树脂组合物及成型品的制作方法

本发明涉及树脂组合物及成型品。

背景技术：

1、粘结磁体(有时也称为树脂结合型磁体、塑料磁体)相较于已知的烧结磁体，能够通过注射成型制造形状更复杂的磁体，此外，其生产率也高，因此被广泛应用于以小型电机为首的各种电子部件。这样的粘结磁体中使用如聚酰胺6、聚酰胺12那样的结晶性且流动性优良的聚酰胺树脂。

2、例如，专利文献1中公开了一种合成树脂磁体用组合物，其是将磁性粉分散混合在树脂粘合剂中而成的，其特征在于，上述树脂粘合剂包含由热塑性树脂形成的主材树脂与聚合脂肪酸系聚酰胺弹性体。此处，例示了使用聚酰胺6作为主材树脂的具体例。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2001-123067号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，本发明人等经过研究后，发现由使用了聚酰胺6的粘结磁体用树脂组合物获得的成型品的磁化并不充分。

3、本发明的目的在于解决该问题，目的在于提供：能够提供磁化优良的成型品的树脂组合物、及由前述树脂组合物形成的成型品。

4、用于解决问题的方案

5、本发明人基于上述问题进行了研究，结果发现通过使用苯二甲胺系聚酰胺树脂作为粘合剂树脂可以解决上述问题。具体而言，通过下述方式解决了上述问题。

6、<1>一种树脂组合物，其用于粘结磁体，其包含聚酰胺树脂10～90质量份与磁性材料90～10质量份，前述聚酰胺树脂包含苯二甲胺系聚酰胺树脂，前述苯二甲胺系聚酰胺树脂包含源自二胺的结构单元与源自二羧酸的结构单元，前述源自二胺的结构单元的70摩尔％以上源自苯二甲胺，前述源自二羧酸的结构单元的70摩尔％以上源自碳数4～12的α,ω-直链脂肪族二羧酸。

7、<2>根据<1>所述的树脂组合物，其中，前述苯二甲胺包含10～90摩尔％的间苯二甲胺与90～10摩尔％的对苯二甲胺。

8、<3>根据<1>或<2>所述的树脂组合物，其中，前述碳数4～12的α,ω-直链脂肪族二羧酸包含十二烷二酸。

9、<4>根据<1>所述的树脂组合物，其中，前述苯二甲胺包含10～90摩尔％的间苯二甲胺与90～10摩尔％的对苯二甲胺，所述碳数4～12的α,ω-直链脂肪族二羧酸包含十二烷二酸。

10、<5>根据<1>所述的树脂组合物，其中，前述源自二胺的结构单元的70摩尔％以上源自间苯二甲胺，前述源自二羧酸的结构单元的70摩尔％以上源自己二酸。

11、<6>根据<1>～<5>中任一项所述的树脂组合物，其中，所述苯二甲胺系聚酰胺树脂以表观剪切速率121.6sec-1、测定温度260℃的条件测得的熔融粘度为10～600pa·s。

12、<7>根据<1>～<6>中任一项所述的树脂组合物，其中，前述磁性材料包含铁氧体磁体和/或稀土类磁体。

13、<8>根据<1>～<7>中任一项所述的树脂组合物，其中，前述苯二甲胺系聚酰胺树脂以121.6sec-1、测定温度260℃的条件测得的熔融粘度为10～600pa·s，前述磁性材料包含铁氧体磁体和/或稀土类磁体。

14、<9>一种成型品，其由<1>～<8>中任一项所述的树脂组合物形成。

15、发明的效果

16、通过本发明，能够提供：可提供磁化优良的成型品的树脂组合物、及由前述树脂组合物形成的成型品。

技术特征：

1.一种树脂组合物，其用于粘结磁体，

2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述苯二甲胺包含10～90摩尔％的间苯二甲胺与90～10摩尔％的对苯二甲胺。

3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述碳数4～12的α,ω-直链脂肪族二羧酸包含十二烷二酸。

4.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述苯二甲胺包含10～90摩尔％的间苯二甲胺与90～10摩尔％的对苯二甲胺，

5.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述源自二胺的结构单元的70摩尔％以上源自间苯二甲胺，所述源自二羧酸的结构单元的70摩尔％以上源自己二酸。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物，其中，所述苯二甲胺系聚酰胺树脂以121.6sec-1、测定温度260℃的条件测得的熔融粘度为10～600pa·s。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，所述磁性材料包含铁氧体磁体和/或稀土类磁体。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的树脂组合物，其中，

9.一种成型品，其由权利要求1～8中任一项所述的树脂组合物形成。

技术总结
提供：能够提供磁化优良的成型品的树脂组合物及由树脂组合物形成的成型品。一种树脂组合物，其用于粘结磁体，其包含聚酰胺树脂10～90质量份与磁性材料90～10质量份，聚酰胺树脂包含苯二甲胺系聚酰胺树脂，该苯二甲胺系聚酰胺树脂包含源自二胺的结构单元与源自二羧酸的结构单元，源自二胺的结构单元的70摩尔％以上源自苯二甲胺，源自二羧酸的结构单元的70摩尔％以上源自碳数4～12的α,ω‑直链脂肪族二羧酸。

技术研发人员：山中政贵,岛田中村仁,小田尚史
受保护的技术使用者：三菱瓦斯化学株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29