技术特征:

1.一种合成颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体的方法,所述方法包括使式I的前体

Ax [MFy]:Mn4+

I

与气态形式的含氟氧化剂在约200℃至约700℃范围内的任何温度下接触;

保持该温度至少1小时的接触时间;并且

在接触时间后,使温度以≤5℃/分钟速率降低;

其中

A为Li、Na、K、Rb、Cs或其组合;

M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;

x为[MFy]离子的电荷的绝对值;

y为5、6或7。

2.权利要求1的方法,其中所述温度以≤3℃/分钟速率降低。

3.权利要求1的方法,其中所述温度以≤1℃/分钟速率降低。

4.权利要求1的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少1小时时间。

5.权利要求1的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少2小时时间。

6.权利要求1的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少3小时时间。

7.权利要求1的方法,其中所述温度为在约500℃至约600℃范围内的任何温度。

8.权利要求1的方法,其中使磷光体前体与含氟氧化剂接触约8小时时间。

9.权利要求1的方法,其中所述Mn4+掺杂磷光体为K2SiF6:Mn4+

10.一种照明装置,所述照明装置包括半导体光源和通过权利要求1的方法制备的Mn4+掺杂磷光体。

11.一种背光装置,所述背光装置包括半导体光源和通过权利要求1的方法制备的Mn4+掺杂磷光体。

12.一种合成颜色稳定Mn4+掺杂磷光体的方法,所述方法包括使前体与气态形式的含氟氧化剂在升高的温度下接触,以形成颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体,其中前体选自

(A) A2[MF5]:Mn4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合,且其中M选自Al、Ga、In及其组合;

(B) A3[MF6]:Mn4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合,且其中M选自Al、Ga、In及其组合;

(C) Zn2[MF7]:Mn4+,其中M选自Al、Ga、In及其组合;

(D) A[In2F7]:Mn4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合;

(E) A2[MF6]:Mn4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合,且其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合;

(F) E[MF6]:Mn4+,其中E选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及其组合,且其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合;

(G) Ba0.65Zr0.35F2.70:Mn4+;和

(H) A3[ZrF7]:Mn4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs及其组合。

13.权利要求12的方法,其中所述温度在约500℃至约600℃范围内。

14.权利要求12的方法,其中所述温度以≤3℃/分钟速率降低。

15.权利要求12的方法,其中所述温度以≤1℃/分钟速率降低。

16.权利要求12的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少1小时时间。

17.权利要求12的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少2小时时间。

18.权利要求12的方法,其中所述温度以≤5℃/分钟速率降低至少3小时时间。

19.权利要求12的方法,其中所述颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体为K2SiF6:Mn4+

20.权利要求12的方法,其中所述温度为在约500℃至约600℃范围内的任何温度。

21.权利要求12的方法,其中所述含氟氧化剂为F2

22.一种通过权利要求12的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体。

23.一种照明装置,所述照明装置包括半导体光源和通过权利要求12的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体。

24.一种背光装置,所述背光装置包括半导体光源和通过权利要求12的方法制备的颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体。

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