1.一种合成Mn4+掺杂的磷光体的方法，该方法包括将式I的前体，
Ax(M1-z, Mnz)Fy
I
在升高的温度下与气态形式的含氟氧化剂接触，以形成Mn4+掺杂的磷光体；
其中
A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合；
M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；
x是[MFy]离子的电荷的绝对值；
y是5、6或7；且
0.03≤z≤0.10。
2.根据权利要求1所述的方法，其中0.035 ≤z≤ 0.060。
3.根据权利要求1所述的方法，其中0.035 ≤z≤ 0.0510。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该磷光体的量子效率比前体的量子效率至少大8％。
5.根据权利要求1所述的方法，其中该磷光体的量子效率比前体的量子效率至少大20％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体是K2SiF6:Mn4+。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度是约500℃至约600℃范围内的任何温度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟氧化剂是F2。
9.根据权利要求5的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。
10.一种照明设备，包含半导体光源；和根据权利要求1的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。
11.一种背光装置，包含半导体光源；和根据权利要求1的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。
12.一种制备Mn4+掺杂的磷光体的方法，该方法包括将前体在升高的温度下与气态形式的含氟氧化剂接触，其中所述前体选自：
(A) A2[MF5]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合；其中M选自Al、Ga、In及其组合；
(B) A3[MF6]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合；其中M选自Al、Ga、In及其组合；
(C) Zn2[MF7]:Mn4+，其中M选自Al、Ga、In及其组合；
(D) A[In2F7]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合；
(E) A2[MF6]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合；其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合；
(F) E[MF6]:Mn4+，其中E选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及其组合；其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合；
(G) Ba0.65Zr0.35F2.70:Mn4+；和
(H) A3[ZrF7]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合；且
锰的量为约3.0 mol%至约10 mol%。
13.根据权利要求12所述的方法，其中锰的量为约3.5 mol%至约6.0 mol%。
14.根据权利要求12所述的方法，其中锰的量为约3.5 mol%至约5.1 mol%。
15.根据权利要求12所述的方法，其中锰的量为约3.5 mol%至约8.0 mol%。
16.根据权利要求12所述的方法，其中该磷光体的量子效率比前体的量子效率至少大8％。
17.根据权利要求12所述的方法，其中该磷光体的量子效率比前体的量子效率至少大20％。
18.根据权利要求16的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。
19.一种照明设备，包含半导体光源；和根据权利要求12的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。
20.一种背光装置，包含半导体光源；和根据权利要求12的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂的磷光体。