新型化合物及包含其的有机发光器件的制作方法

与相关申请的相互引用本申请主张基于2022年1月24日的韩国专利申请第10-2022-0010119号的优先权，包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。

背景技术：

1、通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。

2、有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性，上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。

3、对用于如上所述的有机发光器件的有机物，持续要求开发新的材料。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、(专利文献0001)韩国专利公开号第10-2000-0051826号

技术实现思路

1、技术课题

2、本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。

3、课题的解决方法

4、本发明提供由下述化学式1表示的化合物：

5、[化学式1]

6、

7、在上述化学式1中，

8、l为取代或未取代的联苯二基、三联苯二基或四联苯二基，

9、x各自独立地为n或cr1，并且x中的任一个或更多个为n，

10、r1为氢、氘、取代或未取代的c1-60烷基、或者取代或未取代的c6-60芳基，

11、ar1和ar2各自独立地为取代或未取代的c6-60芳基，并且ar1和ar2中的任一个或更多个被一个以上的氰基取代，

12、ar3为由下述化学式2表示的结构的1价取代基，

13、[化学式2]

14、

15、在上述化学式2中，

16、y1各自独立地为n或cr2，并且y1中的任一个或更多个为n，

17、y2为nr2、o或s，

18、r2各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-60烷基、或者取代或未取代的c6-60芳基，或者相邻的两个r2彼此结合而形成取代或未取代的c6-60芳基。

19、另外，本发明提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而设置的第二电极、以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

20、发明效果

21、由上述的化学式1表示的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料，在有机发光器件中可以实现效率的提高、较低的驱动电压和/或寿命特性的提高。特别是，由上述的化学式1表示的化合物可以用作空穴注入、空穴传输、空穴注入和传输、发光、电子传输、或电子注入的材料。

技术特征：

1.一种由下述化学式1表示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，l为选自下述基团中的任一个：

3.根据权利要求1所述的化合物，其中，x中的任两个或更多个为n。

4.根据权利要求1所述的化合物，其中，r1为氢、氘、甲基、叔丁基或苯基。

5.根据权利要求1所述的化合物，其中，ar1和ar2各自独立地为苯基、被一个以上的氘取代的苯基、联苯基或三联苯基。

6.根据权利要求1所述的化合物，其中，ar1为苯基、或者被一个以上的氘取代的苯基，

7.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式2表示的结构的1价取代基由下述化学式2-1表示：

8.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式2表示的结构的1价取代基由下述化学式2-2表示：

9.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式2表示的结构的1价取代基由下述化学式2-3表示：

10.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式2表示的结构的1价取代基由下述化学式2-4表示：

11.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化合物中的任一个：

12.一种有机发光器件，包括：第一电极、与所述第一电极对置而设置的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的1层以上的有机物层，其中，所述有机物层中的1层以上包含权利要求1至11中任一项所述的化合物。

13.根据权利要求12所述的有机发光器件，其中，所述有机物层为电子注入层、电子传输层、或者电子注入和传输层。

技术总结
本说明书提供由化学式1表示的化合物；以及有机发光器件，上述有机发光器件包括：第一电极、第二电极、以及设置在上述第一电极与第二电极之间的一层以上的有机物层，其中，上述有机物层中的一层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

技术研发人员：许东旭,李在卓,尹正民,韩修进,尹喜敬,洪性佶,李在九
受保护的技术使用者：株式会社LG化学
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17