一种高性能导电芯片的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种高性能导电芯片，所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下依次叠加的三层导电涂层，所述三层导电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂40-60份、活性氧化铝30-50份、玻璃纤维2-6份、氢氧化钠5-10份、二氧化锰2-5份、纳米三氧化二铝1-3份、苯甲酸钠5-8份、硬脂酸1-3份、甲苯20-30份、乙酸乙酯20-30份；本发明该芯片上设有的涂层不仅导电效率高，而且防腐性能优异，耐高温。
【专利说明】-种高性能导电芯片
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体领域，尤其是一种高性能导电芯片。
【背景技术】
[0002] 传感器中的芯片是半导体元件产品的统称，是集成电路的载体，由晶圆分割而成。 现有用于芯片上的涂层起不到很好的导电阻燃作用，而且由于现有的涂层中大部分是环氧 体系，其中环氧树脂的醚键收到紫外线的照射很容易断裂，引起涂层的老化。
[0003] 申请公布号为CN 103849297 A，名称为"一种导电涂料"主要由重量百分比为水 性聚酯树脂15-20%、二氧化钛粉末10-15%、硫化锌半导体纳米粉末10-15%、二氧化硅粉末 5-8%、添加剂9-15%以及水20-30%经调和制成，其中：所述的添加剂是由蜡助剂、改性脲 溶液以及分散剂组成。
[0004] 申请公布号为CN 103773181 A，名称为"磁屏蔽导电涂料"包括按照质量份数计 的如 下原料：环氧树脂30-35份、硅酮橡胶22-28份、银粉5-9份、炭黑5-8份、铜粉 4-6份、乙酸乙酯5-8份、丙三醇3-4份、羧甲基纤维素钠1-3份、聚乙烯醇2-4份、乙醇 40-50 份、水 10-12 份。
[0005] 以上的发明创造虽然在一定程度能够提高导电效率，但是导电效果不明显，而且 只是具有单一的导电性能，无法兼顾其他防腐等性能。
【发明内容】
[0006] 本发明针对现有技术的不足，提供一种高性能导电芯片，该芯片上设有的涂层不 仅导电效率高，而且防腐性能优异，耐高温。
[0007] 为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为： 一种高性能导电芯片，所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下依次叠加的三层 导电涂层，所述三层导电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂40-60份、活 性氧化铝30-50份、玻璃纤维2-6份、氢氧化钠5-10份、二氧化锰2-5份、纳米三氧化二铝 1-3份、苯甲酸钠5-8份、硬脂酸1-3份、甲苯20-30份、乙酸乙酯20-30份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂45-60份、活性氧化铝35-50份、玻璃纤维3-6份、氢氧化钠6-10份、 二氧化锰3-5份、纳米三氧化二铝1. 5-3份、苯甲酸钠6-8份、硬脂酸1. 5-3份、甲苯22-30 份、乙酸乙酯22-30份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂40份、活性氧化铝30份、玻璃纤维2份、氢氧化钠5份、二氧化锰2份、 纳米三氧化二铝1份、苯甲酸钠5份、硬脂酸1份、甲苯20份、乙酸乙酯20份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂45份、活性氧化铝35份、玻璃纤维3份、氢氧化钠6份、二氧化锰2. 5 份、纳米三氧化二铝I. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸I. 5份、甲苯22份、乙酸乙酯22份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂48份、活性氧化铝38份、玻璃纤维4份、氢氧化钠7份、二氧化锰3份、 纳米三氧化二铝1. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸2份、甲苯25份、乙酸乙酯25份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂50份、活性氧化铝40份、玻璃纤维5份、氢氧化钠8份、二氧化锰4份、 纳米三氧化二铝2份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、甲苯28份、乙酸乙酯27份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂55份、活性氧化铝45份、玻璃纤维5份、氢氧化钠9份、二氧化锰4份、 纳米三氧化二铝2. 5份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、甲苯29份、乙酸乙酯28份； 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂60份、活性氧化铝50份、玻璃纤维6份、氢氧化钠10份、二氧化锰5份、 纳米三氧化二铝3份、苯甲酸钠8份、硬脂酸3份、甲苯30份、乙酸乙酯30份。
[0008] 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0009] 通过以上技术方案，相对于现有技术，本发明具有以下有益效果： 本发明的高性能导电芯片不仅导电效率高，而且防腐性能优异，耐高温。
【具体实施方式】
[0010] 以下将结合实施例详细地说明本发明的技术方案。
[0011] 实施例1 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂40份、活性氧化铝30份、玻璃纤维2份、氢氧化钠5份、二氧化锰2份、 纳米三氧化二铝1份、苯甲酸钠5份、硬脂酸1份、甲苯20份、乙酸乙酯20份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0012] 实施例2 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂45份、活性氧化铝35份、玻璃纤维3份、氢氧化钠6份、二氧化锰2. 5 份、纳米三氧化二铝1. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸1. 5份、甲苯22份、乙酸乙酯22份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0013] 实施例3 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂48份、活性氧化铝38份、玻璃纤维4份、氢氧化钠7份、二氧化锰3份、 纳米三氧化二铝1. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸2份、甲苯25份、乙酸乙酯25份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0014] 实施例4 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂50份、活性氧化铝40份、玻璃纤维5份、氢氧化钠8份、二氧化锰4份、 纳米三氧化二铝2份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、甲苯28份、乙酸乙酯27份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0015] 实施例5 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂55份、活性氧化铝45份、玻璃纤维5份、氢氧化钠9份、二氧化锰4份、 纳米三氧化二铝2. 5份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、甲苯29份、乙酸乙酯28份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0016] 实施例6 一种高性能导电芯片，所述设置在芯片上的三层导电涂层均包括按照质量份数计的如 下组分：丙烯酸树脂60份、活性氧化铝50份、玻璃纤维6份、氢氧化钠10份、二氧化锰5份、 纳米三氧化二铝3份、苯甲酸钠8份、硬脂酸3份、甲苯30份、乙酸乙酯30份； 上述高性能导电芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将玻璃纤维和活性氧化铝磨成粒度为100-200目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、纳米三氧化二铝、二氧化锰、苯甲酸钠就加入混合机中,然后向其 中加入步骤⑴中磨好的玻璃纤维和活性氧化铝，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、丙烯酸树脂、玻璃纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙 酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电芯片涂层。
[0017] 对本发明实施例1-6所得产品的性能测试，结果如表1所示。
[0018] 表1本发明实施例1-6产品性能测试数据
【权利要求】
1. 一种高性能导电芯片，其特征在于：所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下 依次叠加的三层导电涂层，所述三层导电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸 树脂40-60份、活性氧化铝30-50份、玻璃纤维2-6份、氢氧化钠5-10份、二氧化锰2-5份、 纳米三氧化二铝1-3份、苯甲酸钠5-8份、硬脂酸1-3份、甲苯20-30份、乙酸乙酯20-30份。
2. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂45-60份、活性氧化铝35-50份、玻 璃纤维3-6份、氢氧化钠6-10份、二氧化锰3-5份、纳米三氧化二铝1. 5-3份、苯甲酸钠6-8 份、硬脂酸1. 5-3份、甲苯22-30份、乙酸乙酯22-30份。
3. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂40份、活性氧化铝30份、玻璃纤维 2份、氢氧化钠5份、二氧化锰2份、纳米三氧化二铝1份、苯甲酸钠5份、硬脂酸1份、甲苯 20份、乙酸乙酯20份。
4. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂45份、活性氧化铝35份、玻璃纤维 3份、氢氧化钠6份、二氧化锰2. 5份、纳米三氧化二铝1. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸1. 5 份、甲苯22份、乙酸乙酯22份。
5. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂48份、活性氧化铝38份、玻璃纤维 4份、氢氧化钠7份、二氧化锰3份、纳米三氧化二铝1. 5份、苯甲酸钠6份、硬脂酸2份、甲 苯25份、乙酸乙酯25份。
6. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂50份、活性氧化铝40份、玻璃纤维 5份、氢氧化钠8份、二氧化锰4份、纳米三氧化二铝2份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、甲 苯28份、乙酸乙酯27份。
7. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂55份、活性氧化铝45份、玻璃纤维 5份、氢氧化钠9份、二氧化锰4份、纳米三氧化二铝2. 5份、苯甲酸钠7份、硬脂酸2. 5份、 甲苯29份、乙酸乙酯28份。
8. 根据权利要求1所述的高性能导电芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导 电涂层均包括按照质量份数计的如下组分：丙烯酸树脂60份、活性氧化铝50份、玻璃纤维 6份、氢氧化钠10份、二氧化锰5份、纳米三氧化二铝3份、苯甲酸钠8份、硬脂酸3份、甲苯 30份、乙酸乙酯30份。
【文档编号】C09D133/00GK104371454SQ201410642141
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年11月13日 优先权日:2014年11月13日
【发明者】禹胜林 申请人:无锡信大气象传感网科技有限公司