本发明涉及pi薄膜，尤其涉及一种pi薄膜及其制备方法。
背景技术：
1、pi薄膜是以聚酰亚胺膜为基础的薄膜类绝缘材料，由于其优良的耐高低温性、电气绝缘性、耐辐射性、耐介质性，成为5g通讯领域主要柔性介质材料。如中国专利cn116333493a公开的一种适用于高频高速的改性低介电pi薄膜及其制备方法，该改性低介电pi薄膜包括聚酰亚胺基础材料和改性剂，其中，所述改性剂包括环氧树脂和含有函数化苯环的聚合物，所述改性剂的比例为0.1-30wt％。本发明制备的改性低介电pi薄膜，通过聚酰亚胺基础材料和改性剂加热溶解形成混合溶液，在气氛保护下加热和固化，在基板上形成改性低介电pi薄膜，不仅可以降低pi薄膜的介电常数，而且还可以提高其耐高温性和抗气体击穿性能。该薄膜具有低介电常数、低损耗、高温稳定性等特点，能够满足高频高速领域的需求。但是，提供的pi薄膜依然存在剥离度较低的问题(通常≤0.6n/mm)。
技术实现思路
1、针对现有技术中所存在的不足，本发明提供了一种pi薄膜制备方法，其解决了现有技术中pi薄膜剥离度较低的问题。
2、根据本发明的实施例，一种pi薄膜制备方法，其将聚酰亚胺薄膜置于8-15pa环境中进行等离子体处理，包括如下步骤：
3、使用甲胺气体电容耦合放电产生等离子体进处理等离子体放电体功率密度为0.12-0.32w/cm3，放电时间为3-15s；
4、使用氮气电容耦合放电产生的等离子体进行处理，处理时间为10-20s。
5、进一步地，还包括将等离子体处理后的所得物进行真空溅射镀铜膜。
6、进一步地，还包括将真空溅射镀铜膜后的所得物电镀加厚。
7、进一步地，真空溅射镀铜膜所得物的厚度为50-80nm。
8、进一步地，甲胺气体的放电气压为50-70pa。
9、根据本发明的实施例，还提供了由上述方法所得的pi薄膜，剥离度≥8.5n/cm。
10、相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：
11、通过甲胺气体、氮气等离子处理使得商品化pi薄膜表面改性，短时间内改变pi表面结构与形态，增加pi表面可修饰性，进一步提升pi与基膜之间的剥离强度，解决了现有技术中pi薄膜剥离度较低的问题。
1.一种pi薄膜制备方法，其特征在于，将聚酰亚胺薄膜置于8-15pa环境中进行等离子体处理，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的pi薄膜制备方法，其特征在于，还包括将等离子体处理后的所得物进行真空溅射镀铜膜。
3.如权利要求2所述的pi薄膜制备方法，其特征在于，还包括将真空溅射镀铜膜后的所得物电镀加厚。
4.如权利要求2所述的pi薄膜制备方法，其特征在于，真空溅射镀铜膜所得物的厚度为50-80nm。
5.如权利要求1所述的pi薄膜制备方法，其特征在于，甲胺气体的放电气压为50-70pa。
6.一种pi薄膜，其特征在于，采用如权利要求1-5中任一项所述的方法所得。
7.如权利要求6所述的pi薄膜，其特征在于，剥离度≥8.5n/cm。