基硫醇酯化合物。

技术特征：

1.一种芳基硫醇酯化合物的制造方法，通过使用催化剂的桑德迈尔型偶联反应由下述通式(2)表示的重氮化合物和下述通式(3)表示的硫醇酯化合物来制造下述通式(1)表示的芳基硫醇酯化合物，

2.根据权利要求1所述的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，所述催化剂为过渡金属配合物。

3.根据权利要求2所述的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，所述过渡金属配合物为铜配合物。

4.根据权利要求2或3所述的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，所述过渡金属配合物包含双齿氮螯合配体。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，所述过渡金属配合物由亚铜离子与选自1,10－菲咯啉、2,2’－联吡啶和它们的衍生物中的1种以上的配体构成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的芳基硫醇酯化合物的制造方法，其中，在所述桑德迈尔型偶联反应之前，将下述通式(4)表示的氨基芳基化合物重氮化来制造所述通式(2)表示的化合物，

技术总结
本发明提供一种能够在温和的条件下迅速且以高收率合成芳基硫醇酯化合物的制造方法。本发明是一种芳基硫醇酯化合物的制造方法，由下述通式(2)表示的重氮化合物和下述通式(3)表示的硫醇酯化合物通过使用催化剂的桑德迈尔型偶联反应来制造下述通式(1)表示的芳基硫醇酯化合物[式中，A1和A2各自独立地为可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基；X1为一价阴离子；M1为一价阳离子]。

技术研发人员：冈添隆,蒂姆·加岑迈尔,野崎京子
受保护的技术使用者：AGC株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15