一种电子注入材料及OLED有机电致发光器件的制作方法

本发明涉及有机光电材料制备，尤其是涉及一种电子注入材料及oled有机电致发光器件。

背景技术：

1、oled是当今热门的显示技术，其具有自发光、超轻薄、宽视角、响应速度快、低功耗及柔性显示等优点。传统的单层器件中，发光层的材料在具备发光性的同时也承担了电子与空穴传输的功能。但一般用于发光层的材料本身的电子传输性并不优越，且同时具有相同的空穴和电子传输层特性的有机物很少，只能单一的传输电子及空穴中的一种。因此制得的单层器件会出现电子和空穴的注入与传输不平衡，器件发光效率不佳。近年来，随着oled显示技术的发展，更高性能要求被不断提出，器件结构也在不断演进。

2、为了产生合适的阶梯能级更好的传输载流子，现有的多层器件结构，在发光层的基础上添加电子/空穴注入层、电子/空穴传输层等功能层。其中，电子注入层材料常由活泼金属薄层直接构成(如yb、li等)，但金属层与有机层之间附着力差，界面结合作用弱，器件寿命相对偏差。且采用金属薄层会增加消光系数，降低器件发光效率。因此，寻找一种性能优异的电子注入层材料是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是针对现有技术不足，提供一种电子注入材料及oled有机电致发光器件。本发明通过特定的电子注入材料与低功函数金属共蒸镀成电子注入层，制备成有机器件可以降低与阴极、电子传输层之间的界面结合作用，减少有机层与金属之间分层的影响，提升器件寿命和发光效率。

2、为了实现本发明的目的，本发明的技术方案如下：

3、根据一个或多个实施方案，本发明提供一种电子注入材料化合物，所述的电子注入材料化合物具有下述式(i)或式(ii)所示的通式结构：

4、

5、式(i)或式(ii)中，l选自c1-c20的烷基、c3-c30的稠合杂烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基、c6-c30的稠合芳基、c5-c30的稠合杂芳基，及所组成的组；所述杂原子为o、s或n原子；r1-r3各自独立地选自氢、氘、c6-c30芳基、c5-c30的n杂芳基，及所组成的组。

6、根据一个或多个实施方案，式(i)或式(ii)中所述l选自苯基、萘基、蒽基、吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二甲基芴基。

7、根据一个或多个实施方案，式(i)或式(ii)中所述r1-r3各自独立地选自氢、氘、苯基、萘基或吡啶基。

8、根据一个或多个实施方案，所述电子注入材料化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：

9、

10、

11、

12、

13、在另一方面，本发明还提供了如上式(i)或式(ii)所示通式结构的电子注入材料化合物在制备电子器件中的应用。

14、进一步地，所述的电子器件包括有机光伏器件、有机电致发光器件(oled)、有机集成电路(o-ic)、有机场效应晶体管(o-fet)、有机发光晶体管(o-let)、有机太阳能电池(o-sc)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(o-fqd)、发光电化学电池(lec)及有机激光二极管(o-laser)。

15、在另一方面，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含电子注入层，所述电子注入层包含如上式(i)或式(ii)所示通式结构的电子注入材料化合物。

16、进一步地，所述电子注入层中还掺杂有低功函数金属材料，所述的低功函数金属材料选自银、镱、镁中的一种或几种。

17、所述电子注入层中低功函数金属材料的掺杂量为1-5％。

18、根据一个或多个实施方案，所述低功函数金属材料为金属镱，掺杂量为2％-2.5％。

19、根据一个或多个实施方案，所述有机电致发光器件中电子注入层的厚度为50-150a。

20、在另一方面，本发明还提供了一种有机光电器件，基板层、第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的电子注入层；其中，发光材料层包含有如上式(i)或式(ii)所示通式结构的电子注入材料化合物。

21、本发明还提供了一种组合物，所述组合物包含有如上式(i)或式(ii)所示通式结构的电子注入材料化合物。

22、本发明还提供了一种制剂，所述制剂包含有如上式(i)或式(ii)所示通式结构的电子注入材料化合物或如上所述的组合物和至少一种溶剂。所述的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。

23、本发明还提供了一种显示或照明装置，所述装置包含有如上所述有机电致发光器件中的一种或多种。

24、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

25、本发明以含n原子基团的电子注入层材料作为主体材料，与低功函数金属共蒸镀形成电子注入层；主体材料中含n原子基团的化合物对低功函数金属进行束缚，从而提高金属在电子注入层中的稳定性，优化与阴极、电子传输层之间的界面结合作用，降低电子注入层活泼金属含量，减少有机层与金属之间分层的影响，提升器件寿命和发光效率。

技术特征：

1.一种电子注入材料化合物，其特征在于，所述的电子注入材料化合物具有下述式(i)或式(ii)所示的通式结构：

2.根据权利要求1所述的电子注入材料化合物，其特征在于，式(i)或式(ii)中所述l选自苯基、萘基、蒽基、吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二甲基芴基。

3.根据权利要求1所述的电子注入材料化合物，其特征在于，式(i)或式(ii)中所述r1-r3各自独立地选自氢、氘、苯基、萘基或吡啶基。

4.根据权利要求1所述的电子注入材料化合物，其特征在于，所述电子注入材料化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：

5.根据权利要求1-4任一项所述的电子注入材料化合物在制备电子器件中的应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述的电子器件电子器件包括有机光伏器件、有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池或有机激光二极管。

7.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含电子注入层，所述电子注入层包含如权利要求1-4任一项所述的电子注入材料化合物。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层中还掺杂有低功函数金属材料，所述的低功函数金属材料选自银、镱、镁中的一种或几种。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层中低功函数金属材料的掺杂量为1-5％。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属材料为金属镱，掺杂量为2％-2.5％。

11.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为50-150a。

12.一种有机光电器件，其特征在于，所述有机光电器件包括基板层，第一电极，面对第一电极的第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的电子注入层；其中，电子注入层包含有如权利要求1-4任一项所述的电子注入材料化合物。

13.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含有如权利要求1-4任一项所述的电子注入材料化合物。

14.一种制剂，其特征在于，所述制剂包含有如权利要求1-4任一项所述的电子注入材料化合物和至少一种溶剂。

15.一种显示或照明装置，其特征在于，所述装置包含有权利要求7-11所述有机电致发光器件中的一种或多种。

技术总结
本发明涉及有机光电材料制备技术领域，尤其是涉及一种电子注入材料及OLED有机电致发光器件本发明以含N原子基团的电子注入层材料作为主体材料，与低功函数金属共蒸镀形成电子注入层；主体材料中含N原子基团的化合物对低功函数金属进行束缚，从而提高金属在电子注入层中的稳定性，优化与阴极、电子传输层之间的界面结合作用，降低电子注入层活泼金属含量，减少有机层与金属之间分层的影响，提升器件寿命和发光效率。

技术研发人员：孔祥贞,张磊,申屠晓波,吴空物,刘运起,章华星,赵晓宇
受保护的技术使用者：安徽省华显新材料科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21