NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法

本发明涉及全息存储材料，具体涉及nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料及其制备方法。

背景技术：

1、信息化大数据时代的到来，使得信息量呈现爆炸式的增长，由于二维平面存储技术的局限，光盘和磁盘等技术的存储容量已接近其理论极限，将难以满足如今信息时代对大量数据的存储需求。全息存储方法凭借其三维体存储方式和二维数据传输特性，具有大容量和高传输速度的优势，被认为是一种极具潜力的下一代存储技术。

2、现阶段用于全息记录的材料主要有卤化银乳胶、重铬酸盐明胶、光致抗蚀剂、光折变晶体、光致变色材料和光致聚合物等，其中，光致聚合物相比于其他记录材料具有高感光灵敏度、高分辨率等优点，并且它成本低廉，工艺制备简单。菲醌掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(pq\pmma)光致聚合物由于其厚度大、体积收缩小等优点，从众多光致聚合物中脱颖而出。但由于菲醌(pq)在甲基丙烯酸甲酯(mma)中的溶解度较低，材料的衍射效率不高。

3、公布号为cn112812210a的中国发明专利所公开的pq/pmma光致聚合物材料，该发明使用mma(甲基丙烯酸甲酯)、aibn(偶氮二异丁腈)和pq制备光致聚合物，性能稳定，可一次记录多次读取，光致收缩很低。但pq-/pmma材料能够掺杂的光敏剂菲醌(pq)含量较低，仅为0.7wt％，致使衍射效率、光响应速度等特性均较低。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是：提供一种原料低廉、光学性能好的nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料及其制备方法。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料，原料包括nvp、mma、pq和aibn。

3、本发明采用的另一技术方案为：一种nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，包括以下步骤：添加nvp、mma、pq和aibn，依次进行混合溶解、预聚合和热聚合，得到nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料。

4、本发明的有益效果在于：本发明提供的nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料及其制备方法，在pq\pmma中掺杂nvp，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于pq\pmma可以更好地用于全息成像及数据存储领域。

技术特征：

1.一种nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料，其特征在于，包括nvp、mma、pq和aibn。

2.根据权利要求1所述的nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料，其特征在于，所述nvp、mma、aibn和pq的质量比为0.08～0.12：100：1：1。

3.一种nvp掺杂pq\pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：添加nvp、mma、pq和aibn，依次进行混合溶解、预聚合和热聚合，得到nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料。

4.根据权利要求3所述的nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，所述混合溶解的具体步骤为：在58～62℃水浴中超声10～15min。

5.根据权利要求3所述的nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，所述预聚合的具体步骤为：在58～62℃下搅拌85～90min。

6.根据权利要求3所述的nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，所述热聚合的具体步骤为：在58～62℃℃下放置20～21h。

7.根据权利要求3所述的nvp掺杂pq/pmma光致聚合物全息存储材料的制备方法，其特征在于，所述nvp、mma、aibn和pq的质量比为0.08～0.12：100：1：1。

技术总结
本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法。该NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，原料包括NVP、MMA、PQ和AIBN。在PQ\PMMA中掺杂NVP，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于PQ\PMMA可以更好地用于全息成像及数据存储领域。

技术研发人员：谭小地,李庆东,林枭,吴俊辉
受保护的技术使用者：福建师范大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15